EVG曝光光学：专门开发的分辨率增强型光学元件（REO）可提供高出50％的强度，并显着提高/分辨率，在接近模式下可达到小于3μm的分辨率。REO的特殊设计有助于控制干涉效应以获得分辨率。EVG**/新的曝光光学增强功能是LED灯设置。低能耗和长寿命是UV-LED光源的**/大优势，因为不需要预热或冷却。在用户软件界面中可以轻松、实际地完成曝光光谱设置。此外，LED需要*在曝光期间供电，并且该技术消除了对汞灯经常需要的额外设施（废气，冷却气体）和更换灯的需要。这种理想的组合不仅可以**/大限度地降低运行和维护成本，还可以增加操作员的安全性和环境友好性。EVG所有光刻设备平台均为300mm。研究所光刻机
EVG770自动UV-NIL纳米压印步进机，用于制作主图章。母模是晶圆大小的模板，里面完全装有微透镜模具，每个模具都采用分步重复的方法从一个透镜模板中复制。EVG从金属或玻璃制成的单镜头母版开始，提供了涵盖了制作母模的所有基本工艺步骤的工艺流程，具有****的镜片位置精度和**镜片制造所需的高镜片形状可重复性晶圆级相机模块。
IQ Aligner自动UV-NIL纳米压印系统，用于UV微透镜成型。软UV压印光刻技术是用于制造聚合物微透镜（WLO系统的关键要素）的高度并行技术。EVG从晶圆尺寸的主图章复制的软性图章开始，提供了混合和整体式微透镜成型工艺，可以轻松地将其应用于工作图章和微透镜材料的各种材料组合。此外，EV Group提供合格的微透镜成型工艺，包括所有相关的材料专业知识。
EVG40 NT自动测量系统。支持非常高的分辨率和精度的垂直和横向测量，计量对于验证是否符合严格的工艺规范并立即优化集成的工艺参数至关重要。在WLO制造中，EVG的度量衡解决方案可用于关键尺寸（CD）测量和透镜叠层对准验证，以及许多其他应用。 研究所光刻机只有以客户的需求为导向，研发才具有价值，也是我们不断前进的动力。
EVG的掩模对准系统含有：EVG610；EVG620 NT半自动/全自动掩模对准系统；EVG6200 NT半自动/全自动掩模对准系统；IQ Aligner 自动掩模对准系统；IQ Aligner NT自动掩模对准系统；
【EVG ® 610掩模对准系统】EVG
® 610是一个紧凑的和多用途R＆d系统，可以处理小基板片和高达200毫米的晶片。
EVG ® 610技术数据：EVG610支持多种标准光刻工艺，例如真空，硬，软和接近曝光模式，并可选择背面对准功能。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻（NIL）。EVG610提供快速的处理和重新安装工具，可满足用户需求的变化，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念可以适应从初学者到**级别的所有需求，因此使其非常适合大学和研发应用。
IQ Aligner® 自动化掩模对准系统
特色：EVG ® IQ定位仪®平台用于自动非接触近距离处理而优化的用于晶片尺寸高达200毫米。
技术数据：IQ Aligner是具有高度自动化程度的非接触式接近光刻平台，可满足将生产线中的掩模污染降至**/低并增加掩模寿命和产品良率的需求。除了多种对准功能外，该系统还通过专门配置进行了广/泛的安装和现场验证，可自动处理和处理翘曲或变薄的晶圆。标准的顶侧或底侧对准与集成的IR对准功能之间的混合匹配操作进一步拓宽了应用领域，尤其是在与工程或粘合基板对准时。该系统还通过快速响应的温度控制工具集支持晶片对准跳动控制。 HERCULES平台是“一站式服务”平台。
EVG620 NT或完全容纳的EVG620
NT Gen2掩模对准系统配备了集成的振动隔离功能，可在各种应用中实现出色的曝光效果，例如，对薄而厚的光刻胶进行曝光，对深腔进行构图并形成可比的形貌，以及对薄而易碎的材料（例如化合物半导体）进行加工。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。
EVG620 NT特征：
晶圆/基板尺寸从小到150 mm /
6''
系统设计支持光刻工艺的多功能性
易碎，薄或翘曲的多种尺寸的晶圆处理，更换时间短
带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿序列 EVG光刻机设备，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。北京碳化硅光刻机
所有系统均支持原位对准验证的软件，可以提高手动操作系统的对准精度和可重复性。研究所光刻机
EVG ® 610特征：
晶圆/基板尺寸从小到200 mm /8''
顶侧和底侧对准能力
高精度对准台
自动楔形补偿序列
电动和程序控制的曝光间隙
支持**/新的UV-LED技术
**小化系统占地面积和设施要求
分步流程指导
远程技术支持
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
便捷处理和转换重组
台式或带防震花岗岩台的单机版
EVG ® 610附加功能：
键对准
红外对准
纳米压印光刻（NIL）
EVG ® 610技术数据：
对准方式
上侧对准：≤±0.5 µm
底面要求：≤±2,0 µm
红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基板材料
键对准：≤±2,0 µm
NIL对准：≤±2,0 µm 研究所光刻机
岱美仪器技术服务（上海）有限公司致力于仪器仪表，是一家贸易型公司。公司自成立以来，以质量为发展，让匠心弥散在每个细节，公司旗下半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪深受客户的喜爱。公司从事仪器仪表多年，有着创新的设计、强大的技术，还有一批**的专业化的队伍，确保为客户提供良好的产品及服务。岱美中国立足于全国市场，依托强大的研发实力，融合前沿的技术理念，飞快响应客户的变化需求。
