电解抛光腐蚀仪器构成包括直流电源部分、腐蚀器和控温系统。直流电源输出端接腐蚀器的输入端,腐蚀器与控温系统相连接。直流电源恒定输出预设电压和恒定输出电流给腐蚀器,以及输出电路中设置电流过载保护器,用于腐蚀器在工作过程中保持恒定的电压和电流;直流电源中设有时间继电器,用于样品电解时间到达设定时间后,关闭电流、电压的输出,同时蜂鸣器提醒;腐蚀器包括电极,样品罩,搅拌器,控温系统由加热控制单元和冷却盘管组成。折叠编辑本段特点电解抛光腐蚀仪可实现恒定电压、恒定电流方式工作,可控制样试样的电解电流密度,能快速而有效地对金属材料进行电解抛光和腐蚀,具有重复性好,操作控制方便等特点。电解抛光腐蚀,具备制样快、重复性好等优点。天津低倍加热腐蚀企业
晶间腐蚀,操作方法:从腐蚀机台上取下烧瓶,根据不同制样将配制好的溶液取一定量加入瓶中。将样品用镊子夹住缓慢放入烧瓶,注意不能高空放入,避免损坏烧瓶。擦干烧瓶底部水或者溶液,保证烧瓶表面干燥。烧瓶放入加热台上方中间,将带有锥口的冷凝器装入烧瓶口,确保连接可靠不漏气。固定好烧瓶夹,将烧瓶和冷凝器固定好。装入温度传感器至烧瓶测口,并且调整好线的长度,使传感器探头完全浸入溶液中,比较好是溶液中部,不与烧瓶壁接触。辽宁试验设备腐蚀电解抛光腐蚀,实现恒定电流和恒定电压工作方式。
电解抛光腐蚀,显示钢的显微组织的电解浸蚀剂及电解抛光液表
浸蚀剂名称及成分 |
使用方法 |
适用范围 |
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过硫酸铵溶液: (NH4)2S2O610克 过硫酸铵水90亳升 |
电解浸蚀。方法同铬酸水溶液的使用方法。 |
极快的显示不锈钢组织 |
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过氯酸及冰醋酸溶液: 冰醋酸 10份 过氯酸 1份 |
2分钟或以上,电压20~22伏,电流密度0.1安/厘米2,使用温度低于20。C。抛光时要时常搅溶液,在通风橱中进行,要注意温度,防止炸裂。配制溶液时,过氯酸须缓慢地加入冰醋酸中,温度低于15。C,要?搅动,以免局部温度升高。 |
适用于抛光钢和铁。 |
晶间腐蚀操作主意事项,温度:如果测量加热器温度时应主意溶液的沸点温度,不能将温度设置大于溶液的沸点温度。如果有条件应先将温度传感器进行校准再使用,这样在设置温度的时候4个工位偏差不会很大,不然会有几度的偏差,主意原因是温度传感器线太长、温度传感器测量的位置有误差(测量的时候一定要将传感器塞入测量管底部,用塞子固定避免传感器移动,特别主意,如果传感器移动了,测量温度会一直达不到设定温度,这样长时间工作会烧坏加热器,因为加热器会长时间内满功率工作达到比较高的温度。所以要实时观察各通道温度和溶液沸腾状态,)晶间腐蚀,可选择漏液传感器检测,有漏液停机报警。
晶间腐蚀试验方法,各标准对试验细节均有详细规定。
试验方法 |
试验标准 |
试验周期 |
备注 |
不锈钢晶间腐蚀A法 |
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4天 |
草酸法 |
不锈钢晶间腐蚀B法 |
7天 |
硫酸-硫酸铁 120h |
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不锈钢晶间腐蚀C法 |
13-15天 |
硝酸法 5*48h |
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不锈钢晶间腐蚀D法 |
4天 |
硝酸-氢氟酸 2*2h |
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不锈钢晶间腐蚀E法 |
4天 |
硫酸-硫酸铜 16h |
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镍基合金晶间腐蚀A法 |
GB/T 15260-1994 |
7天 |
硫酸-硫酸铁 120h |
镍基合金晶间腐蚀B法 |
3(5)天 |
铜-硫酸铜-硫酸 24h或72h |
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镍基合金晶间腐蚀C法 |
10-12天 |
盐酸法 168h |
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镍基合金晶间腐蚀D法 |
13-15天 |
硝酸法 5*48h |
电解抛光腐蚀,是钢铁,尤其是不锈钢及有色金属试样制备的理想设备。天津低倍加热腐蚀企业
晶间腐蚀检验方法:晶间腐蚀后有通常有两种方法检测,一种是弯曲法,也就是对折法,就是试样进行晶间腐蚀检验后在弯曲试验机上进行弯曲180°,用放大镜观察弯曲表面,根据表面是够有裂纹来判断是否有晶间腐蚀发生,另一种是金相法,根据晶间腐蚀后试样进行磨抛+化学腐蚀,通过金相显微镜观察腐蚀深度,通过晶间腐蚀深度来判断是否发生晶间腐蚀;其实还有第三种办法,就是有经验的师傅还可以通过听声法来判断,这个主观影响较大,不建议使用;金相试样横向和纵向都是允许的,因为是判断试样腐蚀的深度,所以横向还是纵向影响不大的。天津低倍加热腐蚀企业
电解抛光腐蚀仪利用电化学原理进行金相样品的制备,该设备工作电压、电流范围大,功能齐全,既可用于金相试样的抛光,也可用于金相试样的腐蚀,具备制样快、重复性好等优点,是钢铁,尤其是不锈钢及有色金属试样制备的理想设备,用户的计算机可直接读取所有历史数据,可对所有数据进行分析、存档、打印处理。电压、电流范围大,可同时满足各种材料的抛光和腐蚀,主要用于各大中院校、环保、科研、卫生、防疫、石油、治金、化工、医疗等设备,本仪器性能好,无噪声。低倍组织热酸蚀腐蚀酸蚀槽采用特殊材料制作,耐酸耐高温。昆山金属抛光腐蚀公司电解抛光腐蚀原理,关于电解抛光原理的争论很多,被公认的主要为薄膜理论。薄膜理论解释的电解抛光过...