合肥银蚀刻液蚀刻液报价

一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法技术领域1.本技术涉及化学蚀刻技术领域，具体涉及一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法。背景技术：2.目前，电子器件的基板表面(例如显示器件的阵列基板)通常带有一定图案的氧化铟锡(ito)膜，以便后续给电子器件可控通电。该ito膜通常通过化学蚀刻的方法蚀刻ito材料层形成。其中，对于多晶ito(p-ito)材料，所用蚀刻液主要包括硫酸系、王水系ito蚀刻液。王水系蚀刻液成本低，但其蚀刻速度快，蚀刻的角度难以控制，且容易对ito膜的下层金属造成二次腐蚀。技术实现要素：3.有鉴于此，为克服目前存在的技术难题，本技术提供了一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法。4.具体地，本技术首先方面提供了一种ito蚀刻液，所述ito蚀刻液包括以下重量份数的各组分：20-22份的盐酸，6-7份的硝酸，0.5-3份的酸抑制剂，0.5-3份的表面活性剂，以及水；其中，所述酸抑制剂包括n,n-二异丙基乙胺、n,n-二异丙基乙醇胺中的至少一种；所述表面活性剂包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一种。5.通过对蚀刻液中硝酸及盐酸的含量进行精确限定，以实现了对王水系蚀刻液蚀刻速度的初步调控，并在一定程度上实现了对蚀刻角度的控制(蚀刻角度小于35剥离液有水性和溶剂型等不同的区分。合肥银蚀刻液蚀刻液报价

    对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。实施例一，请参阅图1-4，本实用新型提供技术方案：高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置，包括装置主体1、支撑腿2、电源线3和单片机4，装置主体1的底端固定连接有支撑腿2，装置主体1的后面一侧底部固定连接有电源线3，装置主体1的一侧中间部位固定连接有控制器5，装置主体1的内部底端一侧固定连接有单片机4，装置主体1的顶部一端固定连接有去离子水储罐14，装置主体1的顶部一侧固定连接有磷酸储罐15，磷酸储罐15的底部固定连接有搅拌仓23，搅拌仓23的内部顶部固定连接有搅拌电机13，搅拌仓23的另一侧顶部固定连接有醋酸储罐16，装置主体1的顶部中间一侧固定连接有硝酸储罐17，装置主体1的顶部中间另一侧固定连接有阴离子表面活性剂储罐18，阴离子表面活性剂储罐18的另一侧固定连接有聚氧乙烯型非离子表面活性剂储罐19，装置主体1的顶部另一侧固定连接有氯化钾储罐20。苏州BOE蚀刻液蚀刻液私人定做铜蚀刻液的配方是什么？

    近年来，oled显示器广泛应用于手机和平板显示。金属银以优异的电导率和载流子迁移率被广泛应用于oled显示器的阳极布线(ito/ag/ito)结构中。为了对此进行蚀刻，目前主要使用基于磷酸、硝酸、醋酸和硝酸盐的湿蚀刻液(cna)。这样的体系虽然能有效去除金属银，但在实际使用过程中仍会存在少量的银残留或银再吸附沉积问题。4.本发明所要解决的技术问题在于如何解决现有的银蚀刻液在使用过程中存在少量的银残留、银再吸附沉积问题。5.本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：6.一种银蚀刻液组合物，其成分由质量占比为40-60％磷酸、2-10％硝酸、％有机酸、％硝酸盐、％含氮元素有机物、其余为水组成。

    本发明涉及蚀刻液组合物及选择添加于该蚀刻液组合物的硅烷系偶联剂的方法。背景技术：参照图1，可以确认3dnand闪存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand闪存可以通过在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)来制造。在不损伤氧化物膜的同时将氮化物膜完全去除是这样的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技术之一。一般而言，氮化物膜去除工序中所使用的蚀刻液组合物利用具有防蚀能力的添加剂以获得在不损伤氧化物膜的同时*将氮化物膜完全去除的效果。但是，想要在不损伤氧化物膜的范围内将氮化物膜完全去除时，会使用防蚀能力强的添加剂，由此可能发生氮化物膜没有被完全去除的工序不良(参照图2)。此外，想要将氮化物膜完全去除时，会使用防蚀能力弱的添加剂，由此虽然氮化物膜被完全去除，但是可能发生对氧化物膜也造成损伤(damage)的工序不良(参照图3)。以往，为了在包含氧化物膜和氮化物膜的多层膜中*将氮化物膜选择性完全去除而选择具有适当水平的防蚀能力的添加剂时，按照添加剂的种类和浓度通过实验进行确认。没有这样的实验确认就选择添加剂实际上是不可能的。使用蚀刻液的时候需要注意的事项有哪些？

    很好的对注入量进行精确控制，提高了该装置的制备纯度。附图说明图1为本实用新型的整体示意图；图2为本实用新型的a处放大示意图；图3为本实用新型的b处放大示意图；图4为本实用新型翻折观察板沿a-a方向的截面示意图。图中：1、制备装置主体，2、高效搅拌装置，3、过滤除杂装置，4、翻折观察板，401、观察窗翻折滚轮，402、内嵌观察窗，5、装置底座，6、成品罐，7、盐酸装罐，8、硝酸装罐，9、热水流入漏斗，10、加固支架，11、防烫隔膜，12、旋转摇匀转盘，13、运转电机组，14、震荡弹簧件，15、控制面板，16、致密防腐杆，17、搅动孔，18、注入量控制容器，19、注入量观察刻度线，20、限流销，21、负压引流器，22、嵌入引流口。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例**是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。请参阅图1-4，本实用新型提供一种技术方案：一种ito蚀刻液制备装置，包括制备装置主体1、高效搅拌装置2和过滤除杂装置3。苏州有哪些公司可以做蚀刻液。江苏蚀刻液销售电话

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    从蚀刻速度及安全性的观点来看，推荐为40℃至70℃，更推荐为45℃至55℃。处理时间视对象物的表面状态及形状等而变化，通常为30秒至120秒左右。实施例然后，对本发明的实施例与比较例一起进行说明。此外，本发明并非限定于下述实施例而解释。制备表1及表2所示的组成的各蚀刻液，在下述条件下进行蚀刻试验及蚀刻液的稳定性试验。此外，表1及表2所示的组成的各蚀刻液中，剩余部分为离子交换水。另外，表1及表2所示的盐酸的浓度为以氯化氢计的浓度。(蚀刻试验)通过溅镀法在树脂上形成50nm的钛膜，然后成膜200nm的铜膜，进而通过电镀铜在该铜膜上形成图案，将所得的基板用作试样。使用铜的蚀刻液，将试样的溅镀铜膜溶解而使钛膜露出。然后，将试样浸渍在实施例1至实施例12及比较例1至比较例3的蚀刻液中进行蚀刻实验。将实验结果示于表1。[表1]像表1所示那样，本发明的蚀刻液可在不蚀刻铜的情况下选择性地蚀刻钛。(蚀刻液的稳定性试验)将实施例1、实施例7、实施例12及比较例4的蚀刻液在室温下放置2天后，进行所述蚀刻试验，比较放置前后的蚀刻速度。将比较结果示于表2。[表2]像表2所示那样，本发明的蚀刻液的保存稳定性优异，即便在长期保存的情况下也可稳定地选择性地蚀刻钛。合肥银蚀刻液蚀刻液报价