气体放电管（GasDischargeTubeGDT）是由密封惰性气体于放电管介质的一个或者一个以上放电间隙组成的器件，是一种开关型过压保护元件。气体放电管通流量大，结电容低，绝缘电阻高，响应速度慢，击穿残压较高，并且有续流。适合应用在信号端口初级，电源端口（与钳位型串联）。气体放电管的主要参数包括：直流击穿电压DCSpark-overVoltage：又称为直流火花放电电压，是指施加缓慢升高的直流电压时，GDT火花放电时的电压，一般电压斜率为100V/s；脉冲击穿电压:MaximumImpulseSpark-overVoltage,亦称比较大冲击火花放电电压,是指施加规定上升率和极性的冲击电压,在放电电流流过GDT之前,其两端子间的电压比较大值，一般电压斜率为1000V/us；标称冲击放电电流:NominalImpulseDischargeCurrent,是指给定波形的冲击电流峰值,一般为8/20μs的脉冲电流波形,为GDT的额定值；耐冲击电流寿命:ImpulseLife,衡量GDT耐受多次冲击电流的能力,在一定程度上反映了GDT的稳定性及可靠性,一般施加10/1000μs的脉冲电流若干次；.气体放电管深圳市凯轩业科技有限公司，欢迎亲咨询。广东优势半导体放电管
随着用户对产品质量的高要求、高标准，生产商在进行产品研发设计时也随之提高了其安全可靠性等相关标准，这也使得**终应用在产品端口的防护方案都是电子工程师经过无数次设计、整改、测试完善的。而对于防护方案中所应用到的各类电路保护器件的选型，电子工程师也是慎之又慎，生怕选错型号，造成不必要的电路损坏。本篇是硕凯电子小编根据硕凯电子股份有限公司的FAE技术工程师的选型经验整理的精选资料，旨在教会新手工程师优化产品端口防护方案的玻璃放电管选型技巧。广东优势半导体放电管绝缘电阻和极间电容放电管的绝缘电阻值很大，厂家一般给出的是绝缘电阻的初始值，约为数千兆欧。
接地连线应当具有尽量短的长度接地连线应具有足够的截面，以泄放暂态大电流。放电管的失效模式放电管受到机械碰撞，超耐受的暂态过电压多次冲击以及内部出现老化后，将发生故障。故障的模式（即失效模式）有两种：第一种是呈现低放电电压和低绝缘电阻状态；第二种是呈现高放电电压状态。开路故障模式比短路故障模式具有更大的危害性：开路故障模式令人难以及时察觉，从而不能采取补救措施。现在的电源SPD产品中，带有失效报警装置，如声，光报警，颜色变化提示等，这些措施的采取对于及时发现和更换已经失效的SPD是有利的。
当浪涌电压足够大时，气体开始电离，进入辉光区域（时间非常短），在辉光区域，电压不变，随着电流的上升，气体开始产生雪崩效应，并转换到电弧区域。电弧电压是气体放电管“虚短”时的电压。电弧电压越低，温度越低，寿命越长。电弧电压一般是10-50V。气体放电管因其通流量大和反应速度慢的特点，常放在电路**前端，后级和TVS/TSS等反应速度快的器件并联使用，使用时需要注意：1.后级防护器件的钳位电压要高于气体放电管，避免气体放电管不开启；2.气体放电管和后级防护器件之间要增加过流保护器件（PTC等），使得后级防护器件能够恢复。半导体放电管，就选深圳市凯轩业科技，让您满意，欢迎您光临哦！
浪涌电压抑制器件分类浪涌电压抑制器件基本上可以分为两大类型。第一种类型为橇棒（crowbar）器件。其主要特点是器件击穿后的残压很低，因此不仅有利于浪涌电压的迅速泄放，而且也使功耗**降低。另外该类型器件的漏电流小，器件极间电容量小，所以对线路影响很小。常用的撬棒器件包括气体放电管、气隙型浪涌保护器、硅双向对称开关（CSSPD）等。另一种类型为箝位保护器，即保护器件在击穿后，其两端电压维持在击穿电压上不再上升，以箝位的方式起到保护作用。常用的箝位保护器是氧化锌压敏电阻(MOV)，瞬态电压抑制器（TVS）等。3、气体放电管的构造及基本原***体放电管采用陶瓷密闭封装，内部由两个或数个带间隙的金属电极，充以惰性气体（氩气或氖气）构成，基本外形如图1所示。当加到两电极端的电压达到使气体放电管内的气体击穿时，气体放电管便开始放电，并由高阻变成低阻，使电极两端的电压不超过击穿电压放电管常用于多级保护电路中的***级或前两级，起泄放雷电暂态过电流和限制过电压作用。广东优势半导体放电管
玻璃放电管的工作原理：玻璃放电管由封装在充满惰性气体的玻璃管中相隔一定距离的两个电极组成。广东优势半导体放电管
半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。选用半导体放电管应注意以下几点：1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A；Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。广东优势半导体放电管
