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膜厚仪基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • Frontier Semiconductor (FSM)
  • 型号
  • FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM
  • 是否定制
膜厚仪企业商机

FSM 8018 VITE测试系列设备

VITE技术介绍:

VITE是傅里叶频域技术,利用近红外光源的相位剪切技术(Phase shear technology)

设备介绍

适用于所有可让近红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

应用:

   衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)

   平整度

   厚度变化 (TTV)

   沟槽深度

   过孔尺寸、深度、侧壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

不同半导体材料的厚度

   环氧树脂厚度

   衬底翘曲度

   晶圆凸点高度(bump height)

MEMS 薄膜测量

TSV 深度、侧壁角度...


系统测试应力的精度小于15mpa (0.03cm-1) ,全自动的200mm和300mm硅片检查,自动检验和聚焦的能力。透射率膜厚仪半导体行业

透射率膜厚仪半导体行业,膜厚仪

测量眼科设备涂层厚度光谱反射率可用于测量眼镜片减反射 (AR) 光谱和残余颜色,以及硬涂层和疏水层的厚度。

测量范例:

F10-AR系统配备HC升级选择通过反射率信息进行硬涂层厚度测量。这款仪器仪器采用接触探头,从而降低背面反射影响,并可测凹凸表面。接触探头安置在镜头表面。FILMeasure软件自动分析采集的光谱信息以确定镜头是否满足指定的反射规格。可测平均反射率,指定点**小比较大反射率,以抵消硬涂层的存在。如果这个镜头符合要求,系统操作人员将得到清晰的“很好”指示。 透射率膜厚仪半导体行业厚度范围: 测量从 1nm 到 13mm 的厚度。 测量 70nm 到 10um 薄膜的折射率。

透射率膜厚仪半导体行业,膜厚仪

F50 系列自动化薄膜测绘Filmetrics F50 系列的产品能以每秒测绘两个点的速度快速的测绘薄膜厚度。一个电动R-Theta 平台可接受标准和客制化夹盘,样品直径可达450毫米。(耐用的平台在我们的量产系统能够执行数百万次的量测!)

測绘圖案可以是极座標、矩形或线性的,您也可以创造自己的测绘方法,并且不受测量点数量的限制。內建数十种预定义的测绘圖案。

不同的 F50 仪器是根据波长范围来加以区分的。 标准的 F50是很受欢迎的产品。 一般较短的波长 (例如, F50-UV) 可用于测量较薄的薄膜,而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。

    光刻胶)polyerlayers(高分子聚合物层)polymide(聚酰亚胺)polysilicon(多晶硅)amorphoussilicon(非晶硅)基底实例:对于厚度测量,大多数情况下所要求的只是一块光滑、反射的基底。对于光学常数测量,需要一块平整的镜面反射基底;如果基底是透明的,基底背面需要进行处理使之不能反射。包括:silicon(硅)glass(玻璃)aluminum(铝)gaas(砷化镓)steel(钢)polycarbonate(聚碳酸脂)polymerfilms(高分子聚合物膜)应用半导体制造液晶显示器光学镀膜photoresist光刻胶oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶间隙polyimide聚酰亚胺ito纳米铟锡金属氧化物hardnesscoatings硬镀膜anti-reflectioncoatings增透镀膜filters滤光f20使用**仿真活动来分析光谱反射率数据。标准配置和规格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只测试厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm测试厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波长范围200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm准确度大于%或2nm精度1A2A1A稳定性光斑大小20μm至可选样品大小1mm至300mm及更大探测器类型1250-元素硅阵列512-元素砷化铟镓1000-元素硅&512-砷化铟镓阵列光源钨卤素灯。测量SU-8 其它厚光刻胶的厚度有特别重要的应用。

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集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。

故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。

测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度 所有的 Filmetrics 型号都能通过精确的光谱反射建模来测量厚度 (和折射率)。授权膜厚仪高性价比选择

F50-UV测厚范围:5nm-40µm;波长:190-1100nm。透射率膜厚仪半导体行业

平台和平台附件标准和**平台。

CS-1可升级接触式SS-3样品台,可测波长范围190-1700nm

SS-36“×6” 样品平台,F20 系统的标准配置。 可调节镜头高度,103 mm 进深。 适用所有波长范围。

SS-3-88“×8” 样品平台。可调节镜头高度,139mm 进深。 适用所有波长范围。

SS-3-24F20 的 24“×24” 样品平台。 可调节镜头高度,550mm 进深。 适用所有波长范围。

SS-56" x 6" 吋样品台,具有可调整焦距的反射光学配件,需搭配具有APC接头的光纤,全波长范围使用

样品压重-SS-3-50

样品压重 SS-3 平台, 50mm x 50mm

样品压重-SS-3-110

样品压重 SS-3 平台, 110mm x 110mm

透射率膜厚仪半导体行业

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