半导体烧结银胶用途

在功率器件封装中，即使经过多次热循环和机械振动，TS-9853G依然能够保持良好的连接性能，减少因EBO问题导致的产品失效，为功率器件的稳定运行提供了有力保障。在导热性能方面，TS-9853G的导热率达到130W/mK，处于半烧结银胶的较高水平。这使得它在需要高效散热的应用中能够发挥出色的作用，能够快速将电子元件产生的热量传导出去，降低芯片温度，提高电子设备的性能和稳定性。它在固化过程中能够形成更加均匀和稳定的连接结构，增强了银胶与电子元件之间的结合力，从而提高了产品的长期可靠性。烧结银胶，铸就高导热连接层。半导体烧结银胶用途

对于不同型号的银胶，其导热率对电子设备散热的影响也各不相同。以高导热银胶、半烧结银胶和烧结银胶为例，高导热银胶的导热率一般在 10W - 80W/mK 之间，适用于一般的电子设备散热需求，如普通的集成电路封装。半烧结银胶的导热率通常在 80W - 200W/mK 之间，在一些对散热要求较高，但又需要兼顾工艺和成本的应用中表现出色，如汽车电子的功率模块。烧结银胶的导热率则可达到 200W/mK 以上，主要应用于对散热性能要求极高的品牌电子设备，如航空航天领域的电子器件。膏焊点保护烧结银胶方式高导热银胶，电子散热的好伙伴。

其次，TS - 9853G 对 EBO（环氧基有机硅化合物）有比较好的优化。EBO 在电子封装中常用于提高材料的柔韧性和耐化学腐蚀性，但它的加入可能会对银胶的某些性能产生影响。TS - 9853G 通过优化配方和工艺，有效地解决了这一问题，使得银胶在保持高导热性能的同时，还具备更好的柔韧性和耐化学腐蚀性。这一优化使得 TS - 9853G 在一些对材料柔韧性和耐化学腐蚀性要求较高的应用中表现出色，如在柔性电路板的封装中，它能够适应电路板的弯曲和折叠，同时抵御环境中的化学物质侵蚀，保证电子设备的长期稳定运行。

与这些主要竞争对手相比，TANAKA 具有自身独特的优势。在技术方面，TANAKA 在贵金属材料领域拥有深厚的技术积累，其研发的高导热银胶、烧结银胶及半烧结银胶在导热性能方面表现优异。例如，TANAKA 的明星产品 TS - 1855，导热率高达 80W/mk，是目前市面上比较高导热率的导电银胶之一；TS - 9853G 导热率达到 130w/mk，且符合欧盟 PFAS 要求，对 EBO 有较好优化；TS - 985A - G6DG 导热率更是高达 200w/mk，在高导热烧结银胶领域具有重要地位。这些高性能的产品能够满足客户对散热性能的严苛要求，尤其在一些对导热性能要求极高的品牌应用领域，TANAKA 的产品具有明显的竞争优势。TS - 1855 银胶，高导热性能出众。

TS-985A-G6DG高导热烧结银胶的导热率高达200W/mK，在烧结银胶中属于高性能产品。如此高的导热率使其在高温、高功率应用中具有无可比拟的优势，能够迅速将大量热量传导出去，确保电子元件在极端条件下的正常工作。在航空航天电子设备中，电子元件需要在高温、高辐射等恶劣环境下运行，TS-985A-G6DG能够将芯片产生的热量快速导出，避免因过热导致的设备故障，保障航空航天任务的顺利进行。除了高导热率，TS-985A-G6DG还具有高可靠性。它在烧结后形成的银连接层具有良好的稳定性和机械强度，能够承受高温、高湿度、强振动等恶劣环境的考验。半烧结银胶，适应多种封装需求。本地烧结银胶用途

TS - 985A - G6DG，高温稳定。半导体烧结银胶用途

烧结银胶的烧结原理是基于固态扩散机制和液态烧结辅助机制。在固态扩散机制中，当烧结温度升高到一定程度时，银原子获得足够的能量开始活跃，银粉颗粒之间通过原子的扩散作用逐渐形成连接。在烧结初期，银粉颗粒之间先是通过点接触开始形成烧结颈，随着原子不断扩散，颗粒间距离缩小，表面自由能降低，颈部逐渐长大变粗并形成晶界，晶界滑移带动晶粒生长 ，坯体中的颗粒重排，接触处产生键合，空隙变形、缩小。在烧结中期，颗粒和颗粒开始形成致密化连接，扩散机制包括表面扩散、表面晶格扩散、晶界扩散和晶界晶格扩散等，颗粒间的颈部继续长大，晶粒逐步长大并且颗粒之间的晶界逐渐形成连续网络，气孔相互孤立，并逐渐形成球形，位于晶粒界面处或晶粒结合点处。半导体烧结银胶用途