将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。 盟科电子有做SOT-23场效应管。深圳IC保护场效应管销售厂家
让氮气把焊料与空气隔绝开来，这样就大为减少浮渣的产生。目前较好的方法是在氮气保护下使用含磷的焊料，可将浮渣率控制在**低的程度，焊接缺陷**少。在SMT工艺中回流焊工序，焊膏在使用中也会不断氧化，其中的金属含量越来越低，或者其中的助焊剂变少，也会造成虚焊。合理选用回流温度曲线，可降低虚焊的产生。焊料与PCB金属层，焊料与元件脚金属层之间的匹配不当，也会造成虚焊。有铅焊料与无铅焊端混用时，如果采用有铅焊料的温度曲线，有铅焊料先熔，而无铅焊端不能完全熔化，使元件一侧的界面不能生成良好的金属间合金层，因此有铅焊料与无铅焊端混用时焊接质量**差。在这种情况下，可提高焊接温度，一般提高到230～235℃就可以了。4其他因素造成虚焊及其预防1）波峰焊和回流焊焊料降温凝固的过程中，PCBA抖动产生扰动的焊点，其强度低，在客户使用中焊点极易开路出现故障，电子装联中，也常把这种情况归在虚焊的范畴。2）当PCBA存在较大的弯曲时，产品装配中，将其固定在机箱的底座上，PCBA被强制平整，产生应力，焊点随时间将产生裂纹，导致开路。（严格讲，这应该是焊点后期失效，属广义的虚焊了）。预防的方法是采用平整度合格的PCB。大23场效应管价钱盟科有插件封装形式的MOS管。
PCB变形一般有两种情况：一是来料变形，把好进料关，对PCB按标准验收。PCB板翘曲度标准请参考IPC-A-600G第平整度标准:对于表面安装元件(如SMT贴装)的印制板其扭曲和弓曲标准为不大于.测试方法参考，其可焊性指标也不尽相同，倘若可焊性指标不合格，也是造成虚焊的一大原因。部分PCB在回流焊接中高温时段发生翘曲变形，降温后回复平整，造成虚焊，并且造成较大应力，焊点后期失效的可能性很大。3助焊剂、焊料因素引起的虚焊及其预防助焊剂原因引起虚焊及预防在THT或SMT、THT混装工艺中，波峰焊前要进行助焊剂涂覆，助焊剂性能不良将不能有效去除元件焊面与PCB插装孔、焊盘上的氧化物，导致焊点虚焊。这在更换助焊剂厂家或型号时，应加以特别注意。特别是采用新型号助焊剂时，应做焊接试验。助焊剂要常检查浓度，要按工艺规程更新。焊料因素引起的虚焊及其预防在波峰焊工序中，锡铅焊料在250℃高温下不断氧化，使焊料的含锡量不断下降，偏离共晶点，导致焊料流动性差，出现虚焊和焊点强度不够。可采用下面的方法来解决。添加氧化还原剂，使已氧化的SnO还原成Sn，减小锡渣的产生；不断除去焊料浮渣；每次焊接前添加一定量的锡；采用含有抗氧化磷的焊料。采用氮气保护焊接。
场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不要向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。盟科有插件封装形式的场效应管。
场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件，但是两者存在本质的区别。场效应管包括结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET。而晶闸管一般是指可控硅，可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极，分别为栅极G、源极S和漏极D，其中栅极G为控制端，源极S和漏极D为输出端。PMOS的衬底为N型半导体，在VGS《0时，会形成P沟道，所以叫做P沟道MOS；而NMOS的衬底为P型半导体，在VGS》0时，会形成N沟道，所以叫做N沟道MOS。MOS管是电压驱动型的器件，主要用作可控整流、功率开关、信号放大等，应用比较多方面。MOS管的通道依靠VGS的电平，对于NMOS而言，VGS》0时，NMOS导通，否则NMOS截止；对于PMOS而言，VGS《0，PMOS导通，否则截止。晶闸管又称可控硅，其与场效应管一样，皆为半导体器件，它们的外形封装也基本一样，但它们在电路中的用途却不一样。 盟科有TO封装形式的场效应管。深圳小家电场效应管销售厂
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结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。 深圳IC保护场效应管销售厂家
深圳市盟科电子科技有限公司主要经营范围是电子元器件，拥有一支专业技术团队和良好的市场口碑。公司业务分为MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器等，目前不断进行创新和服务改进，为客户提供良好的产品和服务。公司将不断增强企业重点竞争力，努力学习行业知识，遵守行业规范，植根于电子元器件行业的发展。在社会各界的鼎力支持下，持续创新，不断铸造***服务体验，为客户成功提供坚实有力的支持。
