用三极管够成的电路还可以模拟其它元器件。大功率可变电阻价贵难觅,用图7电路可作模拟品,调节510电阻的阻值,即可调节三极管C、E两极之间的阻抗,此阻抗变化即可代替可变电阻使用。图8为用三极管模拟的稳压管。其稳压原理是:当加到A、B两端的输入电压上升时,因三极管的B、E结压降基本不变,故R2两端压降上升,经过R2的电流上升,三极管发射结正偏增强,其导通性也增强,C、E极间呈现的等效电阻减小,压降降低,从而使AB端的输入电压下降。调节R2即可调节此模拟稳压管的稳压值,等效为稳压管。一种固态二极管,专门用于ESD 保护。TVS二极管制造公司
一、半导体二极管
1、英文缩写:D (Diode),电路符号是
2、半导体二极管的分类
分类:a 按材质分:硅二极管和锗二极管;
b按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管。
3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的半导体二极管。
4、半导体二极管的导通电压是:
a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.
B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.
5、半导体二极管主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。
7、半导体二极管的识别方法:
TVS二极管制造公司检测晶体三极管时,选择反应灵敏的指针万用表。将万用表的量程调整至挡,并进行调零校正。
半导体三极管
1、半导体三极管英文缩写:Q/T
2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。
3、半导体三极管特点:半导体三极管(简称晶体管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。
按材料来分 可分硅和锗管,我国目前生产的硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。
4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用,必须给三极管加合适的电压,即管子发射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。
在三极管be之间增加偏置电阻,测量Vce击穿电压
下图中给出了Rbe分别去2k,51k,100k的情况下,C、E的电压电流曲线。可以看到C、E的击穿电压位于Vceo与Vcbo之间。
所以在正常设计三极管电路的时候,需要根据等效的Rbe数值来对三极管的耐压余量进行选择。
在不同的Rbe的阻值下,Vce的击穿电压曲线
由于三极管的发射区掺杂浓度很高,B、E之间的反向击穿电压往往小于10V。
因此,在使用三极管的时候,如果错把集电极和发射极弄混,除了会引起电流放大倍数的下降之外,因为Vebo,Vceo的差异,电路中的三极管的也会被击穿。
和二极管一样,半导体器件的参数往往离散型很大。下面是两个不同批次的S8050的Vceb的耐压曲线。反向击穿电压相差30%左右。
两个不同批次的S8050Vceo的电压
TVS(Transient Voltage Suppressor) 或称瞬态***二极管,是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品.
高压硅堆的检测
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成,检测时,可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆,其正向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压硅堆已软击穿损坏。
变阻二极管的检测
用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值,正常的高频变阻二极管的正向电阻值(黑表笔接正极时)为Ω,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则说明被测变阻二极管已损坏。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管。雪崩二极管联系方式
肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右。TVS二极管制造公司
TO-252封装尺寸图
电气特性方面,关于***比较大额定值,六款二极管的反向重复峰值电压均为400v、600v、800v , 反向电压均为400v、600v、800v. 平均整流输出电流为5A/10A, 运行结温均为150℃,储存温度均为-55℃~+150℃。正向不重复峰值电流(浪涌电流)不同。
六款直插超快速恢复二极管的产品特性:
. 低开关损耗
. 低正向电压
. 高电流过载能力
六款直插超快速恢复二极管的结构:
. 硅外延平面型
. 玻璃钝化PN结型
六款超快速恢复二极管替代传统直插DO-27封装的应用:通用的整流应用
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