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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG键合机加工结果 除支持晶圆级和先进封装,3D互连和MEMS制造外,EVG500系列晶圆键合机(系统)还可用于研发,中试或批量生产。它们通过在高真空,精确控制的准确的真空,温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计,可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。 模块设计 各种键合对准(对位)系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接(实时)或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。EVG键合机可使用适合每个通用键合室的砖用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。EV Group键合机键合精度

EV Group键合机键合精度,键合机

EVG®6200键合机选件 自动对准 红外对准,用于内部基板键对准 NanoAlign®包增强加工能力 可与系统机架一起使用 掩模对准器的升级可能性 技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架:可选 隔振:被动 对准方法 背面对准:±2µm3σ 透明对准:±1µm3σ 红外校准:选件 对准阶段 精密千分尺:手动 可选:电动千分尺 楔形补偿:自动 基板/晶圆参数 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆叠高度:10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准:3个卡带站 可选:蕞多5个站ComBond键合机供应商家EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的砖用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。

EV Group键合机键合精度,键合机

封装技术对微机电系统 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影响巨大,已成为 MEMS技术发展和实用化的关键技术[1]。实现封装的技术手段很多,其中较关键的工艺步骤就是键合工艺。随着 MEMS 技术的发展,越来越多的器件封装需要用到表面带有微结构的硅片键合,然而MEMS器件封装一般采用硅—硅直接键合( silicon directly bonding,SDB)  技术[2]。由于表面有微结构的硅片界面已经受到极大的损伤,其平整度和光滑度远远达不到SDB的要求,要进行复杂的抛光处理,这DADA加大了工艺的复杂性和降低了器件的成品率[3]。

用晶圆级封装制造的组件被guangfan用于手机等消费电子产品中。这主要是由于市场对更小,更轻的电子设备的需求,这些电子设备可以以越来越复杂的方式使用。例如,除了简单的通话外,许多手机还具有多种功能,例如拍照或录制视频。晶圆级封装也已用于多种其他应用中。例如,它们用于汽车轮胎压力监测系统,可植入医疗设备,军SHI数据传输系统等。晶圆级封装还可以减小封装尺寸,从而节省材料并进一步降低生产成本。然而,更重要的是,减小的封装尺寸允许组件用于更guangfan的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸,尤其是减小封装高度。EVG下的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。

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一旦将晶片粘合在一起,就必须测试粘合表面,看该工艺是否成功。通常,将批处理过程中产生的一部分产量留给破坏性和非破坏性测试方法使用。破坏性测试方法用于测试成品的整体剪切强度。非破坏性方法用于评估粘合过程中是否出现了裂纹或异常,从而有助于确保成品没有缺陷。EVGroup(EVG)是制造半导体,微机电系统(MEMS),化合物半导体,功率器件和纳米技术器件的设备和工艺解决方案的lingxian供应商。主要产品包括晶圆键合,薄晶圆加工,光刻/纳米压印光刻(NIL)和计量设备,以及光刻胶涂布机,清洁剂和检查系统。成立于1980年的EVGroup服务于复杂的全球客户和合作伙伴网络,并为其提供支持。有关EVG的更多信息,请访问"键合机"。晶圆级涂层、封装,工程衬底智造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。EVG810 LT键合机芯片堆叠应用

EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺,这对于当今和未来的器件制造是至关重要。EV Group键合机键合精度

半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。然而,需要晶片之间的紧密对准和覆盖精度以在键合晶片上的互连器件之间实现良好的电接触,并蕞小化键合界面处的互连面积,从而可以在晶片上腾出更多空间用于生产设备。支持组件路线图所需的间距不断减小,这推动了每一代新产品的更严格的晶圆间键合规范。imec3D系统集成兼项目总监兼EricBeyne表示:“在imec,我们相信3D技术的力量将为半导体行业创造新的机遇和可能性,并且我们将投入大量精力来改善它。“特别关注的领域是晶圆对晶圆的键合,在这一方面,我们通过与EVGroup等行业合作伙伴的合作取得了优异的成绩。去年,我们成功地缩短了芯片连接之间的距离或间距,将晶圆间的混合键合厚度减小到1.4微米,是目前业界标准间距的四倍。今年,我们正在努力将间距至少降低一半。”EV Group键合机键合精度

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