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氮化铝基本参数
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  • HumiSeal,4A,东京测器
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  • 齐全
氮化铝企业商机

氮化铝基板材料热膨胀系数(4.6×10-6/K)与SiC芯片热膨胀系数(4.5×10-6/K)相近,导热率系数大(170-230W/m▪K),绝缘性能优异,可以适应SiC的应用要求,是搭载SiC半导体的理想基板材料。以往,氮化铝基板主要通过如下工艺制备:在氮化铝粉末中混合煅烧助剂、粘合剂、增塑剂、分散介质、脱模机等添加剂,通过挤出成型在空气中或氮等非氧化性气氛中加热到350-700℃而将粘合剂去除后(脱脂),在1800-1900℃的氮等非氧化性气氛中保持0.5-10小时的(煅烧)。该法制备氮化铝基板的缺陷:通过上述工艺制备出来的氮化铝基板材料,其击穿电压在室温下显示为30-40kV/mm左右的高绝缘性,但在400℃的高温下则降低到10kV/mm左右。在高温下具备优异绝缘特性的氮化铝基板的制备方法。通过该法可制备出耐高温氮化铝基板材料具有如下特点:氮化铝晶粒平均大小为2-5μm;热导率为170W/m▪K以上;不含枝状晶界相;在400℃下的击穿电压为30kV/mm以上。氮化铝是一种以共价键相连的物质,它有六角晶体结构,与硫化锌、纤维锌矿同形。绍兴电绝缘氮化硼厂家

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氮化铝的热传导机理:热导率,也即导热系数,作为衡量物质导热能力的量度,是导热材料很重要的性质之一。AIN属于共价化合物,其分子内部没有可自由移动的电子,因此热量的传递是以晶格振动这种形式来实现的,这种方式叫“声子传热”。晶体内部温度高的部分能量大,温度低的部分能量小,能量通过声子之间互相作用,从高能量向低能量发生传递,能量的迁移导致热量的传导。可以看到,把晶格内部的原子看成小球,这些小球之间彼此由弹簧(共价键)连接起来,从而每个原子的振动都要牵动周围的原子,使振动以弹性波的形式在晶体中传播。这种晶格振动产生的能量量子,即“声子”,声子相互作用使振动传递,从而使能量迁移,传导热量。湖州陶瓷氮化铝生产商氮化铝还是电绝缘体,介电性能良好,用作电器元件也很有希望。

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陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到陶瓷基片表面(单面或双面)上的特殊工艺板。氮化铝陶瓷基板是以氮化铝陶瓷为主要原材料制造而成的基板。氮化铝陶瓷基板作为一种新型陶瓷基板,具有导热效率高、力学性能好、耐腐蚀、电性能优、可焊接等特点,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。近年来,随着我国电子信息行业的快速发展,市场对陶瓷基板的性能要求不断提升,氮化铝陶瓷基板凭借其优异的特征,其应用范围不断扩展。氮化铝陶瓷基板应用领域较广,涉及到汽车电子、光电通信、航空航天、消费电子、LED、轨道交通、新能源等多个领域,但受生产工艺、技术水平、市场价格等因素的影响,目前我国氮化铝陶瓷基板应用范围仍较窄,主要应用在制造业领域。相比与氧化铝陶瓷基板,氮化铝陶瓷基板性能优异,随着市场对基板性能的要求不断提升,未来我国氮化铝陶瓷基板行业发展空间广阔。

由于AlN基板不具有电导性,因此在用作大功率LED散热基板之前必须对其表面进行金属化和图形化。但AlN与金属是两类物理化学性质完全不同的材料,两者差异表现很为突出的就是形成化合物的成键方式不同。AlN是强共价键化合物,而金属一般都表现为金属键化合物,因此与其它化学键的化合物相比,在高温下AlN与金属的浸润性较差,实现金属化难度较高。因此,如何实现AlN基板表面金属化和图形化成为大功率LED散热基板发展的一个至关重要问题。目前使用很较广的AlN基板金属化的方法主要有:机械连接法、厚膜法、活性金属钎焊法、共烧法、薄膜法、直接覆铜法。氮化铝可以抵抗大部分融解的盐的侵袭,包括氯化物及冰晶石〔即六氟铝酸钠〕。

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活性金属钎焊法是在普通钎料中加入一些化学性质较为活泼的过渡元素如:Ti、Zr、Al、Nb、V等。一定温度下,这些活泼元素会与陶瓷基板在界面处发生化学反应,形成反应过渡层,如图7所示。反应过渡层的主要产物是一些金属间化合物,并具有与金属相同的结构,因此可以被熔化的金属润湿。共烧法是通过丝网印刷工艺在AlN陶瓷生片表面涂刷一层难熔金属(Mo、W等)的厚膜浆料,一起脱脂烧成,使导电金属与AlN陶瓷烧成为一体结构。共烧法根据烧结温度的高低可分为低温共烧(LTCC)和高温共烧(HTCC)两种方式,低温共烧基板的烧结温度一般为800-900℃,而高温共烧基板的烧结温度为1600-1900℃。烧结后,为了便于芯片引线键合及焊接,还需在金属陶瓷复合体的金属位置镀上一层Sn或Ni等熔点较低的金属。高温自蔓延法和低温碳热还原合成工艺是很有发展前景的氮化铝粉末合成方法。嘉兴多孔氮化铝粉体供应商

结晶氮化铝易潮解,在湿空气中水解生成氯化氢白色烟雾。绍兴电绝缘氮化硼厂家

氮化铝陶瓷是一种综合性能优良的新型陶瓷材料,具有优良的热传导性,可靠的电绝缘性,低的介电常数和介电损耗,无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良特性,被认为是新一代高集成度半导体基片和电子器件的理想封装材料。另外,氮化铝陶瓷可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、蒸发舟、热电偶的保护管、高温绝缘件,同时可作为耐高温耐腐蚀结构陶瓷、透明氮化铝陶瓷制品,因而成为一种具有较广应用前景的无机材料。陶瓷的透明度,一般指能让一定的电磁频率范围内的电磁波通过,如红外频谱区域中的电磁波若能穿透陶瓷片,则该陶瓷片为红外透明陶瓷。纯净的AlN陶瓷为无色透明晶体,具有优异的光学性能,可以用作制造电子光学器件装备的高温红外窗口和整流罩的耐热涂层。因此,氮化铝陶瓷在方面具有很好的应用。绍兴电绝缘氮化硼厂家

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