辽宁COB封装

合封芯片、芯片合封和SiP系统级封装经常被提及的概念。但它们是三种不同的技术，还是同一种技术的不同称呼？本文将帮助我们更好地理解它们的差异。合封芯片与SiP系统级封装的定义，首先合封芯片和芯片合封都是一个意思，合封芯片是一种将多个芯片（多样选择）或不同的功能的电子模块（LDO、充电芯片、射频芯片、mos管）封装在一起的定制化芯片，从而形成一个系统或者子系统。以实现更复杂、更高效的任务。合封芯片可定制组成方式包括CoC封装技术、SiP封装技术等。SiP 可以将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件。辽宁COB封装

由于物联网“智慧”设备的快速发展，业界对能够在更小的封装内实现更多功能的系统级封装 (SiP) 器件的需求高涨，这种需求将微型化趋势推向了更高的层次：使用更小的元件和更高的密度来进行组装。 无源元件尺寸已从 01005 （ 0.4 mm× 0.2 mm) 缩小到 008004（ 0.25 mm×0.125 mm) ，细间距锡膏印刷对 SiP 的组装来说变得越来越有挑战性。 对使用不同助焊剂和不同颗粒尺寸锡粉的 3 种锡膏样本进行了研究； 同时通过比较使用平台和真空的板支撑系统，试验了是否可以单独使用平台支撑来获得一致性较好的印刷工艺；并比较了激光切割和电铸钢网在不同开孔尺寸下的印刷结果。辽宁COB封装汽车电子里的 SiP 应用正在逐渐增加。

SIP类型，从目前业界SIP的设计类型和结构区分，SIP可分为以下几类。2D SIP，2D封装是指在基板的表面水平安装所有芯片和无源器件的集成方式。以基板（Substrate）上表面的左下角为原点，基板上表面所处的平面为XY平面，基板法线为Z轴，创建坐标系。2D封装方面包含FOWLP、FOPLP和其他技术。物理结构：所有芯片和无源器件均安装在基板平面，芯片和无源器件与XY平面直接接触，基板上的布线和过孔位于XY平面下方。电气连接：均需要通过基板（除了极少数通过键合线直接连接的键合点）。

晶圆级封装（WLP）：1、定义，在晶圆原有状态下重新布线，然后用树脂密封，再植入锡球引脚，然后划片将其切割成芯片，从而制造出真实芯片大小的封装。注：重新布线是指在后段制程中，在芯片表面形成新的布线层。2、优势，传统封装中，将芯片装进封装中的时候，封装的尺寸都要大于芯片尺寸。WLP技术的优势是能够实现几乎与芯片尺寸一样大小的封装。不只芯片是批量化制造，而且封装也是批量化制造，可以较大程度上降低成本。WLP技术使用倒装焊技术（FCB），所以被称为FBGA（Flip Chip类型的BGA），芯片被称为晶圆级CSP（Chip Size Package）。工艺流程，晶圆级封装工艺流程：① 再布线工程（形成重新布线层的层间绝缘膜[中间介质层]）；② 形成通孔和重新布线层（用来连接芯片和外部端子）；③ 形成铜柱，并在铜柱上面生成凸点；④ 用树脂密封，再形成焊球并用划片机切割成所需的芯片。SiP封装基板半导体芯片封装基板是封装测试环境的关键载体。

根据国际半导体路线组织（ITRS）的定义： SiP（System-in-package）为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。SiP技术特点：组件集成，SiP可以包含各种类型的组件，如：数字和模拟集成电路，无源元件（电阻、电容、电感），射频（RF）组件，功率管理模块，内存芯片（如DRAM、Flash），传感器和微电机系统（MEMS）。SiP系统级封装以其更小、薄、轻和更多功能的竞争力，为芯片和器件整合提供了新的可能性。辽宁COB封装

由于SiP电子产品向高密度集成、功能多样化、小尺寸等方向发展，传统的失效分析方法已不能完全适应。辽宁COB封装

sip封装的优缺点，SIP封装的优缺点如下：优点：结构简单：SIP封装的结构相对简单，制造和组装过程相对容易。成本低：SIP封装的制造成本较低，适合大规模生产。可靠性高：SIP封装具有较好的密封性能，可以免受环境影响，提高产品的可靠性。适应性强：SIP封装适用于对性能要求不高且需要大批量生产的低成本电子产品。缺点：引脚间距限制：SIP封装的引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2至23不等，这限制了其在一些高密度、高性能应用中的使用。不适用于高速传输：由于SIP封装的引脚间距较大，不适合用于高速数据传输。散热性能差：SIP封装的散热性能较差，可能不适用于高功耗的芯片。辽宁COB封装