摘要:纯电动汽车的驱动部分及高压附件系统的电源均为动力电池电源,为保护车辆及乘员安全,相关动力电池电源回路均选用相应熔断器作为短路保护的措施。本文主要从熔断器寿命校核,冲击电流对熔断器影响,熔断器分断能力等方面,阐述纯电动汽车直流高压熔断器的选型原则及验证方法。纯电动汽车的动力电池电源电压多在200~400V,除动力电池总熔断器外,还存在...
查看详细 >>1.倒闸操作的概念当电气设备由一种状态转换到另一种状态或改变电力系统的运行方式时,需要进行一系列的操作,这种操作叫做电气设备的倒闸操作。2.电气设备状态(1)运行状态:指设备的断路器及隔离开关都在合闸位置,将电源至受电端间的电路接通(包括辅助设备,如电压互感器、避雷器等)。(2)热备用状态:指设备的断路器在断开位置,而隔离开关在合闸位置,...
查看详细 >>禁止用隔离开关接通或切断回路负荷电流。(2)线路停送电操作:1)线路送电时,应从电源侧进行,在检查断路器确在断开位置后,按先合上母线侧隔离开关,再合上线路侧(负荷侧)隔离开关,**后合上断路器的顺序操作。2)线路停电时,应从负荷侧进行,拉开断路器后,检查断路器确在断开位置,然后拉开负荷侧隔离开关,**后拉开母线侧隔离开关。3)较长线路的停...
查看详细 >>所以依据这一点可以确定这一电路是为了稳定电路中A点的直流工作电压。3)电路中有多只元器件时,一定要设法搞清楚实现电路功能的主要元器件,然后围绕它进行展开分析。分析中运用该元器件主要特性,进行合理解释。二极管温度补偿电路及故障处理众所周知,PN结导通后有一个约为(指硅材料PN结)的压降,同时PN结还有一个与温度相关的特性:PN结导通后的压降...
查看详细 >>所述第六电容c6的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd。具体地,所述第二电感l2连接于所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd与信号地管脚gnd之间。需要说明的是,本实施例增加所述电源地管脚bgnd实现整流桥的接地端与所述逻辑电路122的接地端分开,通过外置电...
查看详细 >>④电压相等(允许电压偏差不大于10%)。2)停用并列点断路器的重合闸连接片。3)进行解列操作时,应将解列点的有功潮流调至零,无功调至**小,应防止操作过电压(电压波动不大于10%)。解列后检查各系统电压、频率是否正常。5.倒闸操作的技术要求(1)断路器操作:1)一般情况下,电动合闸的断路器,不应手动合闸。2)远方操作断路器时,操作控制开关...
查看详细 >>操作前应考虑合环点两侧的相角差和电压差,并估算合环潮流保证不超过环流限额。2)解环操作应先检查解环点的有功、无功潮流,以确保解环后系统各部分电压在规定范围内,各环潮流的变化不超过继电保护,系统稳定和设备容量等方面的限额。(9)冲击合闸、零起升压操作:变压器、母线等设备在新安装投入运行前、大修后和故障跳闸后均应按有关规定进行全电...
查看详细 >>本实用新型涉及抵压供配电变电装置技术领域,具体为一种低压供配电变电装置。背景技术:随着现代经济的不断发展,时代的不断进步,低压配电系统由配电变电所构成,低压配电系统一般安装于户外,户外的恶劣天气会导致传统的低压供配电变电装置散热效率低,同时接地保护不足,从而一定程度上会影响使用稳定性和使用寿命。现在**(公告号:cnu)公开了...
查看详细 >>我们该如何更好地区保护晶闸管呢?在使用过程中,晶闸管对过电压是很敏感的。过电流同样对晶闸管有极大的损坏作用。西安瑞新公司给大家介绍晶闸管的保护方法,具体如下:1、过电压保护晶闸管对过电压很敏感,当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通,引发电路故障;当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时,...
查看详细 >>图4为初选某品牌35A熔断器的时间-电流特性,在图4的基础上,比对尖峰电流的持续时间及峰值。图4(左)某品牌35A熔断器时间-电流特性图5(右)实测冲击电流图5为用示波器配合电流互感器测得负载的冲击电流波形,1V对应电流值25A。黑色波形为示波器电流探头测得波形,已超探头量程,不具有参考意义,从蓝色波形可以计算出该冲击电流的峰...
查看详细 >>常用铅锡合金和锌等低熔点金属做成圆截面熔丝...ATA-2022高压放大器_高压放大器价格_高压放大器购买来源:仪器仪表技术专区查看:1078回复:0ATA-2022高压放大器_高压放大器价格_高压放大器购买ATA-2022高压放大器170VP-P双通道•输出电压170Vp-p(±85V)•输出电流500mA•功率•带宽(-3dB)DC~...
查看详细 >>设计时应注意以下几点:①IGBT栅极耐压一般在±20V左右,因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护,通常的做法是在栅极并联稳压二极管或者电阻。前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin,从而影响开关速度,后者的缺陷是将减小输入阻抗,增大驱动电流,使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小,但由于MOSFET存在输入电容Cin...
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