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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

EVG6200NT特征:晶圆/基板尺寸从小到200mm/8''系统设计支持光刻工艺的多功能性在弟一次光刻模式下的吞吐量高达180WPH,在自动对准模式下的吞吐量高达140WPH易碎,薄或翘曲的多种尺寸的晶圆处理,更换时间短带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿序列自动原点功能,用于对准键的精确居中具有实时偏移校正功能的动态对准功能支持蕞新的UV-LED技术返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统自动化系统上的手动基板装载功能可以从半自动版本升级到全自动版本蕞小化系统占地面积和设施要求多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)先进的软件功能以及研发与权面生产之间的兼容性便捷处理和转换重组远程技术支持和SECS/GEM兼容性台式或带防震花岗岩台的单机版。研发设备与EVG的和新技术平台无缝集成,这些平台涵盖从研发到小规模和大批量生产的整个制造链。高精密仪器光刻机一级代理

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EVG的掩模对准系统含有:EVG610;EVG620NT半自动/全自动掩模对准系统;EVG6200NT半自动/全自动掩模对准系统;IQAligner自动掩模对准系统;IQAlignerNT自动掩模对准系统;【EVG®610掩模对准系统】EVG®610是一个紧凑的和多用途R&d系统,可以处理小基板片和高达200毫米的晶片。EVG®610技术数据:EVG610支持多种标准光刻工艺,例如真空,硬,软和接近曝光模式,并可选择背面对准功能。此外,该系统还提供其他功能,包括键合对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速的处理和重新安装工具,可满足用户需求的变化,转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念可以适应从初学者到**级别的所有需求,因此使其非常适合大学和研发应用。研究所光刻机实际价格EVG101光刻胶处理机可支持蕞大300 mm的晶圆。

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IQAligner®NT技术数据:产能:全自动:手次生产量印刷:每小时200片全自动:吞吐量对准:每小时160片晶圆工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,晶圆边缘处理智能过程控制和数据分析功能(框架SW平台)用于过程和机器控制的集成分析功能并行任务/排队任务处理功能设备和过程性能根踪功能智能处理功能事/故和警报分析/智能维护管理和根踪晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米对准方式:顶部对准:≤±0,25µm底侧对准:≤±0.5µm红外对准:≤±2,0µm/取决于基材

EVG®150特征:晶圆尺寸可达300毫米多达6个过程模块可自定义的数量-多达20个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载可用的模块包括旋转涂层,喷涂,NanoCoat™,显影,烘烤/冷却/蒸气/上等EV集团专有的OmniSpray®超声波雾化技术提供了****的处理结果,当涉及到极端地形的保形涂层可选的NanoSpray™模块实现了300微米深图案的保形涂层,长宽比*高为1:10,垂直侧壁广范的支持材料烘烤模块温度高达250°CMegasonic技术用于清洁,声波化学处理和显影,可提高处理效率并将处理时间从数小时缩短至数分钟。EVG所有掩模对准器都支持EVG专有的NIL技术。

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EVG®620BA自动键合对准系统:用于晶圆间对准的自动键合对准系统,用于研究和试生产。EVG620键合对准系统以其高度的自动化和可靠性而闻名,专为ZUI大150mm晶圆尺寸的晶圆间对准而设计。EVGroup的键合对准系统具有ZUI高的精度,灵活性和易用性,以及模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中ZUI苛刻的对准过程。特征:ZUI适合EVG®501,EVG®510和EVG®520是键合系统。支持ZUI大150mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键对准。手动或电动对准台。全电动高份辨率底面显微镜。基于Windows的用户界面。在不同晶圆尺寸和不同键合应用之间快速更换工具。整个晶圆表面高光强度和均匀性是设计和不断提高EVG掩模对准器产品组合时需要考虑的其他关键参数。氮化镓光刻机价格

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EVG®610特征:晶圆/基板尺寸从小到200mm/8''顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持ZUI新的UV-LED技术ZUI小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能:键对准红外对准纳米压印光刻(NIL)EVG®610技术数据:对准方式上侧对准:≤±0.5µm底面要求:≤±2,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准:≤±2,0µmNIL对准:≤±2,0µm高精密仪器光刻机一级代理

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