电子束光刻技术是利用电子器具所产生的电子束，通过电子光柱的各极电磁透镜聚焦、对中、各种象差的校正、电子束斑调整、电子束流调整、电子束曝光对准标记检测、电子束偏转校正、电子扫描场畸变校正等一系列调整，较后通过扫描透镜根据电子束曝光程序的安排，在涂布有电子抗蚀剂（光刻胶）的基片表面上扫描写出所需要的图形。电子束光刻基本上分两大类，一类是大生产光掩模版制造的电子束曝光系统，另一类是直接在基片上直写纳米级图形的电子束光刻系统。光刻原理主要是利用曝光光源极短的波长达到提高光刻技术分辨率的目的。河北光刻加工
不同波长的光刻光源要求截然不同的光刻设备和光刻胶材料。在20世纪80年代，半导体制成的主流工艺尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之间。那时候波长436nm的光刻光源被普遍使用。在90年代前半期，随着半导体制程工艺尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演进，光刻开始采用365nm波长光源。436nm和365nm光源分别是高压汞灯中能量较高，波长较短的两个谱线。高压汞灯技术成熟，因此较早被用来当作光刻光源。使用波长短，能量高的光源进行光刻工艺更容易激发光化学反应、提高光刻分别率。安徽电子束蒸发真空镀膜EUV及EBL曝光技术相配合，使193nm浸没式光刻技术延伸到15和11nm工艺节点。
以研究光谱而闻名的近代德国科学家约瑟夫·弗劳恩霍夫将这两种波长的光谱分别命名为G线和I线。这也是 g-line光刻和 i-line光刻技术命名的由来。g-line与i-line光刻胶均使用线性酚醛成分作为树脂主体，重氮萘醌成分（DQN 体系）作为感光剂。未经曝光的DQN成分作为克制剂，可以十倍或者更大的倍数降低光刻胶在显影液中的溶解速度。曝光后，重氮萘醌(DQN)基团转变为烯酮，与水接触时，进一步转变为茚羟酸，从而得以在曝光区被稀碱水显影时除去。由此，曝光过的光刻胶会溶解于显影液而被去除，而未曝光的光刻胶部分则得以保留。
光刻胶要有极好的稳定性和一致性，如果质量稍微出点问题，损失将会是巨大的。去年2月，某半导体代工企业因为光刻胶的原因导致晶圆污染，报废十万片晶圆，直接导致5.5亿美元的账面损失。除了以上原因外，另一个重要原因是，经过几十年的发展，光刻胶已经是一个相当成熟且固化的产业。2010年光刻胶的**出现井喷，2013年之后，相关专利的申请已经开始锐减。市场较小，技术壁垒又高，这意味着对于企业来说，发展光刻胶性价比不高，即便研发成功一款光刻胶，也要面临较长的认证周期，需要与下游企业建立合作关系。光刻胶旋转速度，速度越快，厚度越薄；
光刻涂底方法：气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性旋转涂胶方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；由于所有的光学材料对该波长的光有强烈的吸收，所以只能采取反射式的光路。东莞图形光刻
光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。河北光刻加工
光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。据第三方机构智研咨询统计，2019年全球光刻胶市场规模预计近90亿美元，自 2010年至今CAGR约5.4%。预计该市场未来3年仍将以年均5%的速度增长，至2022年全球光刻胶市场规模将超过100亿美元。河北光刻加工
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