④电压相等(允许电压偏差不大于10%)。2)停用并列点断路器的重合闸连接片。3)进行解列操作时,应将解列点的有功潮流调至零,无功调至**小,应防止操作过电压(电压波动不大于10%)。解列后检查各系统电压、频率是否正常。5.倒闸操作的技术要求(1)断路器操作:1)一般情况下,电动合闸的断路器,不应手动合闸。2)远方操作断路器时,操作控制开关...
查看详细 >>⑿脉冲输出:六路带调制的触发脉冲隔离输出;脉冲宽度:2个20°宽脉冲列、间隔60°;脉冲调制频率10KHZ;各相脉冲不对称度:≤°;脉冲电流峰值:>800mA⒀PID动态响应时间≤10ms,超调量≤1%。⒁有回零保护、软起动、急停功能。⒂比较大外形尺寸:235㎜×180㎜×50㎜。三相晶闸管触发板三相晶闸管触发板应用技术编辑◆独有三相不平...
查看详细 >>改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。1:小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。额定电流:IA小于2A。2:大;功率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。3:大功率高频可控硅通常用作工业中;高频熔炼炉等。可控硅鉴别编辑可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种,螺旋式的应用较多。可...
查看详细 >>以及在移动时不能对内部零件进行缓冲导致损坏的问题,为此本案设计一种低压供配电变电装置。技术实现要素:本实用新型的目的在于提供一种低压供配电变电装置,以解决上述背景技术中提出的现有市面上的低压供配电变电装置由于大多固定在室外,不能有效解决环境的变化而导致的温度上升,导致低压供配电变电装置散热装故障率增多,尘土较多,容易缩短使用寿命,不能有效...
查看详细 >>美国通用电气公司研发了世界上***个以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器(SR),1957年又开发了全球较早用于功率转换和控制的可控硅整流器(SCR)。由于它们具有体积小、重量轻、效率高、寿命长的优势,尤其是SCR能以微小的电流控制较大的功率,令半导体电力电子器件成功从弱电控制领域进入了强电控制领域、大功率控制领域。在整流器的应用上,晶闸管...
查看详细 >>高压熔断器熔断资料高压熔断器熔断讨论高压熔断器熔断视频高压熔断器熔断专题为您提供高压熔断器熔断的相关资料与视频课程,您可以下载高压熔断器熔断资料进行参考,观看相关视频课程提升技能。更多内容请查看筑龙学社电气工程热点推荐。高压熔断器立即下载等级:文件122KB格式pdf内容简介熔断器以其优异的保护性能成为配电设备及线路过载和短路电流故障的优...
查看详细 >>一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。中文名整流二极管外文名rectifierdiode类别半导体器件特性单方向导电电流流向正极流入,负极流出包含PN结,有正极和负极两个端子损坏原因运行条件恶劣、运行管理欠佳等...
查看详细 >>但输出基频就不到50HZ了,再把8010的18脚接高电平,也就是接成原60HZ的形式,这时实际输出就为50HZ了。这个方法,得到了屹晶公司许工的认可。经过和神八兄多次的策划,大约花了一个月左右的“空闲”时间,我终于做出了***块驱动板,见下面的图片,板子还是比较大的,长16CM,宽。这块驱动板元器件特别多,有280个左右的元件...
查看详细 >>如果把左边从下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的话,那么右边从下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成为反向,它们之间正好是一正一反地并联在一起。我们把这种联接叫做反向并联。因此,从电路功能上可以把它等效成图3(c),也就是说,一个双向晶闸管在电路中的作用是和两只普通晶闸管反向并联起来等效的。这也正是双向晶闸管为什么会有双向控制...
查看详细 >>逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司(RCA)生产的S3900MF,其外形见图1(c)。它采用TO-220封装,三个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。S3900MF的主要参数如下:断态重复峰值电压VDRM:>750V通态平均电流IT(AV):5A**大通态电压VT:3V(IT=30A)**大反向导通电压VTR:<**大门极触...
查看详细 >>二、熔断器的选用1.熔断器类型的选用根据使用环境、负载性质和短路电流的大小选用适当类型的熔断器。2.熔断器额定电压和额定电流的选用熔断器的额定电压必须等于或大于线路的额定电压。熔断器的额定电流必须等于或大于所装熔体的额定电流。3.熔体额定电流的选用(1)对照明和电热等的短路保护,熔体的额定电流应等于或稍大于负载的额定电流。(2)对一台不经...
查看详细 >>设计时应注意以下几点:①IGBT栅极耐压一般在±20V左右,因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护,通常的做法是在栅极并联稳压二极管或者电阻。前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin,从而影响开关速度,后者的缺陷是将减小输入阻抗,增大驱动电流,使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小,但由于MOSFET存在输入电容Cin...
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