EVG101光刻胶处理系统的旋转涂层模块-旋转器参数
转速：**/高10 k rpm
加速速度：**/高10 k rpm
喷涂模块-喷涂产生
超声波雾化喷嘴/高粘度喷嘴
开发模块-分配选项
水坑显影/喷雾显影
EVG101光刻胶处理系统附加模块选项：
预对准：机械
系统控制参数：
操作系统：Windows
文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数/离线程序编辑器
灵活的流程定义/易于拖放的程序编程
并行处理多个作业/实时远程访问，诊断和故障排除
多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR
岱美是EVG光刻机在中国的代理商，提供本地化的质量服务。联电光刻机技术原理
EVG ® 150--光刻胶自动处理系统
EVG ® 150是全自动化光刻胶处理系统中提供高吞吐量的性能与在直径承晶片高达300毫米。
EVG150设计为完全模块化的平台，可实现自动喷涂/旋转/显影过程和高通量性能。EVG150可确保涂层高度均匀并提高重复性。具有高形貌的晶片可以通过EVG的OmniSpray 技术进行均匀涂覆，而传统的旋涂技术则受到限制。
EVG ® 150特征：
晶圆尺寸可达300毫米
多达六个过程模块
可自定义的数量-多达二十个烘烤/冷却/汽化堆
多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载
联电光刻机技术原理可以使用用于压印光刻的工具，例如紫外光纳米压印光刻，热压印或微接触印刷。
EVG ® 610特征：
晶圆/基板尺寸从小到200 mm /8''
顶侧和底侧对准能力
高精度对准台
自动楔形补偿序列
电动和程序控制的曝光间隙
支持**/新的UV-LED技术
**小化系统占地面积和设施要求
分步流程指导
远程技术支持
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
便捷处理和转换重组
台式或带防震花岗岩台的单机版
EVG ® 610附加功能：
键对准
红外对准
纳米压印光刻（NIL）
EVG ® 610技术数据：
对准方式
上侧对准：≤±0.5 µm
底面要求：≤±2,0 µm
红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基板材料
键对准：≤±2,0 µm
NIL对准：≤±2,0 µm
EVG ® 6200 NT掩模对准系统（半自动/自动）
特色：EVG ® 6200 NT掩模对准器为光学双面光刻的多功能工具和晶片尺寸高达200毫米。
技术数据：EVG6200 NT以其自动化灵活性和可靠性而著称，可在**小的占位面积上提供**/先进的掩模对准技术，并具有**/高的产能，先进的对准功能和优化的总拥有成本。操作员友好型软件，**短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持使它成为任何制造环境的理想解决方案。EVG6200 NT或完全安装的EVG6200 NT Gen2掩模对准系统有半自动或自动配置，并配有集成的振动隔离功能，可在广/泛的应用中实现出色的曝光效果，例如薄和厚光刻胶的曝光，深腔和类似地形的图案，以及薄而易碎的材料（例如化合物半导体）的加工。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。 研发设备与EVG的**技术平台无缝集成，这些平台涵盖从研发到小规模和大批量生产的整个制造链。
EVG键合机掩模对准系列产品，使用**/先进的工程技术。
用户对接近式对准器的主要需求由几个关键参数决定。亚微米对准精度，掩模和晶片之间受控的均匀接近间隙，以及对应于抗蚀剂灵敏度的已经明确定义且易于控制的曝光光谱是**重要的标准。此外，整个晶圆表面的高光强度和均匀性是设计和不断增强EVG掩模对准器产品组合时需要考虑的其他关键参数。创新推动了我们的日常业务的发展和提升我们的理念，使我们能够跳出思维框架，创造更先进的系统。 EVG的掩模对准目标是适用于高达300 mm的不同的厚度，尺寸，形状的晶圆和基片。湖北光刻机厂家
IQ Aligner NT 光刻机系统使用零辅助桥接工具-双基片，支持200mm和300mm尺寸的晶圆。联电光刻机技术原理
IQ Aligner工业自动化功能：盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理
晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米
对准方式：
上侧对准：≤±0.5 µm
底侧对准：≤±1,0 µm
红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基板材料
曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式
曝光选项：间隔曝光/洪水曝光
系统控制
操作系统：Windows
文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数
多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR
实时远程访问，诊断和故障排除
产能
全自动：第/一批生产量：每小时85片
全自动：吞吐量对准：每小时80片 联电光刻机技术原理
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