企业商机
DDR测试基本参数
  • 品牌
  • 克劳德
  • 型号
  • DDR测试
DDR测试企业商机

8.PCBLayout在实际的PCB设计时,考虑到SI的要求,往往有很多的折中方案。通常,需要优先考虑对于那些对信号的完整性要求比较高的。画PCB时,当考虑以下的一些相关因素,那么对于设计PCB来说可靠性就会更高。1)首先,要在相关的EDA工具里设置好拓扑结构和相关约束。2)将BGA引脚突围,将ADDR/CMD/CNTRL引脚布置在DQ/DQS/DM字节组的中间,由于所有这些分组操作,为了尽可能少的信号交叉,一些的管脚也许会被交换到其它区域布线。3)由串扰仿真的结果可知,尽量减少短线(stubs)长度。通常,短线(stubs)是可以被削减的,但不是所有的管脚都做得到的。在BGA焊盘和存储器焊盘之间也许只需要两段的走线就可以实现了,但是此走线必须要很细,那么就提高了PCB的制作成本,而且,不是所有的走线都只需要两段的,除非使用微小的过孔和盘中孔的技术。终,考虑到信号完整性的容差和成本,可能选择折中的方案。DDR在信号测试中解决的问题有那些;多端口矩阵测试DDR测试哪里买

多端口矩阵测试DDR测试哪里买,DDR测试

4.时延匹配在做到时延的匹配时,往往会在布线时采用trombone方式走线,另外,在布线时难免会有切换板层的时候,此时就会添加一些过孔。不幸的是,但所有这些弯曲的走线和带过孔的走线,将它们拉直变为等长度理想走线时,此时它们的时延是不等的,

显然,上面讲到的trombone方式在时延方面同直走线的不对等是很好理解的,而带过孔的走线就更加明显了。在中心线长度对等的情况下,trombone走线的时延比直走线的实际延时是要来的小的,而对于带有过孔的走线,时延是要来的大的。这种时延的产生,这里有两种方法去解决它。一种方法是,只需要在EDA工具里进行精确的时延匹配计算,然后控制走线的长度就可以了。而另一种方法是在可接受的范围内,减少不匹配度。对于trombone线,时延的不对等可以通过增大L3的长度而降低,因为并行线间会存在耦合,其详细的结果,可以通过SigXP仿真清楚的看出,L3长度的不同,其结果会有不同的时延,尽可能的加长S的长度,则可以更好的降低时延的不对等。对于微带线来说,L3大于7倍的走线到地的距离是必须的。 眼图测试DDR测试USB测试DDR4信号完整性测试案例;

多端口矩阵测试DDR测试哪里买,DDR测试

DDR测试

要注意的是,由于DDR的总线上存在内存控制器和内存颗粒两种主要芯片,所以DDR的信号质量测试理论上也应该同时涉及这两类芯片的测试。但是由于JEDEC只规定了对于内存颗粒这一侧的信号质量的要求,因此DDR的自动测试软件也只对这一侧的信号质量进行测试。对于内存控制器一侧的信号质量来说,不同控制器芯片厂商有不同的要求,目前没有统一的规范,因此其信号质量的测试还只能使用手动的方法。这时用户可以在内存控制器一侧选择测试点,并借助合适的信号读/写分离手段来进行手动测试。

DDR测试DDR/LPDDR简介目前在计算机主板和各种嵌入式的应用中,存储器是必不可少的。常用的存储器有两种:一种是非易失性的,即掉电不会丢失数据,常用的有Flash(闪存)或者ROM(Read-OnlyMemory),这种存储器速度较慢,主要用于存储程序代码、文件以及长久的数据信息等;另一种是易失性的,即掉电会丢失数据,常用的有RAM(RandomAccessMemory,随机存储器),这种存储器运行速度较快,主要用于程序运行时的程序或者数据缓存等。图5.1是市面上一些主流存储器类型的划分DDR平均速率以及变化情况;

多端口矩阵测试DDR测试哪里买,DDR测试

DDR测试

测试软件运行后,示波器会自动设置时基、垂直增益、触发等参数进行测量并汇总成一个测试报告,测试报告中列出了测试的项目、是否通过、spec的要求、实测值、margin等。图5.17是自动测试软件进行DDR4眼图睁开度测量的一个例子。信号质量的测试还可以辅助用户进行内存参数的配置,比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能,用户可以通过软件配置改变内存芯片中的匹配电阻,并分析对信号质量的影响。除了一致性测试以外,DDR测试软件还可以支持调试功能。比如在某个关键参数测试失败后,可以针对这个参数进行Debug。此时,测试软件会捕获、存储一段时间的波形并进行参数统计,根据统计结果可以查找到参数违规时对应的波形位置, DDR规范里关于信号建立;PCI-E测试DDR测试眼图测试

DDR协议检查后生成的测试报告;多端口矩阵测试DDR测试哪里买

DDR测试按照存储信息方式的不同,随机存储器又分为静态随机存储器SRAM(StaticRAM)和动态随机存储器DRAM(DynamicRAM)。SRAM运行速度较快、时延小、控制简单,但是SRAM每比特的数据存储需要多个晶体管,不容易实现大的存储容量,主要用于一些对时延和速度有要求但又不需要太大容量的场合,如一些CPU芯片内置的缓存等。DRAM的时延比SRAM大,而且需要定期的刷新,控制电路相对复杂。但是由于DRAM每比特数据存储只需要一个晶体管,因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特点,目前已经成为大容量RAM的主流,典型的如现在的PC、服务器、嵌入式系统上用的大容量内存都是DRAM。多端口矩阵测试DDR测试哪里买

与DDR测试相关的文章
PCI-E测试DDR测试项目 2026-03-23

5.串扰在设计微带线时,串扰是产生时延的一个相当重要的因素。通常,可以通过加大并行微带线之间的间距来降低串扰的相互影响,然而,在合理利用走线空间上这是一个很大的弊端,所以,应该控制在一个合理的范围里面。典型的一个规则是,并行走线的间距大于走线到地平面的距离的两倍。另外,地过孔也起到一个相当重要的作用,图8显示了有地过孔和没地过孔的耦合程度,在有多个地过孔的情况下,其耦合程度降低了7dB。考虑到互联通路的成本预算,对于两边进行适当的仿真是必须的,当在所有的网线上加一个周期性的激励,将会由串扰产生的信号抖动,通过仿真,可以在时域观察信号的抖动,从而通过合理的设计,综合考虑空间和信号完整性,选择比较...

与DDR测试相关的问题
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责