聚合物等温微纳米热压印技术同时适用于结晶型聚合物和非晶型聚合物,研究人员分别选用PP和PMMA作为两类聚合物的象征,对较优加工工艺及其内在成型机理展开探索。结果表明,对PMMA等非晶型聚合物而言,模具温度设定在Tg附近即可获得成型效果优异的微纳结构制品;在加工PP等结晶型聚合物时,模具温度则应设置在Tm以下40~60℃的温度区间内。利用聚合物等温微纳米热压印技术制得的微纳结构制品结构稳定,微纳结构一致性高且成型效率高。目前,聚合物等温微纳米压印方法的相关中心技术已申请国家发明专利和PCT国际专利。相信在全球范围内的微纳制造技术研发大潮中,聚合物等温微纳米热压印技术的出现会为研究人员提供新的灵感和动力。大部份的湿刻蚀液均是各向同性的,换言之,对刻蚀接触点之任何方向腐蚀速度并无明显差异。东莞光电器件微纳加工
微纳制造的加工材料多种多样,相对金属材料与硅和玻璃等无机材料而言,聚合物基材廉价易得且具有更好的生物兼容性、电绝缘隔离性、热隔离性等性能。近年来,基于聚合物的微加工制造技术已成为微细加工中的又一研究热点。大量学者对基于聚合物的微加工技术如微注射成型技术、微铸造技术及微压印技术进行了深入的研究。由于聚合物材料提供了相当普遍的物理及化学性质,同时具有成本低及适用于大批量制造等众多优点,因而随着微纳米技术的不断发展,聚合物材料在光学、化学、生物及微机电领域中获得了越来越普遍的应用,不同微纳结构制品具有不同的性能与应用场合。东莞光电器件微纳加工在硅材料刻蚀当中,硅针的刻蚀需要用到各向同性刻蚀,硅柱的刻蚀需要用到各项异性刻蚀。
聚合物微纳系统是较具应用前景的微纳机电系统之一,按照微纳制品的空间结构形式可以分为一维、二维和三维微纳制造。一维微纳制造:微流控芯片、导光板、纳米薄膜、微纳过滤材料、微纳复合材料及器件等;二维微纳制造:纳米纤维、纳米中空纤维等;三维微纳制造:微泵、微换热器、微型减速器、微型按插件等。聚合物是许多微纳米系统的基础材料,聚合物微纳系统是较有希望在近期实现实际应用的系统之一,聚合物微纳尺度制造科学与技术在微纳制造技术中占有极其重要的地位。聚合物微加工工艺除了LIGA加工、准LIGA加工、小机械加工、超声波加工、等离子体加工、激光加工、离子束加工、电子束加工和快速成形等工艺外,还包括微注塑成型、微挤出成型以及微压印成型等。
微纳制造技术的发展,同样涉及到科研体系问题。严格意义上来说,科研分为三个领域,一个是基础研究领域,一个是工程化应用领域,一个是市场推广领域。在发达国家的科研机制中。几乎所有的基础研究领域都是由国家或机构直接或间接支持的。这种基础研究较看重的是对于国家、民生或**的长远意义.而不是短期内的投入与产出。因而致力于基础研究的机构或者人员。根本不用考虑研究的所谓“市场化”问题。而只是进行基础、理论的研究。另一方面。工程化应用领域由专门的机构或职能部门负责,这些部门从应用领域、生产领域、制造领域抽调**、学者及相关专业人员,对基础研究的市场应用前景进行分析,并提出可行性建议,末尾由市场或企业来进行工程化应用研究。末尾市场化推广的问题自然是企业来做了。中国的高校和研究机构,做纯理念和纯基础的并不多,中国大多是工程性项目研究。其理想模式为高校、研究所、企业三结合状态,各司其职,各负其责。微纳技术是继JT、生物之后。21世纪较具发展潜力的高新技术,是未来十年高增长的新兴产业。微纳加工技术的特点MEMS技术适合批量生产。
硅材料在MEMS器件当中是很重要的一种材料。在硅材料刻蚀当中,应用于医美方向的硅针刻蚀需要用到各向同性刻蚀,纵向和横向同时刻蚀,硅柱的刻蚀需要用到各项异性刻蚀,主要是在垂直方向刻蚀,而横向尽量少刻蚀。微纳加工平台主要提供微纳加工技术工艺,包括光刻、磁控溅射、电子束蒸镀、湿法腐蚀、干法腐蚀、表面形貌测量等。该平台以积极灵活的方式服务于实验室的研究课题,并产生高水平的研究成果,促进半导体器件的发展,成为国内半导体器件技术与学术交流和人才培养的重要基地,同时为实验室的学术交流、合作研究提供技术平台和便利条件。微机电系统、微光电系统、生物微机电系统等是微纳米技术的重要应用领域。东莞光电器件微纳加工
我造技术的研究从其诞生之初就一直牢据行国的微纳制造技术的研究与世界先进水平业的杰出位置。东莞光电器件微纳加工
ICP(感应耦合等离子)刻蚀GaN是物料溅射和化学反应相结合的复杂过程。刻蚀GaN主要使用到氯气和三氯化硼,刻蚀过程中材料表面表面的Ga-N键在离子轰击下破裂,此为物理溅射,产生活性的Ga和N原子,氮原子相互结合容易析出氮气,Ga原子和Cl离子生成容易挥发的GaCl2或者GaCl3。光刻(Photolithography)是一种图形转移的方法,在微纳加工当中不可或缺的技术。光刻是一个比较大的概念,其实它是有多步工序所组成的。1.清洗:清洗衬底表面的有机物。2.旋涂:将光刻胶旋涂在衬底表面。3.曝光。将光刻版与衬底对准,在紫外光下曝光一定的时间。4.显影:将曝光后的衬底在显影液下显影一定的时间,受过紫外线曝光的地方会溶解在显影液当中。5.后烘。将显影后的衬底放置热板上后烘,以增强光刻胶与衬底之前的粘附力。东莞光电器件微纳加工