天津BEAM-XL光刻机可以自动聚焦波长

德国Polos-BESM系列光刻机采用无掩模激光直写技术，突破传统光刻对物理掩膜的依赖，支持用户通过软件直接输入任意图案进行快速曝光。其亚微米分辨率（most小线宽0.8 µm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圆上实现高精度微纳结构加工18。系统体积紧凑，only占桌面空间，搭配闭环自动对焦（1秒完成）和半自动多层对准功能，大幅提升实验室原型开发效率，适用于微流体芯片设计、电子元件制造等领域。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。亚微米级精度：0.8 µmmost小线宽，支持高精度微流体芯片与MEMS器件制造。天津BEAM-XL光刻机可以自动聚焦波长

德国 Polos 光刻机系列以其紧凑的设计，在有限的空间内发挥着巨大作用。对于研究实验室，尤其是空间资源紧张的高校和初创科研机构来说，设备的空间占用是重要考量因素。Polos 光刻机占用空间小的特点，使其能够轻松融入各类实验室环境。​ 尽管体积小巧，但它的性能却毫不逊色。无掩模激光光刻技术保障了高精度的图案制作，低成本的优势降低了科研投入门槛。在小型实验室中，科研人员使用 Polos 光刻机，在微流体、电子学等领域开展研究，成功取得多项成果。从微纳结构制造到新型器件研发，Polos 光刻机证明了小空间也能蕴藏大能量，为科研创新提供有力支持。天津BEAM-XL光刻机可以自动聚焦波长Polos-BESM XL：大尺寸加工空间，保留紧凑设计，科研级精度实现复杂结构一次性成型。

柔性电子是未来可穿戴设备的core方向，其电路图案需适应曲面基底。Polos 光刻机的无掩模技术在聚酰亚胺柔性基板上实现了 2μm 线宽的precise曝光，解决了传统掩模对准偏差问题。某柔性电子研究中心利用该设备，开发出可贴合皮肤的健康监测贴片，其传感器阵列的信号噪声比提升 60%。相比光刻胶掩模工艺，Polos 光刻机将打样时间从 72 小时压缩至 8 小时，加速了柔性电路的迭代优化，推动柔性电子从实验室走向产业化落地。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。

微纳卫星对部件重量与精度要求苛刻，传统加工难以兼顾。Polos 光刻机在硅基材料上实现了 50nm 深度的微沟槽加工，为某航天团队制造出轻量化星载惯性导航陀螺结构。通过自定义螺旋型振动梁图案，陀螺的零偏稳定性提升至 0.01°/h，较商用产品性能翻倍。该技术还被用于微推进器喷嘴阵列加工，使卫星姿态调整精度达到亚毫牛级，助力我国低轨卫星星座建设取得关键突破。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。空间友好设计：占地面积小于 1.2㎡，小型实验室也能部署高精度光刻系统。

SPS POLOS µ以桌面化设计降低设备投入成本，无需掩膜制备费用。其光束引擎通过压电驱动快速扫描，单次写入区域达400 µm，支持光刻胶如AZ5214E的高效曝光。研究案例显示，该设备成功制备了间距3 µm的微图案阵列和叉指电容器，助力纳米材料与柔性电子器件的快速原型验证。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。德国工艺：精密制造基因，10 年以上使用寿命，维护成本低，设备残值率达 60%。河北德国PSP-POLOS光刻机分辨率1.5微米

技术Benchmark：Polos-µPrinter 入选《半导体技术》年度创新产品，推动无掩模光刻技术普及。天津BEAM-XL光刻机可以自动聚焦波长

无掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用无掩模激光直写技术，用户可通过软件直接输入任意图案，省去传统光刻中掩膜制备的高昂成本与时间。其405 nm紫外光源和亚微米分辨率（most小线宽0.8 µm）支持5英寸晶圆的高精度加工，特别适合实验室快速原型开发。闭环自动对焦系统（1秒完成）和半自动多层对准功能，remarkable提升微流体芯片和MEMS器件的研发效率62。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。天津BEAM-XL光刻机可以自动聚焦波长