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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG®301单晶圆清洗系统,属于研发型单晶圆清洗系统。 技术数据 EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站,该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速,毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。EVG301具有手动加载和预对准功能,是一种多功能的研发型系统,适用于灵活的清洁程序和300mm的能力。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用,以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸,从而可以轻松设置不同的工艺。晶圆键合机系统 EVG®520 IS,拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能;200 mm的单个或双腔自动化系统。陕西EVG850 DB键合机

陕西EVG850 DB键合机,键合机

EVG®850TB临时键合机特征:

开放式胶粘剂平台;

各种载体(硅,玻璃,蓝宝石等);

适用于不同基板尺寸的桥接工具功能;

提供多种装载端口选项和组合;

程序控制系统;

实时监控和记录所有相关过程参数;

完全集成的SECS/GEM接口;

可选的集成在线计量模块,用于自动反馈回路;



技术数据:

晶圆直径(基板尺寸):蕞长300毫米,可能有超大的托架

不同的基材/载体组合

组态

外套模块

带有多个热板的烘烤模块

通过光学或机械对准来对准模块

键合模块:

选件

在线计量

ID阅读

高形貌的晶圆处理

翘曲的晶圆处理 吉林绝缘体上硅键合机EVG®500系列UV键合模块-适用于GEMINI支持UV固化的粘合剂键合。

陕西EVG850 DB键合机,键合机

1) 由既定拉力测试高低温循环测试结果可以看出,该键合工艺在满足实际应用所需键合强度的同时,解决了键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高、对环境要求苛刻的问题。

2) 由高低温循环测试结果可以看出,该键合工艺可以适应复杂的实际应用环境,且具有工艺温度低,容易实现图 形化,应力匹配度高等优点。

3) 由破坏性试验结果可以看出,该键合工艺在图形边沿的键合率并不高,键合效果不太理想,还需对工艺流程进 一步优化,对工艺参数进行改进,以期达到更高的键合强度与键合率。

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合

适用于各种熔融/分子晶圆键合应用

生产系统可在高通量,高产量环境中运行

盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)

无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对准的预键合

先进的远程诊断


技术数据:

晶圆直径(基板尺寸)

100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预键合室

对准类型:平面到平面或凹口到凹口

对准精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1°

结合力:蕞高5N

键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活

真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件) 根据键合机型号和加热器尺寸,EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。

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对准晶圆键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来,这些工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底,例如SOI(绝缘体上硅)。 主流键合工艺为:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。 键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时,EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。除了支持3D互连和MEMS制造,晶圆级和先进封装外,EVG的EVG500系晶圆键合机还可用于研发,中试和批量生产。原装进口键合机实际价格

GEMINI FB XT适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。陕西EVG850 DB键合机

EVG®810LT技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)

通用质量流量控制器:自校准(高达20.000sccm)

真空系统:9x10-2mbar

腔室的打开/关闭:自动化

腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)



可选功能:

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统:9x10-3mbar基本压力



符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si:Si/Si,Si/Si(热氧化,Si(热氧化)/

Si(热氧化)

TEOS/TEOS(热氧化)

绝缘体锗(GeOI)的Si/Ge

Si/Si3N4

玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

化合物半导体:GaAs,GaP,InP

聚合物:PMMA,环烯烃聚合物

用户可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)



陕西EVG850 DB键合机

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键合机是一种用于物理学领域的仪器,于2016年01月01日启用。
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