甘肃SIP封装技术

至于较初对SiP的需求，我们只需要看微处理器。微处理器的开发和生产要求与模拟电路、电源管理设备或存储设备的要求大不相同。这导致系统层面的集成度明显提高。尽管SiP一词相对较新，但在实践中SiP长期以来一直是半导体行业的一部分。在1970年代，它以自由布线、多芯片模块（MCM）和混合集成电路（HIC） 的形式出现。在 1990 年代，它被用作英特尔奔腾 Pro3 集成处理器和缓存的解决方案。如今，SiP已经变成了一种解决方案，用于将多个芯片集成到单个封装中，以减少空间和成本。SIP与SOC，SOC(System On a Chip，系统级芯片)是将原本不同功能的IC，整合到一颗芯片中。甘肃SIP封装技术

电镀镍金：电镀是指借助外界直流电的作用，在溶液中进行电解反应，是导电体（例如金属）的表面趁机金属或合金层。电镀分为电镀硬金和软金工艺，镀硬金与软金的工艺基本相同，槽液组成也基本相同，区别是硬金槽内添加了一些微量金属镍或钴或铁等元素，由于电镀工艺中镀层金属的厚度和成分容易控制，并且平整度优良，所以在采用键合工艺的封装基板进行表面处理时，一般采用电镀镍金工艺，铝线的键合一般采用硬金，金线的键合一般都用软金。甘肃SIP封装技术SiP整体制程囊括了着晶、打线、主/被动组件SMT及塑封技术。

SIP工艺解析：引线键合，在塑料封装中使用的引线主要是金线，其直径一般0.025mm～0.032mm。引线的长度常在1.5mm～3mm之间，而弧圈的高度可比芯片所在平面高0.75mm。键合技术有热压焊、热超声焊等。等离子清洗，清洗的重要作用之一是提高膜的附着力。等离子体处理后的基体表面，会留下一层含氯化物的灰色物质，可用溶液去掉。同时清洗也有利于改善表面黏着性。液态密封剂灌封，将已贴装好芯片并完成引线键合的框架带置于模具中，将塑封料的预成型块在预热炉中加热，并进行注塑。

SiP技术特点：设计优势，SiP技术允许设计师将来自不同制造商的较佳芯片组合在一起，实现定制化的解决方案，这种灵活性使得SiP在多样化的市场需求中具有普遍的应用前景。主要优势如以下几点：空间优化：通过将多个组件集成到一个封装中，SiP可以明显减少电路板上所需的空间。性能提升：SiP可以通过优化内部连接和布局来提升性能，减少信号传输延迟。功耗降低：紧密集成的组件可以减少功耗，特别是在移动和便携式设备中。系统可靠性：减少外部连接点可以提高系统的整体可靠性。不同的芯片，排列方式，与不同内部结合技术搭配，使SiP 的封装形态产生多样化的组合。

除了2D和3D的封装结构外，另一种以多功能性基板整合组件的方式，也可纳入SiP的范围。此技术主要是将不同组件内藏于多功能基板中，亦可视为是SiP的概念，达到功能整合的目的。不同的芯片，排列方式，与不同内部结合技术搭配，使SiP 的封装形态产生多样化的组合，并可按照客户或产品的需求加以客制化或弹性生产。SiP技术路线表明，越来越多的半导体芯片和封装将彼此堆叠，以实现更深层次的3D封装。图2.19 是8芯片堆叠SiP，将现有多芯片封装结合在一个堆叠中。微晶片的减薄化是SiP增长面对的重要技术挑战。现在用于生产200mm和300mm微晶片的焊接设备可处理厚度为50um的晶片，因此允许更密集地堆叠芯片。由于SiP电子产品向高密度集成、功能多样化、小尺寸等方向发展，传统的失效分析方法已不能完全适应。甘肃SIP封装技术

SIP（System In Package，系统级封装）为一种封装的概念。甘肃SIP封装技术

系统级封装的优势，SiP和SoC之间的主要区别在于，SoC 将所需的每个组件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用异构组件并将它们连接到一个或多个芯片载波封装中。例如，SoC将CPU，GPU，内存接口，HDD和USB连接，RAM / ROM和/或其控制器集成到单个芯片上，然后将其封装到单个芯片中。相比之下，等效的SiP将采用来自不同工艺节点（CMOS，SiGe，功率器件）的单独芯片，将它们连接并组合成单个封装到单个基板（PCB）上。考虑到这一点，很容易看出，与类似的SoC相比，SiP的集成度较低，因此SiP的采用速度很慢。然而，较近，2.5D 和 3D IC、倒装芯片技术和封装技术的进步为使用 SiP 提供的可能性提供了新的视角。有几个主要因素推动了当前用SiP取代SoC的趋势：甘肃SIP封装技术