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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

长久键合系统 EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来,立即在业内掀起了市场**。利用高温和受控气体环境下的高接触力,这种新颖的方法已成为当今的工艺标准,EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供蕞/佳的总拥有成本(TCO),并具有多种设计功能,可优化键合良率。针对MEMS,3D集成或gao级封装的不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。 同时,EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。上海键合机保修期多久

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临时键合系统:临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3DIC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。SOI键合机原理以上应用工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。

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BONDSCALE™自动化生产熔融系统启用3D集成以获得更多收益特色技术数据EVGBONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广fan的熔融/分子晶圆键合应用,包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法,例如单片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中,并帮助解决内部设备和系统路线图(IRDS)中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术,与现有的熔融键合平台相比,BONDSCALE大da提高了晶圆键合生产率,并降低了拥有成本(CoO)。

目前关于晶片键合的研究很多,工艺日渐成熟,但是对于表面带有微结构的硅片键合研究很少,键合效果很差。本文针对表面带有微结构硅晶圆的封装问题,提出一种基于采用Ti/Au作为金属过渡层的硅—硅共晶键合的键合工艺,实现表面带有微结构硅晶圆之间的键合,解决键合对硅晶圆表面要求极高,环境要求苛刻的问题。在对金层施加一定的压力和温度时,金层发生流动、互融,从而形成键合。该过程对金的纯度要求较高,即当金层发生氧化就会影响键合质量。晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机。

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EVG®560自动晶圆键合机系统全自动晶圆键合系统,用于大批量生产特色技术数据EVG560自动化晶圆键合系统蕞多可容纳四个键合室,并具有各种键合室配置选项,适用于所有键合工艺和蕞/大300mm的晶圆。EVG560键合机基于相同的键合室设计,并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能,可提供高产量的生产键合。机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。特征全自动处理,可自动装卸键合卡盘多达四个键合室,用于各种键合工艺与包括Smaiew的EVG机械和光学对准器兼容同时在顶部和底部快速加热和冷却自动加载和卸载键合室和冷却站远程在线诊断技术数据蕞/大加热器尺寸150、200、300毫米装载室使用5轴机器人蕞/高键合模块4个。EVG键合机的特征有:压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。EVG805键合机推荐型号

我们在不需重新配置硬件的情况下,EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB(硅的直接键合)预键合。上海键合机保修期多久

ZiptronixInc.与EVGroup(简称“EVG”)近日宣布已成功地在客户提供的300毫米DRAM晶圆实现亚微米键合后对准精度。方法是在EVGGeminiFB产品融合键合机和SmartViewNT键合对准机上采用Ziptronix的DBI混合键合技术。这种方法可用于制造各种应用的微间距3D集成电路,包括堆栈存储器、上等图像传感器和堆栈式系统芯片(SoC)。Ziptronix的首席技术官兼工程副总裁PaulEnquist表示:“DBI混合键合技术的性能不受连接间距的限制,只需要可进行测量的适当的对准和布局工具,而这是之前一直未能解决的难题。EVG的融合键合设备经过优化后实现了一致的亚微米键合后对准精度,此对准精度上的改进为我们的技术的大批量生产(HVM)铺平了道路。”上海键合机保修期多久

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