可控硅概况可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有的应用。可控硅从外形上区分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式应用较多。可控硅工作原理解析可控硅结构原件可控硅有三个极----阳极（A）、阴极（C）和控制极（G），管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。淄博正高电气愿和各界朋友真诚合作一同开拓。黑龙江大功率可控硅调压模块报价
N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。IGBT和可控硅区别IGBT与晶闸管1.整流元件（晶闸管）简单地说：整流器是把单相或三相正弦交流电流通过整流元件变成平稳的可调的单方向的直流电流。其实现条件主要是依靠整流管。晶闸管等元件通过整流来实现。除此之外整流器件还有很多，如：可关断晶闸管GTO，逆导晶闸管，双向晶闸管，整流模块，功率模块IGBT，SIT，MOSFET等等，这里只探讨晶闸管。晶闸管又名可控硅，通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件，由于它效率高，控制特性好，寿命长，体积小等优点，自上个世纪六十长代以来，获得了迅猛发展，并已形成了一门**的学科。“晶闸管交流技术”。晶闸管发展到，在工艺上已经非常成熟，品质更好，成品率大幅提高，并向高压大电流发展。目前国内晶闸管大额定电流可达5000A。黑龙江大功率可控硅调压模块报价淄博正高电气不懈追求产品质量，精益求精不断升级。
可控硅模块的控制方法我们都知道，可控硅模块在电子电气行业中非常受欢迎，它是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，可控硅模块的的应用范围十分的广大。可控硅模块众所周知，任何的设备只有正确操作才能发挥它应有的作用，可控硅模块在使用的时候一定要进行有效的控制才能发挥良好的运行性能。下面，就让安仑力的小编来给您讲讲控制可控硅模块的有效方法。1可控硅模块控制方法：经过输入模块控制接口一个可调的电压或者电流信号，通过调整该信号的大小即可对模块的输出电压大小进行平滑调节，实现模块输出电压从0V至任一点或全部导通的过程，电压或者是电流信号可取自各种控制仪表、计算机D/A输出，电位器直接从直流电源分压等各种方法；控制信号采用0-5V，0-10V，4-20mA三大类十分常见的控制方式。2可控硅模块控制端口和控制线：模块控制端接口有5脚、9脚以及15脚三大类，对应5芯、9芯以及15芯的控制线，使用电压信号的产品**使用**脚端口，别的是空脚，使用电流信号的9脚是信号输入，控制线的屏蔽层铜线要焊接到直流电源地线上，连接的时候不能和别的端子短路，防止不可以正常工作或者是可能烧坏可控硅模块。
晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。(一)晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极(G)开路的条件下，在其阳极(A)与阴极(K)之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。(二)晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K(或T1、T2)极间大的峰值电压。此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。(三)晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K(或T1、T2)极间所允许通过电流的平均值。(四)反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。(五)晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的大反向峰值电压。此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。。淄博正高电气从国内外引进了一大批先进的设备，实现了工程设备的现代化。
随着科技与社会的不断发展，智能晶闸管模块越来越被大众所认知，因为它在机器上也发挥着重要的作用，所以在行业的应用中也是越来越多，接触比较早的使用过它的肯定是在熟悉不过了，但是对于刚接触它的来讲，肯定是很陌生的，所以在使用上肯定就是有点困难的。那么就由淄博正高电气有限公司的小编带大家去了解下使用方法吧。1.首先要先保证com端必须为正，各个功能端相对，如果com的功能端相对是负极，则会出现调压的输出端出现失控的的情况。2.智能晶闸管调压模块它的正极性就是各个功能端的控制，意思就是控制电压越高，它的强电输出电路就越高。3.晶闸管模块属于受信号所控制的，他是在某一个时刻使用的一种输入控制方式，当2种方式同时出现输入的情况下，它则会倾向于信号比较强的那一种，并且起到一定的作用4.晶闸管它是根据实际使用的电流而去选择的，它的晶闸管调压模块的电源是属于上进下出的，它的导线的粗细则是按照粗细的实际使用的电流去选择的。5.如果发生过流的情况，我们可以去检查一下负载有没有短路的故障6.智能晶闸管模块在使用过程中会出现发热的情况，所以这个调压模块必须要配合散热器去使用，或者说是在安装过程中。淄博正高电气以快的速度提供好的产品质量和好的价格及完善的售后服务。黑龙江大功率可控硅调压模块报价
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用指针式万用表电阻档测量可控硅阳极和阴极之间是否短路，一般情况下双向可控硅阳极和阴极之间的电阻在数十千欧以上，如用万用表测量时已短路或电阻已小于10千欧以下，可判断可控硅已击穿损坏。2.用万用表分别测量双向可控硅触发极与阴极之间的电阻值，一般再几欧至百十欧以内的正常，触发极与阳极之间的电阻值，一般再十千欧以上为正常。晶闸管(可控硅)要导通，必须满足以下条件：双向晶闸管导通条件：一是晶闸管(可控硅)阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通状态。另外，晶闸管(可控硅)一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，晶闸管(可控硅)仍然导通。双向晶闸管(可控硅)关断条件：降低或去掉加在晶闸管(可控硅)阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于小维持电流以下。黑龙江大功率可控硅调压模块报价
