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二极管模块基本参数
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  • IXYS 艾赛斯,SEMIKRON赛米控,英飞凌
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100mA,10nS,2PF,225ma,2CK105硅开关二极管35V,100mA,4nS,2PF,225ma,2CK106硅开关二极管75V,100mA,4nS,2PF,100ma,2CK107硅开关二极管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,2CK108硅开关二极管70V,100mA,300mW,,2CK109硅开关二极管35V,100mA,300mW,,2CK110硅开关二极管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,2CK111硅开关二极管55V,100mA,300mW,,2CK150硅开关二极管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK161硅开关二极管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK4148硅开关二极管75V,Ir≤25nA,Vf=1V,4PF,2CK2076硅开关二极管35V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2076A硅开关二极管60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2471硅开关二极管80V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2472硅开关二极管50V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2473硅开关二极管35V,Ir≤≤,≤3PF,2CN1A硅二极管400V,1A,f=100KHz,2CN1B硅二极管100V,1A,f=100KHz,2CN3硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3D硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3E硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3F硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3G硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3H硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3I硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3K硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN4D硅二极管V,,2CN5D硅二极管V,,f=100KHz,2CN6硅二极管V,1A,f=100KHz,2CP1553硅二极管Ir≤≤,≤。控制电路由一片或多片半导体芯片组成。安徽优势二极管模块卖价

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二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件[1]。它具有单向导电性能,即给二极管阳极和阴极加上正向电压时,二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止。因此,二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开[2]。二极管是早诞生的半导体器件之一,其应用非常广。特别是在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能[3]。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中,都可以找到二极管的踪迹[3]。中文名二极管外文名Diode特性单向导电性应用家用电器、工业控制电路等类别半导体器件组成材料硅、硒、锗等目录1结构组成2工作原理▪PN结形成原理▪PN结单向导电性3主要分类▪点接触型二极管▪面接触型二极管▪平面型二极管▪稳压管▪光电二极管▪发光二极管4特性参数▪伏安特性▪正向特性▪反向特性▪击穿特性▪反向电流▪动态电阻▪电压温度系数▪高工作频率▪大整流电流▪高反向工作电压5检测方法▪小功率晶体二极管▪双向触发二极管▪瞬态电压抑制二极管▪高频变阻二极管▪变容二极管▪单色。安徽优势二极管模块卖价它具有单向导电性能,即给二极管阳极加上正向电压时,二极管导通。

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正向导电,反向不导电)晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场,当不存在外加电压时,因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流(也就是导电的原因)。当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0(这也就是不导电的原因)。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。二极管原理反向击穿编辑反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时。

光二极管▪红外发光二极管▪红外接收二极管▪激光二极管6主要应用▪电子电路应用▪工业产品应用二极管结构组成编辑二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。[4]采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。[4]由P区引出的电极称为阳极,N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性,二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。[4]各种二极管的符号二极管的电路符号如图所示。二极管有两个电极,由P区引出的电极是正极,又叫阳极;由N区引出的电极是负极,又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向,二极管的文字符号用VD表示。[4]二极管工作原理编辑二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。[5]当外界有正向电压偏置时。因此,二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开。

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促使整流管加速老化,并被过早地击穿损坏。(3)运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任,对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解,或是当外界发生了甩负荷故障,运行人员没有及时进行相应的操作处理,产生过电压而将整流管击穿损坏。(4)设备安装或制造质量不过关。由于发电机组长期处于较大的振动之中运行,使整流管也处于这一振动的外力干扰之下;同时由于发电机组转速时高时低,使整流管承受的工作电压也随之忽高忽低地变化,这样便地加速了整流管的老化、损坏。(5)整流管规格型号不符。更换新整流管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误,造成整流管击穿损坏。(6)整流管安全裕量偏小。整流管的过电压、过电流安全裕量偏小,使整流管承受不起发电机励磁回路中发生的过电压或过电流暂态过程峰值的袭击而损坏。整流二极管代换编辑整流二极管损坏后,可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。通常,高耐压值(反向电压)的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管,而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管。触发二极管又称双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。湖北二极管模块现货

晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。安徽优势二极管模块卖价

2)对于音频信号而言,由于高频滤波电容C1的容量很小,它对音频信号的容抗很大,相当于开路,所以音频信号也不能被C1旁路到地线。3)对于高频载波信号而言,其频率很高,C1对它的容抗很小而呈通路状态,这样惟有检波电路输出端的高频载波信号被C1旁路到地线,起到高频滤波的作用。如图9-51所示是检波二极管导通后的三种信号电流回路示意图。负载电阻构成直流电流回路,耦合电容取出音频信号。图9-51检波二极管导通后三种信号电流回路示意图4.故障检测方法及电路故障分析对于检波二极管不能用测量直流电压的方法来进行检测,因这这种二极管不工作在直流电压中,所以要采用测量正向和反向电阻的方法来判断检波二极管质量。当检波二极管开路和短路时,都不能完成检波任务,所以收音电路均会出现收音无声故障。5.实用倍压检波电路工作原理分析如图9-52所示是实用倍压检波电路,电路中的C2和VD1、VD2构成二倍压检波电路,在收音机电路中用来将调幅信号转换成音频信号。电路中的C3是检波后的滤波电容。通过这一倍压检波电路得到的音频信号,经耦合电容C5加到音频放大管中。图9-52实用倍压检波电路继电器驱动电路中二极管保护电路及故障处理继电器内部具有线圈的结构。安徽优势二极管模块卖价

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