本综述试图及时汇编所有这些信息,以全方面介绍 PBI 膜作为 H2/CO2 分离技术的当前可行性。H2/CO2 分离机制:气体分子通过致密聚合物膜的传输是通过溶液扩散模型来描述的(图 2d)。根据该机制,渗透气体在进料端溶解到膜中,扩散穿过膜,并在渗透端回收。渗透性被定义为溶解性和扩散性的乘积;因此,分离 H2 和 CO2 的选择性 αH2/CO2 分别表示为 H2 和 CO2 渗透性(PH2 和 PCO2)的比率。其中 DH2/DCO2 表示扩散选择性,αH2/CO2D 和 SH2/SCO2 表示溶解选择性 αH2/CO2S。因此,扩散性和溶解选择性的组合决定了总体选择性。因其低热膨胀系数,PBI 塑料可用于光学仪器,保证光学元件的精度。江苏PBI密封板供应

1983年:塞拉尼斯公司在美国南卡罗来纳州罗克山的PBI聚合和纤维工厂投产。1989年:塞拉尼斯公司获得了头一项关于压模 Celazole® PBI 产品(U 系列)的专业技术,随后在 1991 年又获得了头一项关于 PBI-聚芳醚酮混合物(T 系列)的专业技术。1994年:纽约市消防局指定使用 PBI 作为他们的防护装备,为市政消防局的个人防护设备设定了标准。到 1996 年,该产品已销往全球。如今,该公司的纤维已被全球公认为市场上性能较高、尺寸较稳定的阻燃纤维。1996:推出高纯度 Celazole® PBI 部件,并将其商业化,用于半导体和平板显示器的化学气相沉积、物理的气相沉积、蚀刻和相关制造工艺。江苏PBI密封板供应PBI 塑料在新能源汽车电池组件中应用,有助于提高电池性能和安全性。

基于 m-PBI 和 ZIF-11 的 MMM 在纳米级和微米级颗粒的范围内都得到了发展,填充量高达 55 wt%。据报道,H2 渗透率的增加是由于穿透气体分子的扩散速度加快,而 ZIF 和聚合物溶液中 CO2 吸附量的减少则是 MMM 选择性提高的原因。表 3 总结了 m-PBI MMM 的 H2/CO2 性能。虽然对 PBI 主链进行化学处理可大幅提高其自由体积分数(FFV),从而提高 H2 渗透率,但这往往是以丧失 H2/CO2 选择性为代价的。未来的研究应探索使用同时具有大分子和刚性官能团的单体进行无规共聚,以生产高渗透性和刚性的 PBI 聚合物,从而克服渗透性和选择性之间的权衡。
“未固化”层压板(图 9)采用高压固化,所需时间和/或温度较低,可形成牢固的层压板。DMTA 测定的 8000g mol^(-1) 活性 PBI 和 20000g mol^(-1) PBI 的未固化 Tg 值分别为 379℃ 和 378℃。8000g mol^(-1) PBl 的 tan δ 峰幅度较大,这可能是由于低分子量聚合物的链流动性较大。两种“未固化”PBl 样品在橡胶平台区后模量均有所增加,这可能是由于固化所致。8000g mol^(-1)固化层压板的tanδ峰值比20000g mol^(-1)固化PBl的tanδ峰值高8℃(Tg为461℃ 对453℃)。更高的Tg可以解释8000g mol^(-1)“活性”PBl的优异高温性能,8000g mol^(-1)PBI的tanδ峰值较小可能是由于该样品的交联密度较高。PBI塑料在灯泡接触件制造中有出色表现。

虽然已经证明8000g mol^(-1)PBI可以在低至2.07 MPa的压力下加工,产生与对照相同的机械性能,但固化周期尚未优化,计划在此方面开展进一步的工作。此外,如果我们现在考虑 PBI 作为热固性聚合物,那么应该可以进一步降低分子量以增强加工性能,而不会对机械性能产生任何有害影响。但是,应该注意的是,存在一个下限,随着分子量的降低,固化周期中释放出的缩合挥发物的百分比将会增加,而且,更高的交联密度会降低 PBI 的断裂韧性。该领域的持续研究将探索较低分子量的 PBl(在 6000g mol^(-1) 范围内),以及在 8000g mol^(-1)“活性”PBI 上产生更多的机械性能。PBI 塑料可用于制造太阳能电池板边框,提高电池板的耐用性。PBI叶轮行价
PBI塑料能够承受较大的机械应力,保证产品稳定性。江苏PBI密封板供应
PBI纯树脂特性:改性 PBI 聚合物的详细热学和流变学特性已发表,并在第 36 届国际 SAMPE 研讨会上进行了介绍。热分析通过差示扫描量热法 (onset) 测定了 PBl 样品的玻璃化转变温度,如表 1 所示。分子量较低的 PBI 样品的 Tg 值略低,在 411℃-416℃范围内,而标准聚合物的 Tg 为 425℃,在氮气和空气中对所有 PBI 样品进行热重分析 (10℃ min^(-1)),结果显示重量损失曲线相似。与标准PBl一致,所有样品在空气中失重100%,在氮气中总失重25.3%-26.3%,前面10%累计失重温度为375.9℃-428.6℃(表 1)。江苏PBI密封板供应