深圳市嘉兴南电科技有限公司自 2012 年成立,深耕芯片研发设计领域十余载,凭借深厚的行业经验与技术沉淀,其自主品牌 JXND 已树立良好品牌形象。 公司业务聚焦二三级管、MOS 管、桥堆、可控硅等芯片的研发设计与生产,构建了专业的产品体... [ 查看详细 >> ]
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MOS管场效应管的击穿电压,MOS管场效应管
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场效应管运放是指采用场效应管作为输入级的运算放大器,嘉兴南电的 MOS 管为高性能运放设计提供了理想选择。与双极型晶体管输入级相比...
MB10F 桥堆作为 1A/1000V 的贴片式全桥整流组件,在嘉兴南电的产品线中是小功率电源的理想选择。其采用 SOP-4 封装...
场效应管的 d 极(漏极)是电流流出的电极,在电路中起着重要作用。对于 n 沟道 MOS 管,当栅极电压高于源极电压时,漏极和源极...