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DDR测试基本参数
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对于DDR2-800,这所有的拓扑结构都适用,只是有少许的差别。然而,也是知道的,菊花链式拓扑结构被证明在SI方面是具有优势的。对于超过两片的SDRAM,通常,是根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结构。图3显示了不同摆放方式而特殊设计的拓扑结构,在这些拓扑结构中,只有A和D是适合4层板的PCB设计。然而,对于DDR2-800,所列的这些拓扑结构都能满足其波形的完整性,而在DDR3的设计中,特别是在1600Mbps时,则只有D是满足设计的。DDR3信号质量自动测试软件;电气性能测试DDR测试协议测试方法

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DDR测试信号和协议测试

DDR4一致性测试工作台(用示波器中的一致性测试软件分析DDR仿真波形)对DDR5来说,设计更为复杂,仿真软件需要帮助用户通过应用IBIS模型针对基于DDR5颗粒或DIMM的系统进行仿真验证,比如仿真驱动能力、随机抖动/确定性抖动、寄生电容、片上端接ODT、信号上升/下降时间、AGC(自动增益控制)功能、4tapsDFE(4抽头判决反馈均衡)等。

克劳德高速数字信号测试实验室

地址:深圳市南山区南头街道中祥路8号君翔达大厦A栋2楼H区 电气性能测试DDR测试协议测试方法DDR信号的眼图模板要求那些定义;

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内存条测试对内存条测试的要求是千差万别的。DDR内存条的制造商假定已经进行过芯片级半导体故障的测试,因而他们的测试也就集中在功能执行和组装错误方面。通过采用DDR双列直插内存条和小型双列直插内存条,可以有三种不同内存条测试仪方案:双循环DDR读取测试。这恐怕是简单的测试仪方案。大多数的测试仪公司一般对他们现有的SDR测试仪作一些很小的改动就将它们作为DDR测试仪推出。SDR测试仪的写方式是将同一数据写在连续排列的二个位上。在读取过程中,SDR测试仪能首先读DDR内存条的奇数位数据。然后,通过将数据锁存平移半个时钟周期,由第二循环读偶数位。这使得测试仪能完全访问DDR内存单元。该方法没有包括真正的突发测试,而且也不是真正的循环周期测试。


trombone线的时延是受到其并行走线之间的耦合而影响,一种在不需要提高其间距的情况下,并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth线。显然,sawtooth线比trombone线具有更好的效果。但是,依来看它需要更多的空间。由于各种可能造成时延不同的原因,所以,在实际的设计时,要借助于CAD工具进行严格的计算,从而控制走线的时延匹配。考虑到在图2中6层板上的过孔的因素,当一个地过孔靠近信号过孔放置时,则在时延方面的影响是必须要考虑的。先举个例子,在TOP层的微带线长度是150mils,BOTTOM层的微带线也是150mils,线宽都为4mils,且过孔的参数为:barreldiameter=”8mils”,paddiameter=”18mils”,anti-paddiameter=”26mils”。DDR3总线上的工作时序;

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2.PCB的叠层(stackup)和阻抗对于一块受PCB层数约束的基板(如4层板)来说,其所有的信号线只能走在TOP和BOTTOM层,中间的两层,其中一层为GND平面层,而另一层为VDD平面层,Vtt和Vref在VDD平面层布线。而当使用6层来走线时,设计一种拓扑结构变得更加容易,同时由于Power层和GND层的间距变小了,从而提高了电源完整性。互联通道的另一参数阻抗,在DDR2的设计时必须是恒定连续的,单端走线的阻抗匹配电阻50Ohms必须被用到所有的单端信号上,且做到阻抗匹配,而对于差分信号,100Ohms的终端阻抗匹配电阻必须被用到所有的差分信号终端,比如CLOCK和DQS信号。另外,所有的匹配电阻必须上拉到VTT,且保持50Ohms,ODT的设置也必须保持在50Ohms。在DDR3的设计时,单端信号的终端匹配电阻在40和60Ohms之间可选择的被设计到ADDR/CMD/CNTRL信号线上,这已经被证明有很多的优点。而且,上拉到VTT的终端匹配电阻根据SI仿真的结果的走线阻抗,电阻值可能需要做出不同的选择,通常其电阻值在30-70Ohms之间。而差分信号的阻抗匹配电阻始终在100Ohms。DDR测试信号问题排查;电气性能测试DDR测试协议测试方法

用DDR的BGA探头引出测试信号;电气性能测试DDR测试协议测试方法

7.时序对于时序的计算和分析在一些相关文献里有详细的介绍,下面列出需要设置和分析的8个方面:1)写建立分析:DQvs.DQS2)写保持分析:DQvs.DQS3)读建立分析:DQvs.DQS4)读保持分析:DQvs.DQS5)写建立分析:DQSvs.CLK6)写保持分析:DQSvs.CLK7)写建立分析:ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8)写保持分析:ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一个针对写建立(WriteSetup)分析的例子。表中的一些数据需要从控制器和存储器厂家获取,段”Interconnect”的数据是取之于SI仿真工具。对于DDR2上面所有的8项都是需要分析的,而对于DDR3,5项和6项不需要考虑。在PCB设计时,长度方面的容差必须要保证totalmargin是正的。 电气性能测试DDR测试协议测试方法

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