池州半导体剥离液产品介绍

光刻胶残留大，残留分布不均匀，并且产生边缘聚集残留。为了能够进一步地表示配方一和配方二之间的光刻胶残留量对比，图2中将多张单张检测图进行叠加，可以更加清楚地看出两者之间的区别，能够明显地看出使用配方一的剥离液，高世代面板边缘光刻胶残留量大。下面列举更多剥离液组分实施例。表三：不同组分的剥离液表四：测试剥离性能时间30s50s70s90s1okokokok2okokokok3okokokok4okokokok5okokokok6okokokok7okokokok8okokokok9okokokok表三为9组不同组分的所制成的剥离液，9组不同组分的剥离液都进行剥离性能测试，在50℃下分别放入切好的玻璃，进行剥离性能测试，测试结果如表四所示，具有良好的剥离效果。通过上述，本实施方式中的剥离液采用酰胺、醇醚、环胺与链胺、缓蚀剂、润湿剂制得，有效地提高了光刻胶的剥离效果，减少了光刻胶的残留。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例。哪家公司的剥离液的有售后？池州半导体剥离液产品介绍

本发明涉及剥离液技术领域：，更具体的说是涉及一种光刻胶剥离液再生方法。背景技术：：电子行业飞速发展，光刻胶应用也越来越***。在半导体元器件制造过程中，经过涂敷-显影-蚀刻过程，在底层金属材料上蚀刻出所需线条之后，必须在除去残余光刻胶的同时不能损伤任何基材，才能再进行下道工序。因此，光刻胶的剥离质量也有直接影响着产品的质量。而随着电子行业的发展以及高世代面板的面世，光刻胶剥离液的使用越来越多。剥离液废液中含有光刻胶树脂、水和某些金属杂质，而剥离液废液的处理主要是通过焚烧或者低水平回收，其大量的使用但不能够有效地回收，对环境、资源等都造成了比较大的影响。有鉴于此，申请人研发出以下的对使用后的光刻胶剥离液回收及再生方法。技术实现要素：本发明的目的是提供一种光刻胶剥离液再生方法。为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：本申请公开了一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液，包括以下质量组分：光刻胶剥离液再生方法，包括以下步骤：s1：回收剥离液新液使用后的剥离液废液，将剥离液废液经过蒸馏、加压工序，得出剥离液废液的纯化液体；纯化液体中含有酰胺化合物、醇醚化合物以及胺化合物；s2：制备添加剂。池州天马用的蚀刻液剥离液溶剂剥离液有水性和溶剂型两种不同的区分。

每一所述第二子管道502与所述公共子管道501连通，所述公共子管道501与所述下一级腔室102连通。其中，阀门开关60设置在每一子管道301上。在一些实施例中，阀门开关60设置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些实施例中，阀门开关60设置在每一第二子管道502上。具体的，阀门开关60的设置位置可以设置在连接过滤器30的任意管道上，在此不做赘述。在一些实施例中，请参阅图4，图4为本申请实施例提供的剥离液机台100的第四种结构示意图。第二管道50包括多个第三子管道503，每一所述第三子管道503与一子过滤器连通301，且每一所述第三子管道503与所述下一级腔室连通102。其中，阀门开关60设置在每一第三子管道503上。本申请实施例提供的剥离液机台，包括：依次顺序排列的多级腔室、每一级所述腔室对应连接一存储箱；过滤器，所述过滤器的一端设置通过管道与当前级腔室对应的存储箱连接，所述过滤器的另一端通过第二管道与下一级腔室连接；其中，至少在管道或所述第二管道上设置有阀门开关。通过阀门开关控制连接每一级腔室的过滤器相互独立，从而在过滤器被阻塞时通过阀门开关将被堵塞的过滤器取下并不影响整体的剥离进程，提高生产效率。

采用此方法可以制备出负性光刻胶所能制备的任意结构，同时相比于传统的加工，本方案加工效率可以提高上千倍，且图形的结构越大相对的加工效率越高。本发明为微纳制造领域，光学领域，电学领域，声学领域，生物领域，mems制造，nems制造，集成电路等领域提供了一种新的有效的解决方案。附图说明图1为本发明制备用电子束在pmma上曝光出圆形阵列的轮廓；图2为本发明用黏贴层撕走pmma轮廓以外的结构后得到的圆形柱状阵列；图3为实施例1步骤三的结构图；图4为实施例1步骤四的结构图；图5为实施例1步骤五的结构图；图6为实施例1步骤六的结构图。具体实施方式为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步详细的描述。实施例1一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，并清洗；步骤二、使用十三氟正辛基硅烷利用高温气体修饰法对衬底进行修饰；步骤三、利用旋涂的方法在衬底上旋涂光刻胶pmma得到薄膜，如图3。步骤四、在光刻胶上加工出所需结构的轮廓如圆形，如图4所示。步骤五、在加工出结构轮廓的薄膜上面覆盖一层黏贴层，如图5。步骤六、揭开黏贴层及结构轮廓以外的薄膜，在衬底上留下轮廓内的微纳尺度结构。质量好的剥离液的公司联系方式。

高世代面板)表面上，或透入其表面，而把固体物料润湿，剥离液亲水性良好，能快速高效地剥离溶解光刻胶。因此，本申请中的高世代面板铜制程光刻胶剥离液由酰胺、醇醚、环胺与链胺、缓蚀剂、润湿剂组成。其中，酰胺可以为n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲酰胺中的任意一种或多种，酰胺是用于溶解光刻胶；n-甲基甲酰胺下面简称″nmf″醇醚为二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一种或多种，醇醚是用于润湿、膨润、溶解光刻胶的；二乙二醇丁醚下面简称″bdg″。环胺与链胺，用于渗透、断开光刻胶分子间弱结合力；链胺：分子量的大小决定瞬间溶解力，分子量过大瞬间溶解力小，光刻胶未被完全溶解；分子量过小，对金属的腐蚀性增强，影响产品质量。分子量一般在50g/mol-200g/mol，链胺为乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一种或多种；环胺：溶解光刻胶中环状结构的树脂，包括氨乙基哌嗪、羟乙基哌嗪、氨乙基吗啉中的任意一种或多种；上述链胺与环胺的比例在4∶1-1∶4之间。缓蚀剂，用于降低对金属的腐蚀速度，缓蚀剂为三唑类物质，具体为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一种。润湿剂。华星光电用的哪家的剥离液？池州半导体剥离液产品介绍

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所述硫脲类缓蚀剂包括硫脲、苯基硫脲或月桂酰基硫脲中的一种。具体的，所述聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂为聚氧乙烯聚氧丙烯单丁基醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚、二壬基酚聚氧乙烯醚中的一种。采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液具有较快的剥离速度，对金属的腐蚀率低，而且使用寿命长。具体实施方式本发明涉及一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液，配方包括10～20wt％二甲基亚砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氢氧化铵，～1wt％硫脲类缓蚀剂和～2wt％聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂，5～15wt％n-甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂因为分子中的醚键不易被酸、碱破坏，所以稳定性较高，水溶性较好，耐电解质，易于生物降解，泡沫小。硫脲类缓蚀剂呈现弱碱性，所以在酸性介质中能够起到缓蚀的效果，另外与聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂和n-甲基吡咯烷酮配合可以起到提高处理量的作用。下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。池州半导体剥离液产品介绍