图简单地给出了晶闸管开通和关断过程的电压与电流波形。图中开通过程描述的是晶闸管门极在坐标原点时刻开始受到理想阶跃触发电流触发的情况;而关断过程描述的是对已导通的晶闸管,在外电路所施加的电压在某一时刻突然由正向变为反向的情况(如图中点划线波形)。开通过程晶闸管的开通过程就是载流子不断扩散的过程。对于晶闸管的开通过程主要关注的是晶闸管的开通时...
查看详细 >>由此证明被测RCT质量良好。注意事项:(1)S3900MF的VTR<,宜选R×1档测量。(2)若再用读取电流法求出ITR值,还可以绘制反向伏安特性。①一般小功率晶闸管不需加散热片,但应远离发热元件,如大功率电阻、大功率三极管以及电源变压器等。对于大功率晶闸管,必须按手册申的要求加装散热装置及冷却条件,以保证管子工作时的温度不超...
查看详细 >>因为装了也没用,110kV系统的故障电流太大无法用熔断器切断所以不装熔断器。发生单相接地时,不接地系统的非故障相电压会升高根3倍,但是可以继续运行2小时,而直接接地系统的电压不会升高但是有短路电流。我们国家在35kV及以下电压的电网采用不接地系统,这样只要绝缘等级高于额定电压根3倍就能满足。110kV及以上系统由于做不起那么高的绝缘等级,...
查看详细 >>不得在带电压下就地手动操作,以免失去电气闭锁,或因分相操作引起非对称开断,影响继电保护的正常运行。4)分相操作隔离开关,拉闸应先拉中相,后拉边相;合闸操作相反。5)隔离开关经操作后,必须检查其开、合的位置;合闸时检查三相刀片接触良好,拉开时三相断开角度符合要求。以防由于操动机构发生故障或调节不当,出现操作后未全拉开和未全合上的不一致现象。...
查看详细 >>或电流)的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态。3.一旦晶闸管开始导通,它就被钳住在导通状态,而此时门极电流可以取消。晶闸管不能被门极关断,像一个二极管一样导通,直到电流降至零和有反向偏置电压作用在晶闸管上时,它才会截止。当晶闸管再次进入正向阻断状态后,允许门极在某个可控的时刻将晶闸管再次触发导通。晶闸管可用两个不同极性(P-N...
查看详细 >>当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。工作过程/晶闸管编辑概述晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管,图2晶闸管当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电...
查看详细 >>一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。中文名整流二极管外文名rectifierdiode类别半导体器件特性单方向导电电流流向正极流入,负极流出包含PN结,有正极和负极两个端子损坏原因运行条件恶劣、运行管理欠佳等...
查看详细 >>共54页目录基础检验批质量验收记录表构架及遮栏检验批质量验收记录表电力变压器检验批质量验收记录表互感器检验批质量验收记录表高压断路器检验批质量验收记录表隔离开关、负荷开关及高压熔断器检验批质量验收记录表避雷器检验批质量验收记录表电容器、电抗器检验批质量验收记录表配电盘(柜)及二次回路检验批质量验收记录表母线装置检验批质量验收记录表(Ⅰ)铁...
查看详细 >>二、熔断器的选用1.熔断器类型的选用根据使用环境、负载性质和短路电流的大小选用适当类型的熔断器。2.熔断器额定电压和额定电流的选用熔断器的额定电压必须等于或大于线路的额定电压。熔断器的额定电流必须等于或大于所装熔体的额定电流。3.熔体额定电流的选用(1)对照明和电热等的短路保护,熔体的额定电流应等于或稍大于负载的额定电流。(2...
查看详细 >>而是检测电源变压器,因为几只整流二极管同时出现相同故障的可能性较小。(2)对于某一组整流电路出现故障时,可按前面介绍的故障检测方法进行检查。这一电路中整流二极管中的二极管VD1和VD3、VD2和VD4是直流电路并联的,进行在路检测时会相互影响,所以准确的检测应该将二极管脱开电路。4.电路故障分析如表9-29所示是正、负极性全波整流电路的故...
查看详细 >>且收纳箱6的内壁预留有第三凹槽7,第三凹槽7的内壁设置有孔洞8,且孔洞8的内部安装有滑块9,并且滑块9的顶部固定有托板10,托板10与滑块9之间为焊接连接,且滑块9与孔洞8构成卡合结构,通过安装在收纳箱6内部的托班,向外拉动托板10,通过滑块9在第三凹槽7内部滑动,滑动出收纳箱6,将线路放置于粘连带12和固定带13之间,使粘连带12通过活...
查看详细 >>设计时应注意以下几点:①IGBT栅极耐压一般在±20V左右,因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护,通常的做法是在栅极并联稳压二极管或者电阻。前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin,从而影响开关速度,后者的缺陷是将减小输入阻抗,增大驱动电流,使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小,但由于MOSFET存在输入电容Cin...
查看详细 >>