而这正是所希望的结果。在正常工作状态,电路内部的**取样电阻对负载电流周期性地进行采样,因此避免了因过流导致灾难性后果出现。因此,内部过热保护电路为变换器提供了安全工作区(SAO)。其中MAX668是一个开关控制器,由它完成升压功能。电流反馈型升压控制器(MAX668)驱动低端逻辑电平N沟道增强型MOSFET,该开关管通过低端...
查看详细 >>所描述的实施例**是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。请参阅图1-3,本实用新型提供一种技术方案:一种低压供配电变电装置,包括柜体1、***凹槽2、防震块3、缓冲块4、第二凹槽5、收纳箱6、第三凹槽7、孔洞8...
查看详细 >>学习目标:能正确识别、选择、安装、使用低压熔断器,掌握其功能、基本结构、工作原理及型号含义,熟记其图形符号和文字符号一、熔断器的结构与主要技术参数1.熔断器的结构熔体是熔断器的**,常做成丝状、片状或栅状,制作熔体的材料一般有铅锡合金、锌、铜、银等。熔管是熔体的保护外壳,用耐热绝缘材料制成,在熔体熔断时兼有灭弧作用。熔座是熔断...
查看详细 >>***禁止用隔离开关接通或切断回路负荷电流。(2)线路停送电操作:1)线路送电时,应从电源侧进行,在检查断路器确在断开位置后,按先合上母线侧隔离开关,再合上线路侧(负荷侧)隔离开关,**后合上断路器的顺序操作。2)线路停电时,应从负荷侧进行,拉开断路器后,检查断路器确在断开位置,然后拉开负荷侧隔离开关,**后拉开母线侧隔离开关...
查看详细 >>并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。组合成:“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号,如:四象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等;四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600...
查看详细 >>④电压相等(允许电压偏差不大于10%)。2)停用并列点断路器的重合闸连接片。3)进行解列操作时,应将解列点的有功潮流调至零,无功调至**小,应防止操作过电压(电压波动不大于10%)。解列后检查各系统电压、频率是否正常。5.倒闸操作的技术要求(1)断路器操作:1)一般情况下,电动合闸的断路器,不应手动合闸。2)远方操作断路器时,操作控制开关...
查看详细 >>整流桥模块的作用是什么:整流桥模块的功能,是将由交流配电单元提供的交流电,变换成48V或者24V直流电输出到直流配电单元。采用谐振电压型双环控制的谐振开关电源技术,具有稳压精度高、动态响应快的特点。整流模块内置MCU,全智能控制,可实现单机或多机并联运行。模块可以带电热插拔,日常维护方便快捷。采用多级吸收,具有过压、欠压、短路、过流、过热...
查看详细 >>不得在带电压下就地手动操作,以免失去电气闭锁,或因分相操作引起非对称开断,影响继电保护的正常运行。4)分相操作隔离开关,拉闸应先拉中相,后拉边相;合闸操作相反。5)隔离开关经操作后,必须检查其开、合的位置;合闸时检查三相刀片接触良好,拉开时三相断开角度符合要求。以防由于操动机构发生故障或调节不当,出现操作后未全拉开和未全合上的不一致现象。...
查看详细 >>④电压相等(允许电压偏差不大于10%)。2)停用并列点断路器的重合闸连接片。3)进行解列操作时,应将解列点的有功潮流调至零,无功调至**小,应防止操作过电压(电压波动不大于10%)。解列后检查各系统电压、频率是否正常。5.倒闸操作的技术要求(1)断路器操作:1)一般情况下,电动合闸的断路器,不应手动合闸。2)远方操作断路器时,操作控制开关...
查看详细 >>1.倒闸操作的概念当电气设备由一种状态转换到另一种状态或改变电力系统的运行方式时,需要进行一系列的操作,这种操作叫做电气设备的倒闸操作。2.电气设备状态(1)运行状态:指设备的断路器及隔离开关都在合闸位置,将电源至受电端间的电路接通(包括辅助设备,如电压互感器、避雷器等)。(2)热备用状态:指设备的断路器在断开位置,而隔离开关在合闸位置,...
查看详细 >>设计时应注意以下几点:①IGBT栅极耐压一般在±20V左右,因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护,通常的做法是在栅极并联稳压二极管或者电阻。前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin,从而影响开关速度,后者的缺陷是将减小输入阻抗,增大驱动电流,使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小,但由于MOSFET存在输入电容Cin...
查看详细 >>设计时应注意以下几点:①IGBT栅极耐压一般在±20V左右,因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护,通常的做法是在栅极并联稳压二极管或者电阻。前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin,从而影响开关速度,后者的缺陷是将减小输入阻抗,增大驱动电流,使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小,但由于MOSFET存在输入电容Cin...
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