直流磁控溅射所用的电源是直流高压电源，通常在300～1000V，特点是溅射速率快，造价低，后期维修保养廉价。可是只能溅射金属靶材，假如靶材是绝缘体，随着溅射的深化，靶材会聚集很多的电荷，导致溅射无法持续。因而关于金属靶材通常用直流磁控溅射，因为造价廉价，结构简略，目前在工业上使用普遍。脉冲磁控溅射是采用脉冲电源或者直流电源与脉冲生成装置配合，输出脉冲电流驱动磁控溅射沉积。一般使用矩形波电压，既容易获得又有利于研究溅射放电等离子体的变化过程。工作模式与中频溅射。在各种溅射镀膜技术中，磁控溅射技术是较重要的技术之一。天津多层磁控溅射设备
磁控溅射的材料性能：如果靶材是磁性材料，磁力线被靶材屏蔽，磁力线难以穿透靶材在靶材表面上方形成磁场，磁控的作用将大幅度降低。因此，溅射磁性材料时，一方面要求磁控靶的磁场要强一些，另一方面靶材也要制备的薄一些，以便磁力线能穿过靶材，在靶面上方产生磁控作用。磁控溅射设备一般根据所采用的电源的不同又可分为直流溅射和射频溅射两种。直流磁控溅射的特点是在阳极基片和阴极靶之间加一个直流电压，阳离子在电场的作用下轰击靶材，它的溅射速率一般都比较大。山西单靶磁控溅射方案磁控溅射是在低气压下进行高速溅射,为此需要提高气体的离化率。
真空磁控溅射镀膜技术的特点：1、沉积速率大：由于采用高速磁控电极，可获得的离子流很大，有效提高了此工艺镀膜过程的沉积速率和溅射速率。与其它溅射镀膜工艺相比，磁控溅射的产能高、产量大、于各类工业生产中得到普遍应用。2、功率效率高：磁控溅射靶一般选择200V-1000V范围之内的电压，通常为600V，因为600V的电压刚好处在功率效率的较高有效范围之内。3、溅射能量低：磁控靶电压施加较低，磁场将等离子体约束在阴极附近，可防止较高能量的带电粒子入射到基材上。
磁控溅射体系设备的稳定性，对所生成的膜均匀性、成膜质量、镀膜速率等方面有很大的影响。磁控溅射体系设备的溅射品种有许多，按照运用的电源分，能够分为直流磁控溅射，射频磁控溅射，中频磁控溅射等等。溅射涂层开始显示出简略的直流二极管溅射。它的优点是设备简略，但直流二极管溅射堆积速率低；为了坚持自我约束的排放，它不能在低压下进行；它不能溅射绝缘材料。这样的缺陷约束了它的运用。在直流二极管溅射设备中添加热阴极和辅佐阳极可构成直流三极管溅射。由添加的热阴极和辅佐阳极发生的热电子增强了溅射气体原子的电离作用，因而即便在低压下也能够进行溅射。不然，能够下降溅射电压以进行低压溅射。在低压条件下；放电电流也会添加，并且能够不受电压影响地单独操控。在热阴极之前添加电极（网格状）以形成四极溅射装置能够稳定放电。可是，这些装置难以获得具有高浓度和低堆叠速度的等离子体区域，因而其尚未在工业中普遍运用。物相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。
脉冲磁控溅射的工作原理：脉冲磁控溅射是采用矩形波电压的脉冲电源代替传统直流电源进行磁控溅射沉积。脉冲溅射可以有效地抑制电弧产生进而消除由此产生的薄膜缺陷，同时可以提高溅射沉积速率，降低沉积温度等一系列明显的优点，是溅射绝缘材料沉积的优先选择工艺过程。在一个周期内存在正电压和负电压两个阶段，在负电压段，电源工作于靶材的溅射，正电压段，引入电子中和靶面累积的正电荷，并使表面清洁，裸露出金属表面。加在靶材上的脉冲电压与一般磁控溅射相同!为400~500V,电源频率在10~350KHz，在保证稳定放电的前提下，应尽可能取较低的频率#由于等离子体中的电子相对离子具有更高的能动性，因此正电压值只需要是负电压的10%~20%，就可以有效中和靶表面累积的正电荷。占空比的选择在保证溅射时靶表面累积的电荷能在正电压阶段被完全中和的前提下，尽可能提高占空，以实现电源的较大效率。真空磁控溅射镀膜这种工艺可以沉积任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜。福建单靶磁控溅射原理
真空磁控溅射镀膜技术所镀玻璃多用于建筑玻璃和汽车玻璃这两大用处。天津多层磁控溅射设备
影响磁控溅射镀膜结果的因素：1、溅射功率的影响，在基体和涂层材料确定的情况下,工艺参数的选择对于涂层生长速率和涂层质量都有很大的影响.其中溅射功率的设定对这两方面都有极大的影响。2、气压的影响，磁控溅射是在低气压下进行高速溅射，为此需要提高气体的离化率，使气体形成等离子体。在保证溅射功率固定的情况下，分析气压对于磁控溅射的影响。磁控溅射镀膜的产品优点：1、几乎所有材料都可以通过磁控溅射沉积；2、可以根据基材和涂层的要求缩放光源并将其放置在腔室中的任何位置；3、可以沉积合金和化合物的薄膜,同时保持与原始材料相似的组成.磁控溅射镀膜的产品特点1、磁控溅射所利用的环状磁场迫使二次电子跳栏式地沿着环状磁场转圈.相应地,环状磁场控制的区域是等离子体密度较高的部位。天津多层磁控溅射设备
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