可控硅调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
可控硅调压模块企业商机

    晶闸管关断过电压(换流过电压、空穴积蓄效应过电压)及保护晶闸管从导通到阻断,线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量产生过电压。由于晶闸管在导通期间,载流子充满元件内部,在关断过程中,管子在反向作用下,正向电流下降到零时,元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流,使残存的载流子迅速消失,这时反向电流减小即diG/dt极大,产生的感应电势很大,这个电势与电源串联,反向加在已恢复阻断的元件上,可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压(换相过电压)。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施:在晶闸管两端并接阻容吸收电路。2.交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程,会产生操作过电压。高压合闸的瞬间,由于初次级之间存在分布电容,初级高压经电容耦合到次级,出现瞬时过电压。措施:在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容,就可以减小这种过电压。与整流器并联的其它负载切断时,因电源回路电感产生感应电势的过电压。变压器空载且电源电压过零时,初级拉闸,因变压器激磁电流的突变,在次级感生出很高的瞬时电压,这种电压尖峰值可达工作电压的6倍以上。淄博正高电气产品质量好,收到广大业主一致好评。上海单相可控硅调压模块配件

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    由于晶闸管在导通期间,载流子充满元件内部,在关断过程中,管子在反向作用下,正向电流下降到零时,元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流,使残存的载流子迅速消失,这时反向电流减小即diG/dt极大,产生的感应电势很大,这个电势与电源串联,反向加在已恢复阻断的元件上,可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压(换相过电压)。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施:在晶闸管两端并接阻容吸收电路。2.交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程,会产生操作过电压。高压合闸的瞬间,由于初次级之间存在分布电容,初级高压经电容耦合到次级,出现瞬时过电压。措施:在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容,就可以减小这种过电压。与整流器并联的其它负载切断时,因电源回路电感产生感应电势的过电压。变压器空载且电源电压过零时,初级拉闸,因变压器激磁电流的突变,在次级感生出很高的瞬时电压,这种电压尖峰值可达工作电压的6倍以上。交流电网遭雷击或电网侵入干扰过电压,即偶发性浪涌电压,都必须加阻容吸收路进行保护。3.直流侧过电压及保护当负载断开时或快熔断时。大功率可控硅调压模块厂家淄博正高电气公司自成立以来,一直专注于对产品的精耕细作。

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    1.要学会核价,不管采购任何一种型号的双向可控硅模块,在采购前应熟悉它的价格组成,了解你的供应商所生产成品的原料源头价格,为自己的准确核价打下基础。这样谈判时,做到知已知彼,百战百胜。2.信息来源要广现今的社会是一个电子化的设备,作为采购人员要由不同的方面收集双向可控硅模块的采购信息,地域差别等。3.选择适合自己公司发展的双向可控硅供应商,一个好的供双向可控硅应商能跟随着你共同发展,为你的发展出谋划策,节约成本,管理供应商很省心;不好的供应商则为你的供应商管理带来很多的麻烦。4.采购人员的谈判技巧也是控制双向可控硅模块采购成本的一个重要环。5.看看该模块批量采购的重要性,任何人都懂得道理,批量愈大,所摊销的费用愈低。采购计划人员需把好此关。6.建立公司的采购信誉。条款必须按合同执行,如付款你可以拖一次、两次,但你决不能有第三次。失去诚信,别说控制双向可控硅模块成本,可能货都不会有人给你供。7.建立月度供应商评分制度,实行供应商配额制度,会收到你意想不到的效果。8.建立采购人员的月度绩效评估制度。可以激励采购员的工作积极性。9.有效的控制采购双向可控硅模块库存。避免停转产的风险及积压物资的风险。

    晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。(一)晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极(G)开路的条件下,在其阳极(A)与阴极(K)之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。(二)晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM,是指晶闸管在正向阻断时,允许加在A、K(或T1、T2)极间大的峰值电压。此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。(三)晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT,是指在规定环境温度和标准散热条件下,晶闸管正常工作时A、K(或T1、T2)极间所允许通过电流的平均值。(四)反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下,晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压,当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。(五)晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM,是指晶闸管在门极G断路时,允许加在A、K极间的大反向峰值电压。此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。。淄博正高电气以发展求壮大,就一定会赢得更好的明天。

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    使可控硅从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大,超过了可控硅的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于可控硅的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为可控硅可以看作是由三个PN结组成。在可控硅处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当可控硅阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果可控硅在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,可控硅误导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。因此,对加到可控硅上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大,确保可控硅安全运行,常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感),所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C电路在过渡过程中,因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅。同时,避免电容器通过可控硅放电电流过大,造成过电流而损坏可控硅。由于可控硅过流过压能力很差。淄博正高电气品质好、服务好、客户满意度高。滨州三相可控硅调压模块功能

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    可控硅模块现已众所周知了,跟多人都见过,可是您关于它了解多少呢,比方可控硅模块的应用领域有哪些?接下来可控硅模块供应商为您解说。可控硅模块分为单向可控硅和双向可控硅,广泛应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量巨细进行调整和改换的场合。如工业、通讯、**等各类电气控制、电源等,根据还可通过可控硅模块的控制端口与多功用控制板联接,完毕稳流、稳压、软启动等功用,并可完毕过流、过压、过温、缺相等保护功用。可控硅模块,咱们用专业的情绪,重视您纤细的问题,想客户之所想,急客户之所急,用非常的质量,填平您一分的忧虑。您若对咱们的可控硅模块有爱好或存在疑问,欢迎您咨询,咨询电话:,咱们等着您!上海单相可控硅调压模块配件

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