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晶体管基本参数
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单结晶体管电路特性

在上面的等效电路中,单结晶体管两个基极之间的电阻称作“基极电阻”,基极电阻的阻值等于***基极与发射极之间的电阻RB1和第二基极与发射极之间的电阻RB2值之和。其中,RB1的阻值随着发射极E的电流变化而变化,而RB2的阻值不受发射极电流的影响。


在两个基极之间施加一定的电压VBB,则A点电压VA=[RB1/(RB1+RB2)]VBB=(RB1/RBB)VBB=ηVBB;其中η成为分压比,其数值根据不同型号的晶体管一般在0.5到0.9之间。


当发射极电压VE>ηVBB时,发射结处于反偏状态,此时晶体管截止;

当发射极电压VE<ηVBB+二极管管压降VD时,PN结处于正向导通状态,RB1的阻值迅速减小,VE会随之下降,此时晶体管出现负阻特性,晶体管由截止进入负阻特性的临界点称为“峰点”;

随着发射极E电流的上升,发射极电压VE会不断下降,当下降到一个点之后便不再下降,这个点称为“谷点”;

单结晶体管的型号命名方式


平面晶体管主导了整个半导体工业很长一段时间。江门NPN晶体管

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从平面晶体管走到GAA晶体管,代工厂的研发投入越来越高。在这个过程中,格芯和联电接连放弃了14nm以下先进制程的研究,英特尔虽然公布了其7nm计划,但其已在10nm工艺节点上停留了很久。而三星也在7nm节点处落后于台积电的发展,在这种情况下,台积电几乎包揽了市场上所有7nm的生意。


但先进工艺不会因为玩家变少而停滞不前,按照三星早早公布GAA晶体管的**近状态中看,其势要在3nm节点处,与台积电一争高下。而台积电方面除了有消息透露其将采用EUV光刻外,并无新的***锏。在3nm节点处,新的晶体管会改变现有代工厂的市场地位吗?晶体管未来还会发生怎样的变化,都值得大家共同期待。


湖南双极型晶体管凡采用所谓平面工艺来制作的晶体管,都称为平面晶体管。

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三极管(BJT管),也称为双性型晶体管

三极管是一个人丁兴旺的“大家族”,其人员众多。因此在电子电路中如果没有三极管的话那么这个电路将“一事无成”。电路中的很多元件都是为三极管服务的,比如电阻、电容等。有必要和大家对三极管进行一下剖析,下面让我们看看三极管的“庐山真面目”。三极管也有三条腿,并且这三条腿不能相互换用,不像MOS管那样其源极(S)和漏极(D)在一定条件下还可以换用的(低频的结型管可以互换)。从图中我们也可以看到,三极管也是有两个PN结构成。我们以NPN型三极管为例来说明这个问题,分别从三个半导体基座中引出三个极,我们给它分别起个名字叫基极、集电极和发射极。这三个端子的相互作用是,通过控制流入基极的电流就可以达到控制发射极和集电极之间的电流的大小,由此我们可以知道三极管是一个电流型控制器件。


三、单结晶体管振荡器


1.单结晶体管振荡器电路


在电子电路中,常常利用单结晶体管的负阻特性和RC电路的充放电特性,组成非正弦波脉冲振荡电路,单结晶体管振荡电路如图6a所示。图中,R、C为充放电元件,V为单结晶体管,Rb1、Rb2为基极电阻,其中Rb2为限流电阻,Rb1是负载电阻,其两端产生的电压降就是振荡输出信号。


2.单结晶体管振荡电路的工作原理


单结晶体管振荡电路的工作原理如下。当开关S闭合后,电源Ucc接入电路中,单结晶体管的b2经电阻Rb2与电源的正极相连,b1经电阻Rb1与电源的负极相接,即b2、b1之间加上了一个正电压。同时,电源Ucc还通过电阻R对电容C进行充电,电容两端的电压Uc随时间按**规律上升,充电时间常数τ=RC。


当电容两端的电压Uc,即发射极所加的电压Ue<Up峰点电压时,单结晶体管的Ie电流为很小的反向漏电电流,单结晶体管是处于截止状态的,其e、b1极之间的等效阻值非常大,电阻Rb1上无电流通过,输出电压Uo=0,即无脉冲信号输出


这个晶体三极管究竟是如何完成这神奇的功能的呢?

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晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。

晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。

晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地(又称共基放大、CB组态)和集电极接地(又称共集放大、CC组态、发射极随耦器)。

晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。

由于其响应速度快,准确性高,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。 场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。温州半导体晶体管

单结晶体管振荡电路的工作原理如下。江门NPN晶体管

晶体管基极-发射极间的二极管


对于三极管的理解,可能有同学还不是很理解,下面就用生活中一个很常见的实物类比,这里以NPN型三极管为例进行说明,PNP型三极管类似,只是方向不同而已,结论都适用。


三极管就如同日常使用的水龙头,如下图5所示,三极管的集电极C可以看做水龙头的进水口;发射极E可以看做可以看做水龙头的出水口,基极B可以看做水龙头的开关。


类比三极管的水龙头


在使用水龙头时,转动开关B,当向右转动时,水流会慢慢增大,向右转到比较大位置时,水流比较大,此时开关B无法再向右旋转,即对应三极管的饱和模式;



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