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晶体管基本参数
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晶体管企业商机

参见晶体三极管特性曲线2-18图所示:


图2-18 晶体三极管特性曲线


3、晶体三极管共发射极放大原理如下图所示:


A、vt是一个npn型三极管,起放大作用。


B、ecc 集电极回路电源(集电结反偏)为输出信号提供能量。


C、rc 是集电极直流负载电阻,可以把电流的变化量转化成电压的变化量反映在输出端。


D、基极电源ebb和基极电阻rb,一方面为发射结提供正向偏置电压,同时也决定了基极电流ib.


图2-19 共射极基本放大电路


E、cl、c2作用是隔直流通交流偶合电容。


F、rl是交流负载等效电阻。


场效应光晶体管响应速度快,但缺点是光敏面积小,增益小,常用作极高速光探测器。徐州晶体管联系方式

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工作电压和阈值电压大小比较时,MOS管工作状态

另外,以上的MOS晶体管叫做增强型MOS晶体管,MOS晶体管不只有这一种,还有许多许多种,比如①不加电压,②和③之间通电,加上电压之后反而不通电了的,这叫做耗尽型晶体管。另外,P型衬底的叫做P型MOS管,N型衬底的叫做N型MOS管,这方面想要详细了解,翻阅教科书。(此处修改,PMOS是导电沟道为P沟道的MOS,即N-body加电压后沟道反型,沟道区域的多数载流子由电子变成空穴,这个沟道叫做P-Channel,如下右图所示。NMOS也是同样的道理)


电路设计晶体管直销晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式。

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MOS晶体管

MOS晶体管全名叫做MOSFET(Metal oxide semiconductor field effect transistor),翻译为中文就是,金属氧化物半导体场效应晶体管这个名字听起来比较绕,比较奇怪,为什么要这么起名字呢?


如下图所示MOS管的结构图和等效图,**上边的栅极(Gate)一般都是由金属(Metal)做的,中间的绝缘层一般是由氧化层SiO2(Oxide)做的,**下边是半导体材料(semiconductor)。至于FET,场效应,就是电场控制电子的意思。


图1 MOS晶体管的结构图(左)和等效图(右)


首先看左边的结构图,图中下半部分是P型半导体(如图中的P-body),其中含有大量的空穴,而左上角和右上角带颜色的N+,是重掺杂的N型半导体,含有更大量的自由电子。接下来继续拟人化描述。


其中,两块带颜色的N+区是一个国家。左边的N+区是一块飞地,而右边的N+区,是本土大陆,飞地的自由电子常年在外,想从飞地(也就是左边的N+区)通过P-body国家,回到本土大陆(也就是右边的N+区)。




晶体管(transistor)是一种类似于阀门的固体半导体器件,可以用于放大、开关、稳压、信号调制 和许多其他功能。在1947年,由美国物理学家约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿和英国物理学家威廉·肖克 利(William Shockley,1910—1989)所发明。他们也因为半导体及晶体管效应的研究获得1956年 诺贝尔物理奖。

二战之后,贝尔实验室成立了一个固体物理研究小组,他们要制造一种能替代电子管的半导体器 件。此前,贝尔实验室就对半导体材料进行了研究,发现掺杂的半导体整流性能比电子管好。因此 小组把注意力放在了锗和硅这两种半导体材料上。 晶体管就是在晶圆上直接雕出来的,晶圆越大,芯片制程越小;

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晶体管的结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管。结构如图(a)所示,位于中间的P区称为基区,它很薄且杂质浓度很低;位于上层的N区是发射区,掺杂浓度很高;位于下层的N区是集电区,面积很大;它们分别引出电极为基极b, 发射极e和集电极c。

晶体管的电流放大作用

如下图所示为基本放大电路,为输入电压信号,它接入基极-发射极回路,称为输入回路;放大后的信号在集电极-发射极回路,称为输出回路。由于发射极是两个回路的公共端,故称该电路为共射放大电路。

晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏且集电结反向偏置,所以输入回路加的基极电源和输出回路加的集电极电源

晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、较大、功率晶体管和大功率晶体管。四川电子管晶体管

晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。徐州晶体管联系方式

晶体管重要性

晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用,应用十分***。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路,叫做晶体管-晶体管逻辑电路,书刊和实用中都简称为TTL电路,它属于半导体集成电路的一种,其中用得**普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上,封装成一个**的元件。晶体管是半导体三极管中应用*****的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示。

晶体管被认为是现代历史中**伟大的发明之一,在重要性方面可以与印刷术,汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动(active)元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力,因而可以不可思议地达到极低的单位成本。 徐州晶体管联系方式

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