晶闸管模块的散热方法
晶闸管模块的功耗主要由导通损耗、开关损耗和栅极损耗组成。在工频或400Hz以下的更多应用是传导损耗。为了保证器件的长期可靠运行，散热器及其冷却方式的选择与功率半导体模块设计中电流、电压额定值的选择同等重要，不容忽视！散热器常用的散热方法有：自然空冷、强制空冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热的一般原则是，控制模块中管芯的连接温度Tj不超过产品数据表中给出的额定连接温度。
选择晶闸管模块散热器必须考虑的元素：
1、晶闸管模块的工作电流决定了所需的冷却面积。
2、晶闸管模块的使用环境。根据使用环境冷却条件来确定何种冷却方式，包括自然冷却、强制风冷和水冷。
3、设备的形状和体积，为散热预留空间的大小，根据这种情况来确定散热器的形状。 正高电气具有一支经验丰富、技术力量过硬的专业技术人才管理团队。上海单相交流调压模块供应商
AA）替代国外模块型号ZX5WSMNBK双反星并联带平衡电抗器200AMTG100A/800VMTG（AA）60A/400V三社（SanRex）PWB60A；三菱（MITSUBI）TM60SZ-M；TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG（AA）80A/400VSanRexPWB90A；MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英达PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG（AA）130A/400VSanRexPWB130A；MITSUBITM130SZ-M；英达PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG（AA）160A/400VMITSUBITM150SZ-M；英达PFT1503NMTG300A/800VMTG（AA）200A/400VSanRexPWB200AA；MITSUBITM200SZ-M英达PFT2003N；注：上表中MTG型为普通压降模块；MTG（AA）为低电压低导通压降型模块。l焊机用模块电流和电压计算：我公司MTG、MTG（AA）焊机**模块可以使用在很多不同型号规格的焊机中，如ZX5普通焊机；WSM直流氩弧焊机；NBKCO2气体保护焊机。这些焊机目前都采用流行的双反星并联带平衡电抗器主回路形式，如下图：（双反星并联带平衡电抗器主回路）²该线路相当于正极性和反极性两组三相半波整流电路并联。每只晶闸管的比较大导通角为120º，负载电流Id同时由两个晶闸管和两个变压器绕组供给，每只管子承担1/6的Id，任何瞬时，正，负极性组均有一支电路导通工作。²该线路提高了变压器利用率。上海行吊集成智能调压模块正高电气材料竭诚为您服务，期待与您的合作！
VDRM）的计算：由公式：Ud=考虑两倍的选择余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此选择耐压200V-300V的器件足够。2、器件额定电流IT（AV）的计算：由于该线路相当于两组三相半波整流电路的串联,根据公式：Ie=:Ie=(此值为交流有效值)折算为平均值IT（AV）=Ie/考虑选型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A显然,目前没有如此大电流的模块,应建议客户采用400-500A的平板式可控硅为宜。以上两种线路对器件耐压和通流能力的要求是不一样的。后一种线路对器件耐压要求比前一种线路低一倍，但通流能力要求大两倍。四、使用模块产品注意事项：l电力半导体模块属于温度敏感性器件，使用时必须安装于散热器上。安装前首先用酒精将模块底板和散热器表面擦拭干净,待自然干燥后，在模块底板上均匀涂上（采用滚柱来回滚动涂抹）导热硅脂，导热硅脂刚好能够覆盖整个底板和散热器。安装之后可从散热器上取下模块，检查模块底板整个区域是否完全沾润。l手册中额定电流[IT(AV)、IF(AV)]是在规定散热器、强通风冷(风速6m/s)和额定壳温Tc和纯阻性负载下得出的。若使用条件发生变化(如感性负载)额定电流就会下降。l散热器与模块接触面应平整，散热器的平面度≤（1）,确保良好的热传导，电极与铜排连接时。
下面描述中的附图**是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明的立式晶闸管模块的一具体实施方式的平面示意图。具体实施方式下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本发明的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本发明的保护范围之内。如图1所示，本发明的立式晶闸管模块包括：外壳1、盖板2、铜底板3、形成于所述盖板2上的接头4、第二接头5和第三接头6、封装于所述外壳1内部的晶闸管单元和第二晶闸管单元。其中，任一所述接头均可与电力系统中一路电路相连接，并在晶闸管单元的控制下对所在电路进行投切控制。所述晶闸管单元包括：压块7、门极压接式组件8、导电片9、第二导电片10、瓷板11。其中，所述压块7设置于所述门极压接式组件8上，并通过所述门极压接式组件8对所述导电片9、第二导电片10、瓷板11施加压合作用力，所述导电片9、第二导电片10、瓷板11依次设置于所述铜底板3上。为了实现所述导电片9、第二导电片10、瓷板11与铜底板3的固定连接。正高电气我们将用稳定的质量，合理的价格，良好的信誉。
以提高测试电压和测试电流，使GTO可靠地导通。（2）要准确测量GTO的关断增益βoff，必须有**测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同，测量结果*供参考，或作为相对比较的依据。逆导晶闸管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构，使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如，逆导晶闸管的关断时间*几微秒，工作频率达几十千赫，优于快速晶闸管（FSCR）。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中，一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只，不仅使用方便，而且能简化电路设计。逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示。其伏安特性见图2。由图显见，逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性，正向特性与普通晶闸管SCR相同，而反向特性与硅整流管的正向特性相同（*坐标位置不同）。逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司（RCA）生产的S3900MF，其外形见图1(c)。它采用TO-220封装，三个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。S3900MF的主要参数如下：断态重复峰值电压VDRM：>。正高电气以更积极的态度，更新、更好的产品，更质量的服务，迎接挑战。工业窑炉三相整流调压模块价格
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它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频纺比GTR低。GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1．判定GTO的电极将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，*当黑表笔接G极。上海单相交流调压模块供应商
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