相信大家对于可控硅模块并不陌生了,现代在电气行业的不断发展,可控硅模块的使用范围越来越广,但是你对可控硅模块的了解有多少呢,它的主要参数有哪些你知道吗?下面为大家讲解。可控硅模块的主要参数有:(1)额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。(2)正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅模块两端的正向峰值电压。可控硅模块承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。(3)反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅模块两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。(4)控制极触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下,阳极——阴极间加有一定电压时,可控硅模块从关断状态转为导通状态所需要的较小控制极电流和电压。(5)维持电流IH在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的较小阳极正向电流。近年来,许多新型可控硅模块相继问世,如适于高频应用的快速可控硅模块,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅模块,可以用正触发信号使其导通。淄博正高电气公司地理位置优越,拥有完善的服务体系。贵州小功率晶闸管调压模块报价

推荐选择方法可按照以下公式计算:I>K×I负载×U∕U实际K:安全系数,阻性负载K=,感性负载K=2;I负载:负载流过的强大电流;U实际:负载上的小电压;U强大模块能输出的强大电压;(三相整流模块为输入电压的,单相整流模块为输入电压的,其余规格均为);I:需要选择模块的小电流,模块标称的电流必须大于该值。模块散热条件的好坏直接关系到产品的使用寿命和短时过载能力,温度越低模块的输出电流越大,所以在使用中必须配备散热器和风机,建议采用带有过热保护功能的产品,有水冷散热条件的优先选择水冷散热。经过严格测算,确定了不同型号的产品所应该配备的散热器型号,推荐采用厂家配套的散热器和风机,用户自备时按以下原则选取:1、轴流风机的风速应大于6m/s;2、必须能保证模块正常工作时散热底板温度不大于80℃;3、模块负载较轻时,可减小散热器的大小或采用自然冷却;4、采用自然方式冷却时散热器周围的空气能实现对流并适当增大散热器面积;5、紧固模块的螺钉必须拧紧,压线端子连接牢固,以减少次生热量的产生,模块底板和散热器之间必须要涂敷一层导热硅脂或垫上一片底板大小的导热垫,以达到良好散热效果。6、山东可控硅模块的安装与维护。湖北大功率晶闸管调压模块批发淄博正高电气全力打造良好的企业形象。

一般情况下阴极表面或芯片边缘有一烧损的小黑点说明是由于电压引起的,由电压引起烧坏晶闸管模块的原因有两中可能,一是晶闸管模块电压失效,就是我们常说的降伏,电压失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是线路问题,线路中产生了过电压,且对晶闸管模块所采取的保护措施失效。电流烧坏晶闸管模块通常是阴极表面有较大的烧损痕迹,甚至将芯片、管壳等金属大面积溶化。由di/dt所引起的烧坏晶闸管模块的现象较容易判断,一般部是门极或放大门极附近烧成一小黑点。我们知道晶闸管模块的等效电路是由两只可控硅构成,门极所对应的可控硅做触发用,目的是当触发信号到来时将其放大,然后尽快的将主可控硅导通,然而在短时间内如果电流过大,主可控硅还没有完全导通,大的电流主要通过相当于门极的可控硅流过,而此可控硅的承载电流的能力是很小的,所以造成此可控硅烧坏,表面看就是门极或放大门极附近烧成一小黑点。至于dv/dt其本身是不会烧坏晶闸管模块的,只是高的dv/dt会使晶闸管模块误触发导通,其表面现象跟电流烧坏的现象差不多。
可控硅模块的类型有很多种,比如:单向可控硅模块、双向可控硅模块等等,可控硅模块控制器是讲可控硅做为基础,它的工作效率很高,相应速度也很快,无噪音,它是一种以智能数字控制电路做的电源功率控制电器,它有什么特点?下面看正高来讲解。①可控硅模块控制器里面集成了75度超温保护报警设备,还有三相不平衡报警。②使用规范的MODBUSRTU通讯当做标配,应用阻燃型ABS外壳,更加的不易发生危险。③可控硅模块控制器里面应用,可以限流,另外还使用50和60赫兹切换设备,更具有应用价值。④里面使用12位AD转换器,做到了比较精细的调节。⑤可控硅模块控制器里面使用了**用级精密的电压传感器,能够做到过压和限压的保护,同时使用调压、调功和整流一体化的工艺,还拥有恒流控制、恒压控制以及恒功率控制。以上就是可控硅模块控制器的特点,它的优点很多,应用价值很大,效率高。淄博正高电气具备雄厚的实力和丰富的实践经验。

直流控制交流可以用可控硅模块来实现吗?可控硅模块的功能很强大,因此在电气行业以及生活中的应用都比较普遍,但是直流控制交流可以用可控硅模块来实现吗?想要知道就来看看接下来正高电气分享的这篇文章吧。可控硅模块可以用在交流电路中,也可以用在直流电路中。用于直流电路时使用直流下可关断可控硅,可控硅模块主回路的在导通情况下关断时,要满足主回路电流小于其维持电流的条件才能被关断,一般可控硅的维持电流在几毫安——几十毫安范围内。控制交流电路时,由于交流电流有过零时刻,可控硅主回路电流小于维持电流,因此能够满足关断条件。直流电路中也可以采用产生反向电流的电路使主回路电流瞬间小于维持电流,而被关断。用可控硅模块控制交流的应用很广,单结晶体管交流调压电路就是一种典型的交流调压电路。调压原理是:通过改变单结晶体管发出触发脉冲的导通角度来控制可控硅的导通时间,来实现交流调压。此电路中,单结晶体管是接在交流电路中的,通过半波整流和降压获取工作电源。可控硅模块通常在调压电路中,触发电路由控制电路产生,控制电路工作在直流电路中。其实,不必深究是否是直流控制交流,只要知道可控硅模块的控制原理就行了。选择淄博正高电气,就是选择质量、真诚和未来。海南进口晶闸管调压模块结构
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晶闸管模块控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?晶闸管触发电路的形式很多,常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路,等等。大家制作的调压器,采用的是单结晶体管触发电路。七、什么是单结晶体管模块?它有什么特殊性能呢?单结晶体管模块又叫双基极二极管,是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。在一块N型硅片两端,制作两个电极,分别叫做基极B1和第二基极B2;硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结,相当于一只二极管,在P区引出的电极叫发射极E。为了分析方便,可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB,称为基区电阻,并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变,具有可变电阻的特性。如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB,则A点的电压UA为:若发射极电压UE八、怎样利用单结晶体管模块组成晶闸管触发电路呢?单结晶体管模块组成的触发脉冲产生电路在大家制作的调压器中已经具体应用了。为了说明它的工作原理,我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图8)。贵州小功率晶闸管调压模块报价