逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司(RCA)生产的S3900MF,其外形见图1(c)。它采用TO-220封装,三个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。S3900MF的主要参数如下:断态重复峰值电压VDRM:>750V通态平均电流IT(AV):5A**大通态电压VT:3V(IT=30A)**大反向导通电压VTR:<**大门极触...
查看详细 >>双向晶闸管的伏安特性见图3,由于正、反向特性曲线具有对称性,所以它可在任何一个方向导通。从晶闸管的内部分析工作过程:晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图一,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图二.当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻...
查看详细 >>整流桥的作用就是能够通过二极管的单向导通的特性将电平在零点上下浮动的交流电转换为单向的直流电,通常电源中采用的整流桥除了这种单颗集成式的还有采用四颗二极管实现的,它们的原理完全相同作用就是整流,把交流电变为直流电。实质上就是把4个硅二极管接成桥式整流电路之后封装在一起用塑料包装起来,引出4个脚,其中2个脚接交流电源,用~~符号表示,2个脚...
查看详细 >>图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P+和P一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannelregion)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Draininjec...
查看详细 >>便于根据线路的大小调节固定带的长度,固定完毕后,将托板由滑块在第三凹槽内部滑动,滑动到孔洞位置时,对托板进行固定;3、该低压供配电变电装置设置有固定腿和散热风扇,通过安装在滤网盖底部的固定腿,将固定腿塞入柜体内壁中,卡扣通过卡扣底部的弹簧与滑动槽构成滑动结构,从而使卡扣在卡扣底部弹簧的作用下在滑动槽内部进行滑动,固定腿与卡扣构...
查看详细 >>1常规高压系统方案介绍在不考虑动力电池内部结构、充电系统、动力电池热管理系统的前提下,一般纯电动汽车高压附件系统设计回路见图1。从图1可知,动力电源主回路需要总熔断器1只,其余分系统需单独设置熔断器。总体来看,至少选用4~5只直流系列,额定电压在400V以上的熔断器,才能满足车辆的基本功能需求。图1纯电动汽车高压附件系统设计回路2直流高压...
查看详细 >>使MAX668的输出电压一直高于MAX810的复位门槛电压。假如R、C使Q1的导通时间延长,同时也延长了关断时间。因此需要在电阻上并联一肖特基二极管,以加速当负载过载时关闭Q1的进程。为了获得增强型通道及较低的导通电阻,上述电路均需要采用逻辑电平控制的P沟道MOSFET,如果Q1的导通电阻值较大且在其两端产生较大的压降(特别是低输出电压应...
查看详细 >>户内式高压熔断器户内高压熔断器全部是限流型熔断器,其主要部分为熔管和熔体,熔管内配置有瓷柱,瓷柱上等间距绕有熔体,熔管的两端配置有压帽,其间填充有石英砂以RN1型为典型**的设计序号为奇数系列的熔断器,用于3~35kV的电力线路和电气设备的过载和短路保护;以RN2型为**的设计序号为偶数系列的熔断器,电压互感器专门用来保护电压互感器从3到...
查看详细 >>其闸流特性表现为当可控硅加上正向阳极电压的同时又加上适当的正向控制电压时,可控硅就导通;这一导通即使在撤去门极控制电压后仍将维持,一直到加上反向阳极电压或阳极电流小于可控硅自身的维持电流后才关断。普通的可控硅调光器就是利用可控硅的这一特性实现前沿触发相控调压的。在正弦波交流电过零后的某一时刻t1(或某一相位角wt1),在可控硅控制极上加一...
查看详细 >>整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路,选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。整流桥作为一种功率元器件,非常***。应用于各种电源设备。其内部主要是由四个二极...
查看详细 >>完成一组电气设备的倒闸操作任务。(5)消弧线圈操作:1)拉、合消弧线圈的隔离开关前,必须检查该系统确无接地故障,防止带接地电流拉、合消弧线圈的隔离开关。2)消弧线圈在两台变压器中性点之间切换时应先拉后合,即任何时间不得将两台变压器中性点并列使用消弧线圈。(6)断路器操作:1)断路器合闸前,应检查继电保护,自动装置已按规定投入;断路器合闸后...
查看详细 >>二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。...
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