该研究所将晶圆键合技术与微机电系统（MEMS）的制备相结合，探索其在微型传感器与执行器中的应用。在 MEMS 器件的多层结构制备中，键合技术可实现不同功能层的精确组装，提高器件的集成度与性能稳定性。科研团队利用微纳加工平台的优势，在键合后的晶圆上进行精细的结构加工，制作出具有复杂三维结构的 MEMS 器件原型。测试数据显示，采用键合技术制备的器件在灵敏度与响应速度上较传统方法有一定提升。这些研究为 MEMS 技术的发展提供了新的工艺选择，也拓宽了晶圆键合技术的应用领域。利用多平台协同优势，测试晶圆键合后材料热导率的变化情况。四川低温晶圆键合外协
晶圆键合赋能红外成像主要组件升级。锗硅异质界面光学匹配层实现3-14μm宽波段增透，透过率突破理论极限达99%。真空密封腔体抑制热噪声，噪声等效温差压至30mK。在边境安防系统应用中，夜间识别距离提升至5公里，误报率下降85%。自对准结构适应-55℃～125℃极端温差，保障西北高原无人巡逻装备全年运行。创新吸杂层设计延长探测器寿命至10年。量子计算芯片键合突破低温互连瓶颈。超导铝-硅量子阱低温冷焊实现零电阻互联，量子态退相干时间延长至200μs。离子束抛光界面使量子比特频率漂移小于0.01%。谷歌72比特处理器实测显示，双量子门保真度99.92%，量子体积提升100倍。氦气循环冷却系统与键合结构协同，功耗降低至传统方案的1/100。模块化设计支持千级比特扩展。黑龙江阳极晶圆键合工艺晶圆键合推动高效水处理微等离子体发生器的电极结构创新。
围绕晶圆键合技术的中试转化，研究所建立了从实验室工艺到中试生产的过渡流程，确保技术参数在放大过程中的稳定性。在 2 英寸晶圆键合技术成熟的基础上，团队逐步探索 6 英寸晶圆的中试工艺，通过改进设备的承载能力与温度控制精度，适应更大尺寸晶圆的键合需求。中试过程中，重点监测键合良率的变化，分析尺寸放大对工艺稳定性的影响因素，针对性地调整参数设置。目前，6 英寸晶圆键合的中试良率已达到较高水平，为后续的产业化应用提供了可行的技术方案，体现了研究所将科研成果转化为实际生产力的能力。
针对晶圆键合技术中的能耗问题，科研团队开展了节能工艺的研究，探索在保证键合质量的前提下降低能耗的可能。通过优化温度 - 压力曲线，缩短高温保持时间，同时采用更高效的加热方式，在实验中实现了能耗的一定程度降低。对比传统工艺，改进后的方案在键合强度上虽无明显提升，但能耗降低了部分比例，且键合界面的质量稳定性不受影响。这项研究符合半导体产业绿色发展的趋势，为晶圆键合技术的可持续应用提供了思路，也体现了研究所对工艺细节的持续优化精神。晶圆键合为光电融合神经形态计算提供异质材料接口解决方案。
量子点显示晶圆键合突破色域极限。InGaN-钙钛矿量子点键合实现108%NTSC覆盖，色彩还原准确度ΔE<0.3。三星MicroLED电视实测峰值亮度5000nit，功耗降低40%。光学微腔结构使光效达200lm/W，寿命延长至10万小时。曲面转移技术实现8K分辨率无接缝拼接，为元宇宙虚拟世界提供沉浸体验。人工光合晶圆键合助力碳中和。二氧化钛-石墨烯催化界面键合加速水分解，太阳能转化率突破12%。300平方米示范装置日均产出氢气80kg，纯度达99.999%。微流控反应器实现CO₂至甲醇定向转化，碳捕集成本降至$50/吨。模块化设计支持沙漠电站建设，日产甲醇可供新能源汽车行驶千公里。晶圆键合革新高效海水淡化膜的纳米选择性通道构建工艺。甘肃高温晶圆键合加工厂商
晶圆键合为植入式医疗电子提供长效生物界面封装。四川低温晶圆键合外协
研究所利用其作为中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会倚靠单位的优势，组织行业内行家围绕晶圆键合技术开展交流研讨。通过举办技术论坛与专题研讨会，分享研究成果与应用经验，探讨技术发展中的共性问题与解决思路。在近期的一次研讨中，来自不同机构的行家就低温键合技术的发展趋势交换了意见，形成了多项有价值的共识。这些交流活动促进了行业内的技术共享与合作，有助于推动晶圆键合技术的整体进步，也提升了研究所在该领域的学术影响力。四川低温晶圆键合外协
