企业商机
剥离液基本参数
  • 品牌
  • 博洋化学
  • 纯度级别
  • 超纯/高纯
  • 类型
  • 醇,醚
  • 产品性状
  • 液态
剥离液企业商机

所述过滤器包括多个并列排布的子过滤器,所述道包括多个子管道,每一所述子管道与一子过滤器连通,且所述多个子管道与当前级腔室对应的存储箱连通。在一些实施例中,所述第二管道包括公共子管道及多个第二子管道,每一所述第二子管道与一子过滤器连通,每一所述第二子管道与所述公共子管道连通,所述公共子管道与所述下一级腔室连通。在一些实施例中,所述阀门开关设置在每一所述子管道上。在一些实施例中,所述阀门开关设置在每一所述第二子管道上。在一些实施例中,所述阀门开关设置在每一所述子管道及每一所述第二子管道上。在一些实施例中,所述第二管道包括多个第三子管道,每一所述第三子管道与一子过滤器连通,且每一所述第三子管道与所述下一级腔室连通。在一些实施例中,所述阀门开关设置在每一所述第三子管道上。本申请实施例还提供一种剥离液机台的工作方法,包括:将多级腔室顺序排列,按照处于剥离制程的剥离基板的传送方向逐级向剥离基板提供剥离液;将来自于当前级腔室经历剥离制程的剥离液收集和存储于当前级腔室相应的存储箱中,所述剥离液中夹杂有薄膜碎屑;使用当前级腔室相应的过滤器过滤来自当前级腔室的剥离液并将过滤后的剥离液传输至下一级腔室。剥离液可适用不同制程光刻胶的剥离;合肥ITO蚀刻液剥离液主要作用

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添加剂中含有醇醚化合物、胺化合物、缓蚀剂以及润湿剂;s3:将步骤s1的剥离液废液与添加剂混合,重新制备剥离液新液,制备过程中加入酰胺化合物或醇醚化合物。光刻胶剥离液为纯有机溶剂体系,废液可通过蒸馏回收80-95%有效物,得出纯化液体,而在上述制备方式中,纯化液体所含的组分与添加剂所含的组分之间是具有相重复的,可以认为,添加剂是根据已知的剥离液新液的组分进行配制的,添加剂可以是对纯化液体与剥离液新液之间的组分的差别而进行的添加、补充,使得纯化液体和添加剂混合后,能够具有与剥离液新液相同的组分。那么,可以知道,在预先知道剥离液新液的组分的基础上,可以通过预先配制含有剥离液新液中的某些组分的添加剂,然后在制备回收的剥离液废液得出纯化液体时,可以将添加剂加入纯化液体中,再进行质量分数的调节。纯化液体是将剥离液废液进行加压、蒸馏,去除剥离液废液中的非剥离液新液的组分的物质,然后得出的纯化液体,纯化液体中所含的组分物质,都是剥离液新液所含有的组分物质。进一步技术方案中,所述的步骤1中得出的纯化液体中含有的酰胺化合物的质量分为:45%-60%;含有的醇醚化合物的质量分为:35%-50%。广州哪家剥离液什么价格华星光电用的哪家的剥离液?

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本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施,并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是,提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整,并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。如图1所示,本发明提供的光刻胶剥离去除方法主要实施例,用于半导体制造工艺中,可应用于包括但不限于mos、finfet等所有现有技术中涉及光刻胶剥离去除的生产步骤,主要包括以下步骤:s1,在半导体衬底上淀积介质层;s2,旋涂光刻胶并曝光显影,形成光刻图形阻挡层;s3,执行离子注入:s4,采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀,对光刻胶进行干法剥离;s5,对衬底表面进行清洗。本发明刻胶剥离去除方法主要实施例采用能与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应生成含氨挥发性化合物气体,与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应速率相等的等离子体氮氢混合气体能更高效的剥离去除光刻胶,有效降低光刻胶残留。进而避免由于光刻胶残留造成对后续工艺的影响,提高产品良率。参考图11和图12所示,在生产线上采用本发明的光刻胶剥离去除方法后,监控晶圆产品缺陷由585颗降低到32颗,证明本发明光刻胶剥离去除方法的的改善的产品缺陷,促进了产品良率的提升。

常在印刷电路板,液晶显示面板,半导体集成电路等工艺制造过程中,需要通过多次图形掩膜照射曝光及蚀刻等工序在硅晶圆或玻璃基片上形成多层精密的微电路,形成微电路之后,进一步用剥离液将涂覆在微电路保护区域上作为掩膜的光刻胶除去。比如光电TFT-LCD生产工艺主要包含光阻涂布、显影、去光阻、相关清洗作业四大阶段,其中在去光阻阶段会产生部分剥离液。印制电路板生产工艺相当复杂。不仅设备和制造工艺的科技含量高,工艺流程长,用水量大,而且所用的化学药品(包括各种添加剂)种类多、用量大。因此,在用减成法生产印刷线路板的过程中,产污环节多,种类繁杂,物料损耗大。可分为干法加工(设计和布线、模版制作、钻孔、贴膜、曝光和外形加工等)和湿法加工(内层板黑膜氧化、去孔壁树脂腻污、沉铜、电镀、显影、蚀刻、脱膜、丝印、热风整平等)过程。其中在脱模(剥膜)工序为了脱除废旧电路板表面残留焊锡,需用硝酸为氧化剂,氨基磺酸为稳定剂,苯并三氮唑为铜的缓蚀剂进行操作,整个工序中会产生大量的剥离液,有机溶剂成分较大。苏州博洋化学股份有限公司剥离液;

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高世代面板)表面上,或透入其表面,而把固体物料润湿,剥离液亲水性良好,能快速高效地剥离溶解光刻胶。因此,本申请中的高世代面板铜制程光刻胶剥离液由酰胺、醇醚、环胺与链胺、缓蚀剂、润湿剂组成。其中,酰胺可以为n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一种或多种,酰胺是用于溶解光刻胶;n-甲基甲酰胺下面简称″nmf″醇醚为二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一种或多种,醇醚是用于润湿、膨润、溶解光刻胶的;二乙二醇丁醚下面简称″bdg″。环胺与链胺,用于渗透、断开光刻胶分子间弱结合力;链胺:分子量的大小决定瞬间溶解力,分子量过大瞬间溶解力小,光刻胶未被完全溶解;分子量过小,对金属的腐蚀性增强,影响产品质量。分子量一般在50g/mol-200g/mol,链胺为乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一种或多种;环胺:溶解光刻胶中环状结构的树脂,包括氨乙基哌嗪、羟乙基哌嗪、氨乙基吗啉中的任意一种或多种;上述链胺与环胺的比例在4∶1-1∶4之间。缓蚀剂,用于降低对金属的腐蚀速度,缓蚀剂为三唑类物质,具体为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一种。润湿剂。晶圆制造用剥离液的生产企业有哪些;广东剥离液费用是多少

剥离液的特性是什么?合肥ITO蚀刻液剥离液主要作用

避免接触皮肤、眼睛和衣服;存储:密闭存放在阴凉干燥的地方8.防燥和人员保护极限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)10ppmAIHA,TWAN,N-DIMETHYLACETAMIDE-TWA:10ppm,35mg/m3通风:良好的通风措施,保持良好通风人员保护设备:橡胶手套、防护目镜,避免接触皮肤、眼睛、衣服、避免吸入蒸汽压;9.物理和化学性能物理测试:液体颜色:微黄气味:类氨熔点:-24~-23℃沸点:165~204℃闪点:110℃蒸汽压mmHg@20℃蒸汽压密度(空气=1):密度(水=1):粘度:10~200cps水中溶解性:任意比例混溶其它溶剂:溶于部分有机溶剂PH值:10.稳定性与活性稳定性:稳定危险反应:有机和无机酸、强氧化剂、碱金属、强酸混溶性:强氧化剂和酸不能混溶,在高温气压下可与二硫化碳反应避免条件:热、火、火源及混溶11.毒性N-Methyl-2-pyrrolidone实际毒性LD50/口服:3600mg/kgLD50/皮肤接触(兔):8000mg/kgLC50/吸入(鼠):>mg/1/4hN,N-DIMETHYLACETAMIDELD50/口服/鼠:>2000mg/kgLD50/皮肤接触/兔:>。合肥ITO蚀刻液剥离液主要作用

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