10、半导体二极管的伏安特性:二极管的基本特性是单向导电性(注:硅管的导通电压为0.6-0.8V;锗管的导通电压为0.2-0.3V),而工程分析时通常采用的是0.7V.
11、半导体二极管的伏安特性曲线:(通过二极管的电流I与其两端电压U的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。)见图三.
图三 硅和锗管的伏安特性曲线
12、半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。
肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管,以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。ESD二极管制造公司
三极管的特殊用途:
半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外,还能够做成一些可**使用的两端或三端器件。
1. 扩流。
把一只小功率可控硅(晶闸管)和一只大功率三极管组合,就可得到一只大功率可控硅,其比较大输出电流由大功率三极管的特性决定,见附图1。图2为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用,将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样,可浮置工作,适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点,但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安,因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图3可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展,稳定性能可得到较大的改善。
2. 代换。
图4中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管;图5中的三极管可代用8V左右的稳压管。图6中的三极管可代用30V左右的稳压管。上述应用时,三极管的基极均不使用。
雪崩二极管销售代理快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压。
半导体三极管的好坏检测
a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位
b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:
红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.
c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:
将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好.
d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反.
稳压二极管与普通整流二极管的区分 *
首先利用万用表R×1K挡,按把被测管的正、负电极判断出来。然后将万用表拨至R×10K挡上,黑表笔接被测管的负极,肖特基二极管接法,红表笔接被测管的正极,若此时测得的反向电阻值比用R×1K挡测量的反向电阻小很多,说明被测管为稳压管;反之,如果测得的反向电阻值仍很大,说明该管为整流二极管或检波二极管。
稳压二极管
不重复大浪涌电流
1N4007的定义:毫秒30A
MDD95的定义:10毫秒2800A,毫秒3300A
二者定义的电流都是有效值。从MDD95的定义可以看出,肖特基二极管厂商,时间越短,允许浪涌电流越大。这是普遍规律。
正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。
7、半导体二极管的识别方法:
a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.
b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.
c;测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。广州晶体二极管
肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右。ESD二极管制造公司
二极管的主要参数
二极管是非线性元件,二极管具有单向导电性
1.比较大整流电流IF。
是指二极管长时间连续使用时,允许通过的比较大正向平均电流
2.反向击穿电压VBR和比较大反向工作电压VRM
反向击穿电压是指二极管发生反向击穿时的电压值
3反向饱和电流IR
指没有发生反向击穿时的反向电流值,反向饱和电流越小说明二极管的单向导电性越好,其大小受温度影响较大。
4比较高工作效率
指二极管所能承受的比较高频率,主要由N结的结电容大小决定二极管的性能
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