晶间腐蚀试验方法,各标准对试验细节均有详细规定。
试验方法 |
试验标准 |
试验周期 |
备注 |
不锈钢晶间腐蚀A法 |
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4天 |
草酸法 |
不锈钢晶间腐蚀B法 |
7天 |
硫酸-硫酸铁 120h |
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不锈钢晶间腐蚀C法 |
13-15天 |
硝酸法 5*48h |
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不锈钢晶间腐蚀D法 |
4天 |
硝酸-氢氟酸 2*2h |
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不锈钢晶间腐蚀E法 |
4天 |
硫酸-硫酸铜 16h |
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镍基合金晶间腐蚀A法 |
GB/T 15260-1994 |
7天 |
硫酸-硫酸铁 120h |
镍基合金晶间腐蚀B法 |
3(5)天 |
铜-硫酸铜-硫酸 24h或72h |
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镍基合金晶间腐蚀C法 |
10-12天 |
盐酸法 168h |
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镍基合金晶间腐蚀D法 |
13-15天 |
硝酸法 5*48h |
晶间腐蚀,合金检测的要求不一样一般检测清洁度、晶粒大小、晶粒分布是否均匀、晶粒有无明显的堆积、是否有夹杂物等根据金相图谱检验:无过烧;分布均匀程度;晶粒大小我想也学习一下铝合金金相,各元素在显微镜下是表现什么状态。不过可以看看国标,里面只是告诉怎样判断: GB/T3246-82 铝及铝合金加工制品显微组织检验方法; GB/T3247-82 铝及铝合金加工制品低倍组织检验方法 ; GB/T10849-89 铸造铝硅合金变质; GB/T10850-89 铸造铝合金过烧;GB/T10851-89 铸造铝合金孔。昆山电解腐蚀厂家电解抛光腐蚀,温度随时间变化的曲线。
电解抛光腐蚀, 贵金属及其合金电解浸蚀剂和电解抛光液表
浸蚀剂名称及成分 |
使用方法 |
适用范围 |
王水 |
交流电:6伏 另一电板:石墨 |
铂及其合金、铑及其合金的电解浸蚀。 |
稀王水: 盐酸 25亳升 硝酸 8.3亳升 水 65.7亳升 |
交流电:6~10伏 电流密度:1.5~2.0安/厘米2 时间:8~10分钟 另一电极:纯铂 |
铂、铱的电解浸蚀。 |
盐酸 20亳升 氯化钠 25无 水 65亳升 |
交流电:6伏 另一电极:石墨 时间:1分钟 |
铂、铂钉、铂铱合金的电解浸蚀。 |
盐酸 20亳升 甘油 5亳升 水 70亳升 |
交流电:6伏 另一电极:石墨 时间:30分钟 |
铱及铱铑合金的电解浸蚀。 |
晶间腐蚀操作主意事项,冷水机安装与使用安装:将冷水机安装在通风平稳的地方,注意散热和进风口不要靠墙。连接进水管与回水管(根据管子上的标识),用喉箍拧紧,避免时间长了脱落。往水箱里面加水,水一定要干净,不然容易堵塞或者冷水机故障,加水的时候注意观察液位标识,冷水机水箱大约9L,只要在工作状态(保证回路正常)的时候保证在绿色液位段就好。运行温度:在使用过程中,只要确保冷凝管不结露和冷水机温度不会高于设定的太多就没有问题(高低±2度),一定不能结露,结露时会有水滴流向加热器,设置温度太低时溶液很难沸腾晶间腐蚀,有冷凝水传感器检测,无水停机报警。
晶间腐蚀仪器应用于不锈钢的晶间腐蚀的设备,用于检验各种类型的不锈钢、铝合金等材料在特定的温度和腐蚀试剂下晶间腐蚀的状况,从而判定材料的化学成分、热处理和加工工艺是否合理,是金属局部腐蚀的一种,沿着金属晶粒间的分界面向内部扩展的腐蚀,晶间腐蚀会破坏晶粒间的结合,大幅降低金属的机械强度。腐蚀发生后,金属和合金的表面虽然仍保持一定的金属光泽,看不出被破坏的迹象,但晶粒间结合力逐渐减弱,力学性能恶化。由此可见,晶间腐蚀是一种很危险的腐蚀。本仪器是用于评价材料的晶间腐蚀性能的仪器。电解抛光腐蚀,电源过压、过热以及市电输入过欠压保护。昆山电解腐蚀厂家
电解抛光腐蚀,电压、电流范围大,可同时满足各种材料的抛光和腐蚀。昆山电解腐蚀厂家
晶间腐蚀是什么?一种常见的局部腐蚀。腐蚀沿着金属或合金的晶粒边界或它的邻近区域发展,晶粒本身腐蚀很轻微,这种腐蚀便称为晶间腐蚀,这种腐蚀使晶粒间的结合力慢慢削弱,严重时可使机械强度完全丧失。例如遭受这种腐蚀的不锈钢,表面看起来还很光亮,但经不起轻轻敲击便破碎成细粒。由于晶间腐蚀不易检查,所以廷民设备的突然破十,它的危害性很大。不锈钢、镍基合金、铝合金、镁合金等都是晶间腐蚀敏感性高的材料。在受热情况下使用或焊接过程都会造成晶间腐蚀的问题。昆山电解腐蚀厂家
电解抛光腐蚀仪利用电化学原理进行金相样品的制备,该设备工作电压、电流范围大,功能齐全,既可用于金相试样的抛光,也可用于金相试样的腐蚀,具备制样快、重复性好等优点,是钢铁,尤其是不锈钢及有色金属试样制备的理想设备,用户的计算机可直接读取所有历史数据,可对所有数据进行分析、存档、打印处理。电压、电流范围大,可同时满足各种材料的抛光和腐蚀,主要用于各大中院校、环保、科研、卫生、防疫、石油、治金、化工、医疗等设备,本仪器性能好,无噪声。低倍组织热酸蚀腐蚀酸蚀槽采用特殊材料制作,耐酸耐高温。昆山金属抛光腐蚀公司电解抛光腐蚀原理,关于电解抛光原理的争论很多,被公认的主要为薄膜理论。薄膜理论解释的电解抛光过...