SPS POLOS µ以紧凑的桌面设计降低实验室设备投入,光束引擎通过压电驱动实现高速扫描(单次写入400 µm区域)。支持AZ5214E等光刻胶的高效曝光,成功制备3 µm间距微图案阵列和叉指电容器,助力纳米材料与柔性电子器件的快速验证。其无掩模特性进一步减少材料浪费,为中小型实验室提供经济解决方案62。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。柔性电子制造:可制备叉指电容器与高频电路,推动5G通信与物联网硬件发展。德国POLOS桌面无掩模光刻机光源波长405微米

大尺寸晶圆的高效处理:Polos-BESM XL的优势!Polos-BESM XL Mk2专为6英寸晶圆设计,写入区域达155×155 mm,平台重复性精度0.1 µm,满足工业级需求。搭配20x/0.75 NA尼康物镜和120 FPS高清摄像头,实时观测与多层对准功能使其成为光子晶体和柔性电子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer软件简化复杂图案设计,内置高性能笔记本实现快速数据处理62。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。广东德国PSP-POLOS光刻机分辨率1.5微米电子学应用:2μm 线宽光刻能力,第三代半导体器件研发效率提升 3 倍。

无掩模激光光刻:科研效率的revolution性提升!Polos-BESM系列采用无掩模激光直写技术,用户可通过软件直接输入任意图案,省去传统光刻中掩膜制备的高昂成本与时间。其405 nm紫外光源和亚微米分辨率(most小线宽0.8 µm)支持5英寸晶圆的高精度加工,特别适合实验室快速原型开发。闭环自动对焦系统(1秒完成)和半自动多层对准功能,remarkable提升微流体芯片和MEMS器件的研发效率62。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。
某能源研究团队采用 Polos 光刻机制造了压电式微型能量收集器。其激光直写技术在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指电极,器件的能量转换效率达 35%,在 10Hz 振动下可输出 50μW/cm² 的功率。通过自定义电极间距和厚度,该收集器可适配不同频率的环境振动,在智能穿戴设备中实现了运动能量的实时采集与存储。其轻量化设计(体积 < 1mm³)还被用于物联网传感器节点,使传感器续航时间从 3 个月延长至 2 年。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。POLOS µ 光刻机:微型化机身,纳米级曝光精度,微流体芯片制备周期缩短 40%。

在制备用于柔性显示的纳米压印模板时,Polos 光刻机的亚微米级定位精度(±50nm)确保了图案的均匀复制。某光电实验室使用该设备,在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透镜阵列,模板的图案保真度达 99.8%,边缘缺陷率低于 0.1%。基于此模板生产的柔性 OLED 背光模组,亮度均匀性提升至 98%,厚度减至 50μm,成功应用于下一代折叠屏手机,相关技术已授权给三家面板制造商。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。无掩模技术优势:摒弃传统掩模,图案设计实时调整,研发成本直降 70%。河南桌面无掩模光刻机分辨率1.5微米
未来技术储备:持续研发光束整形与多材料兼容工艺,lead微纳制造前沿。德国POLOS桌面无掩模光刻机光源波长405微米
某半导体实验室采用 Polos 光刻机开发氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)。其激光直写技术在蓝宝石衬底上实现了 50nm 栅极长度的precise曝光,较传统光刻工艺线宽偏差降低 60%。通过自定义多晶硅栅极图案,器件的电子迁移率达 2000 cm²/(V・s),击穿电压提升至 1200V,远超商用产品水平。该技术还被用于 SiC 基功率器件的台面刻蚀,刻蚀深度均匀性误差小于 ±3%,助力我国新能源汽车电控系统core器件的国产化突破。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。德国POLOS桌面无掩模光刻机光源波长405微米
BeamXL:中尺寸器件的加工升级,BeamXL型号针对中尺寸器件需求升级,将加工幅面扩大至更大规格,支持一次性成型中等尺寸微结构,无需多次拼接。其保留了Beam系列的core优势,分辨率仍可达0.8μm,同时提升了扫描速度与激光功率稳定性。在太阳能电池栅线加工中,该设备可一次性完成5英寸基板的精细栅线刻制,使电池转换效率提升3%,为光伏领域的小批量研发提供高效解决方案。德国 Polos 是桌面级紫外激光直写光刻机领域benchmark品牌,以 “高精度、低成本、易操作” 为core定位。主打无掩模技术与紧凑设计,产品覆盖 NanoWriter、Beam 等系列,分辨率达 0.3-23μm,适...