卵子***是人类胚胎发育的起始步骤，该过程主要由细胞内的钙释放调控，当成熟的卵母细胞发育到MII期后，只有精子的PLCζ进入卵母细胞的胞浆，才能***钙震荡，促使卵母细胞完成完整的减数分裂。TFF(Totalfertilizationfailure，完全受精失败)是指MII期卵母细胞无法完成受精的过程，有1-3%的ICSI失败是源于IFF。TFF与精子及卵子的异常均有关，其中卵子***异常是主要因素。卵子因素主要是由蛋白合成不足或异常信号传导导致的胞质不成熟；精子因素主要是PLCζ蛋白的结构、表达和定位异常。受精失败与女方年龄、不育类型和取卵数目等因素无关。精子的解凝功能异常和鱼精蛋白缺失与TFF密切相关。精子染色质组装异常或精子DNA损伤可导致精子的解凝异常，无法***卵子及合子形成。研究表明精子染色质组装异常的精子中精子解凝功能受阻的精子比例高于正常精子。精细胞染色质的鱼精蛋白的合成与组装对于精细胞的基因组浓缩也是非常重要的。若鱼精蛋白的量减少，精子在ICSI后提前解凝，导致受精失败。当精子进入卵子后精子染色质提前浓缩也导致其提前解凝，精子和卵子遗传物质的同步节奏被打破，也造成受精失败。不过这种同步性异常主要还是卵子因素造成的。压电式显微操作仪PMM可用于ES细胞注射等实验。昆明Piezo压电核转移
压电效应：某些电介质在沿一定方向上受到外力的作用而变形时，其内部会产生极化现象，同时在它的两个相对表面上出现正负相反的电荷。当外力去掉后，它又会恢复到不带电的状态，这种现象称为正压电效应。当作用力的方向改变时，电荷的极性也随之改变。相反，当在电介质的极化方向上施加电场，这些电介质也会发生变形，电场去掉后，电介质的变形随之消失，这种现象称为逆压电效应。依据电介质压电效应研制的一类传感器称为压电传感器。日本prime tech压电市场认可压电显微操作仪PMM 6可用于兔子卵母细胞和胚胎的ICSI等实验。
辅助生殖4大通用技能一技能：人工授精二技能：体外受精三技能：卵巢移植四技能：单精子显微注射技术一般而言，体外受精是妥妥的主加技能，应用***。
1.单精子显微注射技术单精子显微注射技术（简称ICSI，即Intracytoplasmicsperminjection的英文缩写）指胞浆内单精子显微注射技术。该技术是借助显微操作系统将单个精子头注入小鼠卵子胞浆内,使卵子受精，体外培养到早期胚胎，再放回母体子宫内发育着床。在临床上，ICSI即第二代“试管婴儿技术”。
1927年，伍德（R.W.Wood）与鲁密斯（A.L.Loomis）首先使用高功率超声波。使用蓝杰文型的石英换能器配合高功率真空管，在液体中产生高能量，使液体引起所谓的空腔（cavitation）现象。同时也研究高功率超声波对生物试样的效应。在水下音响（underwatersound）的研究中发现，石英晶体并不是很好的换能器材料，但是它的振荡频率却不随温度而变，亦即所谓的具有低的温度系数。这种频率对温度的高稳定性，用在控制振荡器的频率，及某些滤波器上**有用。1919年，卡迪（Cady）教授***次利用石英当做频率控制器，图四就是**早期的晶体控制振荡器电路。因为晶体具有极高的Q值（注三），振荡器的频率受到晶体共振频率的控制，且频率不随温度变化而变。后来，皮尔士和皮尔士-米勒（Pierce-Miller）又发明一种以后广被采用的晶体控制振荡电路。在第二次世界大战中，大约使用了一千万个晶体振荡器，用以建立坦克与坦克之间及地面和飞机之间的通讯。PMM 6 MB-U-2高力度输出型号，它可进行克隆和ICSI等方面的许多操作。
PMM可用于移去卵细胞内的染色体，它可以用平口针迅速的穿透透明带，而无须用尖头针。含有染色体的细胞质会混进洗液管，通过透明带的孔抽取出来。PMM和传统方法相比提高了速度和准确率，也就是说增加了效率。细胞核显微注射Piezo可以轻易破坏核的细胞质膜收集核，利用平口针灸可以一次注射1个或更多的核。针在膜的表面形成一个较深的内陷，piezo就很容易破膜将核注射进去。胚胎干细胞显微注射PMM与传统尖头针相比可促进ES细胞注射入胚泡，甚至可以穿透和部分破坏内细胞群，增加ES细胞的作用。平口针的顶端直径为8-12um，大约可装15个ES细胞，用中、低档能量的脉冲，PMM即可穿透细胞群，用低能量的多次脉冲，针可穿透滋养外胚层（TE)。卵母细胞胞浆内单精子显微注射PMM通过将精子尾部与头部割离，精子头部吸入平口针，在中低档能量下即可穿透透明带，进行单精子显微注射。增加了速度和准确率，PMM为转基因鼠高效率的产品。与传统方法相比，Piezo增加了显微注射的速度和准确率，利用MII转基因的方法很有效的生成转基因鼠。压电式破膜仪PMM 6可用于核转移实验。美国压电压电注射
PMM加载于显微操作设备的注射端，兼容性强，安装简便。昆明Piezo压电核转移
在非晶方性晶体中，施一外力使晶体变形，则由于晶格中电荷的移动造成晶体内局部性不均匀电荷分布，而产生一电位移。电荷的位移是由于晶体内部所有离子的移动，或者因为原子轨道上电子分布的变形而引起离子偏极化所造成，这些电荷位移现象在所有材料中都存在，可是要具有压电效应，则必须能在材料每单位体积中造成有效地净的电双极矩变化。是否能有这种变化，端视晶格结构之对称性而定。压电现象理论**早是李普曼（Lippmann）在研究热力学原理时就已发现，后来在同一年，居里兄弟做实验证明了这个理论，且建立了压电性与晶体结构的关系。1894年，福克特（W.Voigt）更严谨地定出晶体结构与压电性的关系，他发现32种晶类（class）可能具有压电效应（32类中不具有对称中心的有21种，其中一种压电常数为零，其余20种都具有压电效应）。昆明Piezo压电核转移
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