江苏CHIP（芯片）X射线检测

微焦点X射线检测系统，日本爱比特，i-bitX-ray检测系统3D-X射线立体方式观察装置

产品型号：FX-4OOtRX

运用3D-X射线立体方式达成大电流元件的双层锡焊分离检查!

特征:

D130kV,0.5mA,39W的高输出X射线5mm厚的钢板也能穿透(FX-500tRX)

达到110kV,0.2mA,20W的高输出及空间分辨率2um的高解像度(FX-400tRX)

可利用3D-X射线立体方式进行2层分离检查

采用寿命长,130万画素,14bit(16384阶调)平板X射线,可降低运营成本

小型的检查设备本体

可以用QR码识别作产品追踪 i-bit 日本爱比特 X-ray X射线检测IGBT双层焊锡空洞、POP堆叠封装芯片等。江苏CHIP（芯片）X射线检测

"X射线立体方式3D-X射线观察装置FX-3o0fRXzwithcT以往运用X射线的检查方式,背面的CHIP(芯片)零件成为杂讯而很难做正确的检查。l-Bit公司所开发的r3D-X射线立体方式能够将背面基板贴装的BGA,LGA,QFN等图像删除。与以往的X射线CT方式不同不需要断层图像所以能够做高速处理特征采用X射线立体方式(爱比特公司的***技术)2几何学倍率:达到1000倍3搭载CHIPCOUNTER(芯片计数)机能4运用光广角照射能够做高倍率倾斜摄影GBGA自动检查机能(选配功能)VCT(垂直CT)PCT(倾斜CT)功能(选配功能)

几何学倍率1000倍检测项目锡少、锡多、偏移、短路、空焊、虚焊、不沾锡、空洞……X射线受像部FOS耐用型平板探测器(FPD)， 14位灰阶深度 (16384阶调)CCD摄像机部种类彩色CCD摄像机(供工件摄影用)显示屏24英寸LCDX射线泄漏量1µSv/h以下，不需要X射线操作资格电源单相AC200V,1.5KVA设备尺寸1,300(W) x 1,100(D) x 1,450(H)mm 江苏CHIP（芯片）X射线检测上海晶珂销售爱i-bit 的FX-300tR型号的X射线立体方式检测装置，对BGA的锡球和基板结合部分离检测。

检测基板焊点的焊锡不足、焊接不良、焊锡短路等问题，先上海晶珂机电设备有限公司销售的日本微焦点X线检测系统。X射线观察装置FX-3OOfR几何学倍率:900倍荧光屏放大倍率:5400倍X射线输出:90kVX射线焦点径:5u,15u(切换)用几何学倍率特征D随然是小型设备但可达成几何学倍率900倍2存储良品的图像,可以和现在的图像做比较3可以将平板相机倾斜60°做观察4即使做倾斜观察也能自动追踪观察位置(即使相机倾斜位置点也不会偏移)5附带有各种测定机能6可追加选项检查机能选项功能可对应CT及L尺寸8靶材~试料0.5mm,靶材~X射线相机450mm:450/0.5=900,几何学倍率达到900倍L尺寸装置可对应600x600mm的基板

日本爱比特，i-bit微焦点X射线检测系统3D自动X射线检测

小型密闭管式X射线装置,达成几何学倍率1,000倍!非CT方式,也非X光分层摄影法而是运用第三种检查方式X射线立体方式.能够节省检查成本。

型号：FX-300fRXzwithcT

特征：

采用X射线立体方式(爱比特公司的独有技术)

几何学倍率:达到1000倍

搭载CHIPCOUNTER(芯片计数)机能

运用光广角照射能够做高倍率倾斜摄影

BGA自动检查机能(选配功能)VCT(垂直CT)PCT(倾斜CT)功能(选配功能)。。。。。。。。 上海晶珂销售的X射线检测设备的成像仪可用于焊接缺陷的无损检测。

微焦点X射线检测系统  硅晶片结晶缺陷 Void(空隙)检查装置

日本爱比特，i-bit  X射线观察装置    硅晶片内部的结晶缺陷Void(空隙)全自动检查装置

型号：X-CAS-2

特征：

本装置使用X射线针对于硅晶片内部的结晶缺陷之空隙进行自动检查

随然用红外线也能够做同样的检查,但是难以做低电阻的硅晶片检查,并且需要完成终制造过程的抛光过的硅晶圆片才能做精度高的检测。用X射线检查不需要这些条件,研磨前的状态(刚切片后)也能够检查并且与硅晶圆片有无电阻值无关都可以进行检查

可检查的硅晶圆片尺寸为12英寸,及8英寸(6英寸为选配功能)

关于安全性:不需要X射线操作人员资格,因为X射线会被完全遮蔽,所以能够安全的使用 CHIP（芯片)零件焊锡检查X射线立体方式 3D-X射线观察装置，上海晶珂。江苏CHIP（芯片）X射线检测

上海晶珂销售爱比特FX-300tRX 的X射线立体方式检测装置，对基板芯片的焊锡部分缺陷检测。江苏CHIP（芯片）X射线检测

微焦点X射线，在MFX中，电子透镜将电子束聚焦到靶上的一个点——X射线焦点。在其他条件一致的情况下，X射线焦点越小，成像质量越好。所以这个电子透镜设计的优劣（直接）决定MFX的性能。开放管一般使用线圈通过磁场对电子轨道进行控制，能使焦点更小。封闭管受到FOD的限制，一般使用电场对电子轨道进行控制，焦点偏大。电子在冲撞靶面时X射线变换的效率很低，99%以上会变成热能；而MFX是把大量电子聚焦到靶上的极小一点（X射线焦点）上，过高的功率或者随着工作时间延长，靶面会被逐渐融化，使得： 1、稳定性渐渐变差；2、焦点尺寸渐渐变大，分辨率变差；3、产生的X线剂量渐渐减少，X线相机上的图像变昏暗江苏CHIP（芯片）X射线检测

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