河北POLOSBEAM-XL光刻机分辨率1.5微米

石墨烯、二硫化钼等二维材料的器件制备依赖高精度图案转移，Polos 光刻机的激光直写技术避免了传统湿法转移的污染问题。某纳米电子实验室在 SiO₂基底上直接曝光出 10nm 间隔的电极阵列，成功制备出石墨烯场效应晶体管，其电子迁移率达 2×10⁵ cm²/(V・s)，接近理论极限。该技术支持快速构建多种二维材料异质结，使器件研发效率提升 5 倍，相关成果推动二维材料在柔性电子、量子计算领域的应用研究进入快车道。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。无掩模技术优势：摒弃传统掩模，图案实时调整，研发成本降低 70%，小批量生产经济性突出。河北POLOSBEAM-XL光刻机分辨率1.5微米

某生物力学实验室通过 Polos 光刻机，在单一芯片上集成了压阻式和电容式细胞力传感器。其多材料曝光技术在 20μm 的悬臂梁上同时制备金属电极与硅基压阻元件，传感器的力分辨率达 5pN，位移检测精度达 1nm。在心肌细胞收缩力检测中，该集成传感器实现了力 - 电信号的同步采集，发现收缩力峰值与动作电位时程的相关性达 0.92，为心脏电机械耦合机制研究提供了全新工具，相关论文发表于《Biophysical Journal》。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。湖北桌面无掩模光刻机POLOS µ 光刻机：微型化机身，纳米级曝光精度，微流体芯片制备周期缩短 40%。

形状记忆合金、压电陶瓷等智能材料的微结构加工需要高精度图案定位。Polos 光刻机的亚微米级定位精度，帮助科研团队在镍钛合金薄膜上刻制出复杂驱动电路，成功制备出微型可编程抓手。该抓手在 40℃温场中可实现 0.1mm 行程的precise控制，抓取力达 50mN，较传统微加工方法性能提升 50%。该技术被应用于微纳操作机器人，在单细胞膜片钳实验中成功率从 40% 提升至 75%，为细胞级precise操作提供了关键工具。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。

某分析化学实验室采用 Polos 光刻机开发了集成电化学传感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技术在 PDMS 通道底部直接制备出 10μm 宽的金电极，传感器的检测限达 1nM，较传统电化学工作站提升 100 倍。通过软件输入不同图案，可在 24 小时内完成从葡萄糖检测到重金属离子分析的模块切换。该芯片被用于即时检测（POCT）设备，使现场水质监测时间从 2 小时缩短至 10 分钟，相关设备已通过欧盟 CE 认证。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。POLOS µ：超紧凑设计，纳米级精度专攻微流控与细胞芯片。

SPS POLOS µ以桌面化设计降低设备投入成本，无需掩膜制备费用。其光束引擎通过压电驱动快速扫描，单次写入区域达400 µm，支持光刻胶如AZ5214E的高效曝光。研究案例显示，该设备成功制备了间距3 µm的微图案阵列和叉指电容器，助力纳米材料与柔性电子器件的快速原型验证。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接导入，微流控芯片制备周期缩短 40%。湖北桌面无掩模光刻机

空间友好设计：占地面积小于 1.2㎡，小型实验室也能部署高精度光刻系统。河北POLOSBEAM-XL光刻机分辨率1.5微米

在制备用于柔性显示的纳米压印模板时，Polos 光刻机的亚微米级定位精度（±50nm）确保了图案的均匀复制。某光电实验室使用该设备，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透镜阵列，模板的图案保真度达 99.8%，边缘缺陷率低于 0.1%。基于此模板生产的柔性 OLED 背光模组，亮度均匀性提升至 98%，厚度减至 50μm，成功应用于下一代折叠屏手机，相关技术已授权给三家面板制造商。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。河北POLOSBEAM-XL光刻机分辨率1.5微米