晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。(一)晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极(G)开路的条件下,在其阳极(A)与阴极(K)之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。(二)晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM,是指晶闸管在正向阻断时,允许加在A、K(或T1、T2)极间大的峰值电压。此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。(三)晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT,是指在规定环境温度和标准散热条件下,晶闸管正常工作时A、K(或T1、T2)极间所允许通过电流的平均值。(四)反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下,晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压,当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。(五)晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM,是指晶闸管在门极G断路时,允许加在A、K极间的大反向峰值电压。此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。。淄博正高电气生产的产品质量上乘。临沂交流可控硅调压模块组件

本公司技术力量雄厚,基础设施齐全,新品开发能力强,本说明以外的相近产品能快速研制生产,满足您的要求。本说明如不能满足您的要求,可来函索取更详细资料,更欢迎您光临本公司商榷、洽谈、指导。使用条件:环境条件:1、自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃;2、空气相对湿度≤85%;3、空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃;4、气压86—106Kpa;5、无剧烈震动或冲击;6、若有特殊场合,应进行相应的试验,证明工作可靠方可使用。冷却条件:1、强迫风冷:风速≥6m/s,风温≤40℃;2、水冷:流量≥4L/mm,压强±。水温≤35℃.水电阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;3、其它冷却方式应进行相应的试验证明工作可靠方可使用。注意事项:1、选择电流电压时要留有适当的余量;2、线路中须有过压过流保护措施,串并联使用时必须有均流措施。3、用万用表简单判断器件是否损坏:门阴极间电阻,应有十几或几十Ω,否则门极已短路或开路。阴阳极间电阻,应大于1MΩ,(整流管正向除外),电阻小于1MΩ表明器件极间绝缘性能不良,电阻近零时表明器件已击穿。经我公司鉴定,确定质量问题的产品,保退保换。退换时须携带原产品合格证。威海整流可控硅调压模块分类我公司将以优良的产品,周到的服务与尊敬的用户携手并进!

N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N一层的空穴(少子),对N一层进行电导调制,减小N一层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。IGBT和可控硅区别IGBT与晶闸管1.整流元件(晶闸管)简单地说:整流器是把单相或三相正弦交流电流通过整流元件变成平稳的可调的单方向的直流电流。其实现条件主要是依靠整流管。晶闸管等元件通过整流来实现。除此之外整流器件还有很多,如:可关断晶闸管GTO,逆导晶闸管,双向晶闸管,整流模块,功率模块IGBT,SIT,MOSFET等等,这里只探讨晶闸管。晶闸管又名可控硅,通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件,由于它效率高,控制特性好,寿命长,体积小等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门**的学科。“晶闸管交流技术”。晶闸管发展到,在工艺上已经非常成熟,品质更好,成品率大幅提高,并向高压大电流发展。目前国内晶闸管大额定电流可达5000A。
平板式晶闸管模块的优势以及特点来源:晶闸管模块是电子元器件中广为人知的,而我们常用的就是平板式晶闸管模块,那么它有哪些优势以及特点呢?下面正高电气来带您了解一下。平板式晶闸管模块的特点:“一触即发”。然而,如果所施加的阳极电极和所述控制极是反向电压,平板式晶闸管模块不能传导。控制极的作用是可以通过一个外加正向作用触发脉冲使晶闸管导通,却不能使它关断。那么,使导通的平板式晶闸管模块关断的方式是什么呢?使导通的晶闸管控制模块进行关断,可以通过断开阳极电源或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果平板式晶闸管模块阳极和阴极之间施加的是交流电压或脉动直流电压,则平板式晶闸管模块将在零电压下自行关闭。归类总结起来就是:1.用较小功率控制较大功率,功率方法倍数可达到的几十万倍2.控制系统灵敏,反应快,平板式晶闸管模块的导通和截止到了微秒级3.损耗小,平板式晶闸管模块本身的压降只有约1伏特4.体积小、重量轻以上就是平板式晶闸管模块的优势以及特点,希望通过这篇文章可以对您有所帮助。淄博正高电气展望未来,信心百倍,追求高远。

就组成了一个简单实用的大功率无级调速电路。这个电路的独特之处在于可控硅控制极不需外加电源,只要将负载与本电路串联后接通电源,两个控制极与各自的阴极之间便有5V~8V脉动直流电压产生,调节电位器R2即可改变两只可控硅的导通角,增大R2的阻值到一定程度,便可使两个主可控硅阻断,因此R2还可起开关的作用。该电路的另一个特点是两只主可控硅交替导通,一个的正向压降就是另一个的反向压降,因此不存在反向击穿问题。但当外加电压瞬时超过阻断电压时,SCR1、SCR2会误导通,导通程度由电位器R2决定。SCR3与周围元件构成普通移相触发电路,其原理这里从略。SCR1、SCR2笔者选用的是封装好的可控硅模块(110A/1000V),SCR3选用BTl36,即600V的双向可控硅。本电路如用于感性负载,应增加R4,C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护,防止负载断开和接通瞬间产生很高的感应电压损坏可控硅。可控硅调压器电路图(五)一种吸尘器使用可控硅元件构成调速电路可控硅调压器电路图(六)这个电路的独特之处在于可控硅控制极不需外加电源可控硅调压器电路图(七)一种大功率直流电机调速电路可控硅调压器电路图(八)使用一个负温度系数(NTC)的热敏电阻。淄博正高电气以创百年企业、树百年品牌为使命,倾力为客户创造更大利益!威海整流可控硅调压模块分类
淄博正高电气从国内外引进了一大批先进的设备,实现了工程设备的现代化。临沂交流可控硅调压模块组件
可控硅可控硅简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。晶闸管又名可控硅,通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件,由于它效率高,控制特性好,寿命长,体积小等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门**的学科。“晶闸管交流技术”。晶闸管发展到,在工艺上已经非常成熟,品质更好,成品率大幅提高,并向高压大电流发展。目前国内晶闸管大额定电流可达5000A,国外更大。我国的韶山电力机车上装载的都是我国自行研制的大功率晶闸管。晶闸管的应用:一、可控整流如同二极管整流一样,可以把交流整流为直流。临沂交流可控硅调压模块组件
淄博正高电气有限公司致力于电子元器件,以科技创新实现***管理的追求。公司自创立以来,投身于可控硅模块,晶闸管模块,可控硅智能模块,晶闸管智能模块,是电子元器件的主力军。正高电气不断开拓创新,追求出色,以技术为先导,以产品为平台,以应用为重点,以服务为保证,不断为客户创造更高价值,提供更优服务。正高电气始终关注电子元器件行业。满足市场需求,提高产品价值,是我们前行的力量。