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材料刻蚀基本参数
  • 产地
  • 广东
  • 品牌
  • 科学院
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
材料刻蚀企业商机

湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,是利用合适的化学试剂先将未被光刻胶覆盖的晶片部分分解,然后转成可溶的化合物达到去除的目的。湿法刻蚀是刻蚀的一种方法,其他的有干刻蚀,等离子刻蚀等。湿法刻蚀这种刻蚀技术主要是借助腐蚀液和晶片材料的化学反应,因此我们可以借助化学试剂的选取、配比以及温度的控制等来达到合适的刻蚀速率和良好的刻蚀选择比。湿法刻蚀的过程:(1)反应物扩散到欲被刻蚀材料的表面;(2)反应物与被刻蚀材料反应;(3)反应后的产物离开刻蚀表面扩散到溶液中,随溶液被排出。等离子体刻蚀机要求相同的元素:化学刻蚀剂和能量源。贵州Si材料刻蚀加工厂

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刻蚀也可以分成有图形刻蚀和无图形刻蚀。有图形刻蚀采用掩蔽层(有图形的光刻胶)来定义要刻蚀掉的表面材料区域,只有硅片上被选择的这一部分在刻蚀过程中刻掉。有图形刻蚀可用来在硅片上制作多种不同的特征图形,包括栅、金属互连线、通孔、接触孔和沟槽。无图形刻蚀、反刻或剥离是在整个硅片没有掩模的情况下进行的,这种刻蚀工艺用于剥离掩模层(如STI氮化硅剥离和用于制备晶体管注入侧墙的硅化物工艺后钛的剥离)。反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的(如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征)。山西ICP材料刻蚀加工工厂对于二氧化硅刻蚀,气体一般使用CF4和氧的混合剂。

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在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体,等离子体通过光刻胶中开出的窗口,与硅片发生物理或化学反应(或这两种反应),从而去掉曝露的表面材料。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的较重要方法。而在湿法腐蚀中,液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)以化学方式去除硅片表面的材料。湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下(大于3微米)。湿法腐蚀仍然用来腐蚀硅片上某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。

工艺所用化学物质取决于要刻蚀的薄膜类型。介电刻蚀应用中通常使用含氟的化学物质。硅和金属刻蚀使用含氯成分的化学物质。在工艺中可能会对一个薄膜层或多个薄膜层执行特定的刻蚀步骤。当需要处理多层薄膜时,以及刻蚀中必须精确停在某个特定薄膜层而不对其造成损伤时,刻蚀工艺的选择比就变得非常重要。选择比是两个刻蚀速率的比率:被去除层的刻蚀速率与被保护层的刻蚀速率(例如刻蚀掩膜或终止层)。掩模或停止层)通常都希望有更高的选择比。干法刻蚀种类比较多,包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。

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在GaN发光二极管器件制作过程中,刻蚀是一项很重要的工艺。ICP干法刻蚀常用在n型电极制作中,因为在蓝宝石衬底上生长LED,n型电极和P型电极位于同一侧,需要刻蚀露出n型层。ICP是近几年来很常用的一种离子体刻蚀技术,它在GaN的刻蚀中应用很普遍。ICP刻蚀具有等离子体密度和等离子体的轰击能量单独可控,低压强获得高密度等离子体,在保持高刻蚀速率的同事能够产生高的选择比和低损伤的刻蚀表面等优势。ICP(感应耦合等离子)刻蚀GaN是物料溅射和化学反应相结合的复杂过程。刻蚀GaN主要使用到氯气和三氯化硼,刻蚀过程中材料表面表面的Ga-N键在离子轰击下破裂,此为物理溅射,产生活性的Ga和N原子,氮原子相互结合容易析出氮气,Ga原子和Cl离子生成容易挥发的GaCl2或者GaCl3。在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。广州半导体材料刻蚀外协

按照被刻蚀的材料类型来划分,干法刻蚀主要分成三种:金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。贵州Si材料刻蚀加工厂

GaN材料的刻蚀一般采用光刻胶来做掩膜,但是刻蚀GaN和光刻胶,选择比接近1:1,如果需要刻蚀深度超过3微米以上就需要采用厚胶来做掩膜。对于刻蚀更深的GaN,那就需要采用氧化硅来做刻蚀的掩模,刻蚀GaN的气体对于刻蚀氧化硅刻蚀比例可以达到8:1。深硅刻蚀是MEMS器件工艺当中很重要的一个工艺,根据不同应用对深硅刻蚀有不同的侧壁形貌要求,深硅刻蚀的刻蚀方式有BOSCH工艺、Cryo工艺、mix工艺,而常用的工艺是用BOSCH工艺,刻蚀深度可以达到400微米,深宽选择比可以达到20:1.贵州Si材料刻蚀加工厂

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