BEAM-XL光刻机分辨率1.5微米

德国 Polos 光刻机系列的一大突出优势，便是能够轻松输入任意图案进行曝光。在科研工作中，创新的设计理念往往需要快速验证，而 Polos 光刻机正满足了这一需求。科研人员无需花费大量时间和成本制作掩模，只需将设计图案导入系统，就能迅速开始光刻作业。​ 在生物医学工程领域，研究人员利用这一特性，快速制作出具有特殊结构的生物芯片，用于疾病诊断和药物筛选。在材料科学研究中，可根据不同材料特性，定制独特的图案结构，探索材料的新性能。这种灵活的图案输入方式，remarkable缩短了科研周期，加速科研成果的产出，让科研人员能够将更多精力投入到创新研究中。Polos-BESM XL：加大加工幅面，满足中尺寸器件一次性成型需求。BEAM-XL光刻机分辨率1.5微米

对于纳 / 微机械系统的研究与制造，德国 Polos 光刻机系列展现出强大实力。无掩模激光光刻技术赋予它高度的灵活性，科研人员能够快速将创新设计转化为实际器件。在制造微型齿轮、纳米级悬臂梁等微机械结构时，Polos 光刻机可precise控制激光，确保每个部件的尺寸和形状都符合设计要求。​ 借助该光刻机，科研团队成功研发出新型微机械传感器，其灵敏度和响应速度远超传统产品。并且，由于系统占用空间小，即使是小型实验室也能轻松引入。Polos 光刻机以其低成本、高效率的特性，成为纳 / 微机械系统领域的制造先锋，助力科研人员不断探索微纳世界的奥秘。上海德国PSP-POLOS光刻机可以自动聚焦波长POLOS µ 光刻机：桌面级设计，2-23μm 可调分辨率，兼容 4 英寸晶圆，微机电系统加工误差 < 5μm。

在微流体研究领域，德国 Polos 光刻机系列凭借独特优势脱颖而出。其无掩模激光光刻技术，打破传统光刻的局限，无需掩模就能实现高精度图案制作。这使得科研人员在构建微通道网络时，可根据实验需求自由设计，快速完成从图纸到实体的转化。​以药物传输研究为例，利用 Polos 光刻机，能制造出尺寸precise、结构复杂的微通道，模拟人体环境，让药物在微小空间内可控流动，much提升药物传输效率研究的准确性。同时，在细胞培养实验中，该光刻机制作的微流体芯片，为细胞提供稳定且适宜的生长环境，助力细胞生物学研究取得新突破。小空间大作为的 Polos 光刻机，正推动微流体研究不断向前。

某能源研究团队采用 Polos 光刻机制造了压电式微型能量收集器。其激光直写技术在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指电极，器件的能量转换效率达 35%，在 10Hz 振动下可输出 50μW/cm² 的功率。通过自定义电极间距和厚度，该收集器可适配不同频率的环境振动，在智能穿戴设备中实现了运动能量的实时采集与存储。其轻量化设计（体积 < 1mm³）还被用于物联网传感器节点，使传感器续航时间从 3 个月延长至 2 年。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。快速自动对焦：闭环对焦系统1秒完成，多层半自动对准提升实验效率。

大尺寸晶圆的高效处理：Polos-BESM XL的优势！Polos-BESM XL Mk2专为6英寸晶圆设计，写入区域达155×155 mm，平台重复性精度0.1 µm，满足工业级需求。搭配20x/0.75 NA尼康物镜和120 FPS高清摄像头，实时观测与多层对准功能使其成为光子晶体和柔性电子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer软件简化复杂图案设计，内置高性能笔记本实现快速数据处理62。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。光刻胶broad兼容：支持AZ5214E、SU-8等材料，优化参数降低侧壁粗糙度。陕西BEAM-XL光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米

微流体领域：支持 1-100μm 微通道定制，助力organ芯片血管网络precise建模。BEAM-XL光刻机分辨率1.5微米

石墨烯、二硫化钼等二维材料的器件制备依赖高精度图案转移，Polos 光刻机的激光直写技术避免了传统湿法转移的污染问题。某纳米电子实验室在 SiO₂基底上直接曝光出 10nm 间隔的电极阵列，成功制备出石墨烯场效应晶体管，其电子迁移率达 2×10⁵ cm²/(V・s)，接近理论极限。该技术支持快速构建多种二维材料异质结，使器件研发效率提升 5 倍，相关成果推动二维材料在柔性电子、量子计算领域的应用研究进入快车道。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。BEAM-XL光刻机分辨率1.5微米