集成PPMU与动态电流监测——赋能“每瓦特算力”优化 背景:AI芯片能效比(Performance per Watt)成为核心竞争力,尤其在数据中心“双碳”目标下。每通道集成PPMU,支持nA级静态电流与A级动态电流测量; 可捕获微秒级浪涌电流(Inrush Current)与电压塌陷(Voltage Droop); 支持FVMI/FIMV等模式,绘制功耗-性能曲线。帮助芯片设计团队优化电源完整性(PI)与低功耗策略(如电源门控),打造高能效国产AI芯片。512 Sites并行测试架构——降低量产成本,抢占市场先机。AI芯片年出货量动辄百万级,测试成本直接影响产品竞争力。512站点并行测试能力,使单颗芯片测试成本降低70%以上,测试效率呈指数级提升。为国产AI芯片大规模量产提供“超级测试流水线”,实现“测得快、卖得起、用得稳”。开放软件生态(GTFY + C++ + Visual Studio)——加速AI芯片创新迭代 背景:AI架构快速演进(如存算一体、类脑计算),需高度灵活的测试平台。开放编程环境支持自定义测试逻辑,高校与企业可快速开发新型测试方案。不仅是量产工具,更是科研创新的“开放实验台”,推动中国AI芯片从“跟随”走向“**”。GT600可验证谷歌TPU、华为昇腾等定制化AI芯片复杂电源门控网络、多电压域上电时序与高密度I/O功能。深圳绝缘电阻测试系统定制

1.高边沿精度保障高速接口时序合规性。现代智能驾驶SoC普遍集成PCIe、GMSL、FPD-LinkIII等高速串行接口,用于连接传感器与**计算单元。这些接口对信号边沿时序要求极为严苛。杭州国磊GT600具备100ps的向量边沿放置精度,能够精确模拟高速信号的上升/下降沿,并配合Digitizer板卡捕获实际输出波形,验证眼图、抖动与建立/保持时间是否符合协议规范。这种高精度时序控制能力,是确保车载高速通信链路稳定性的关键测试手段。开放式软件生态赋能定制化测试开发。杭州国磊GT600采用基于VisualStudio与C++的开放式GTFY编程环境,允许客户根据自身芯片特性开发定制化测试流程。对于智能驾驶芯片厂商而言,这意味着可将内部验证方法论(如ISO26262功能安全测试用例)直接嵌入测试程序,实现自动化安全机制验证。同时,图形化数据显示与用户管理界面便于测试工程师快速定位故障引脚或模块,大幅提升调试效率,缩短芯片迭代周期。 扬州导电阳极丝测试系统研发国磊GT600的128M向量存储深度,支持长时间采集模拟信号动态行为,适用于锁相环(PLL)、振荡器等测试。

国产化ATE设备降本增效解决方案,后摩尔时代Chiplet、SiP、先进封装规模化量产,半导体测试复杂度与测试成本同步飙升。当前行业长期依赖NI、是德、爱德万等进口ATE设备,存在采购成本高、交付周期长、运维昂贵、二次开发受限、量产适配性弱五大**痛点。进口ATE整套系统采购投入高、备件溢价严重、软件授权费用昂贵,且定制化改造难度大,测试程序开发周期冗长,叠加先进封装多Die异构测试需求迭代快的特点,大幅压缩封测与芯片设计企业利润空间。在此背景下,具备高性能、模块化、高性价比、可自主迭代的国产化ATE解决方案,成为行业降本增效、自主可控的设备刚需。目前立足国产ATE全栈自研优势,以硬件替代降硬成本、软件自研提开发效率、模块化架构提复用率、自动化量产提产能、本土服务降运维成本为重点,构建“研发可定制、量产可高效、全周期低成本”的国产化测试体系,替代进口封闭型ATE设备,适配模拟、功率、SoC、Chiplet先进封装全场景测试需求,实现测试环节综合成本比较好、测试效率比较大化。杭州国磊通过硬件国产化,机箱、控制器、高速数字板卡、精密SMU、TDR时域测量模块等硬件自主研发,基本对标NI、是德等进口PXIe测试设备性能。
高同测能力加速智能驾驶芯片量产进程。智能驾驶芯片往往需要大规模部署于整车厂供应链中,对测试效率和成本控制极为敏感。杭州国磊GT600支持比较高512 Sites的并行测试能力,意味着可在单次测试周期内同时验证数百颗芯片,极大缩短测试时间、降低单位测试成本。这种高同测(High Parallel Test)特性对于满足车规级芯片动辄百万级出货量的需求至关重要。此外,其开放式GTFY软件平台支持工程模式与量产模式无缝切换,便于在研发验证与大规模生产之间灵活调配资源,确保智能驾驶芯片在严格的时间窗口内完成认证与交付。国磊GT600高密度集成设计降低系统体积,适配探针台有限空间下的模拟晶圆测试(CP)应用。

MEMS麦克风消费电子中***采用的数字/模拟MEMS麦克风,内部包含声学传感MEMS结构与低噪声前置放大器ASIC。关键指标包括灵敏度、信噪比(SNR)、总谐波失真(THD)和AOP(声学过载点)。杭州国磊(Guolei)支持点:GT-AWGLP02AWG板卡生成纯净1kHz正弦激励(THD<-122dB);高分辨率Digitizer采集输出信号,计算SNR与THD;支持I²S/PDM等数字音频接口协议测试;可进行多颗麦克风并行测试(512Sites),满足手机厂商大批量需求。压力传感器(气压/差压/***压力)用于可穿戴健康监测(如血氧估算)、汽车胎压监测(TPMS)、工业过程控制等。其ASIC需处理pF级电容变化,并具备温度补偿与校准功能。杭州国磊(Guolei)支持点:PPMU施加精确偏置电压并测量微安级工作电流;AWG模拟不同压力对应的电容激励信号;Digitizer采集校准后数字输出(如I²C读数),验证线性度与零点漂移;支持高低温环境下的参数漂移测试(配合温控分选机)。 国磊GT600数字通道边沿精度100ps,确保模拟IC控制信号(如Enable、Reset)的建立与保持时间精确验证。杭州导电阳极丝测试系统厂家直销
国磊GT600SoC测试机高密度集成设计降低系统体积与功耗,适配高通道数HBM测试的紧凑型测试台架部署。深圳绝缘电阻测试系统定制
传统测试设备面向通用CPU/GPU设计,难以应对AI芯片特有的稀疏计算、张量**、片上互联等新架构。GT600针对此类需求优化了测试向量调度机制与并行激励生成能力,支持对非规则数据流、动态稀疏***、混合精度运算的专项验证。其灵活的时钟域管理还可模拟多频异构系统的工作状态。这种“为AI而生”的设计理念,使GT600不仅兼容现有芯片,更能前瞻性支持下一代AI硬件创新。在杭州打造“中国算力之城”的进程中,GT600正推动测试从“功能检查”向“场景仿真”演进,**国产测试技术范式升级。深圳绝缘电阻测试系统定制
集成PPMU与动态电流监测——赋能“每瓦特算力”优化 背景:AI芯片能效比(Performance per Watt)成为核心竞争力,尤其在数据中心“双碳”目标下。每通道集成PPMU,支持nA级静态电流与A级动态电流测量; 可捕获微秒级浪涌电流(Inrush Current)与电压塌陷(Voltage Droop); 支持FVMI/FIMV等模式,绘制功耗-性能曲线。帮助芯片设计团队优化电源完整性(PI)与低功耗策略(如电源门控),打造高能效国产AI芯片。512 Sites并行测试架构——降低量产成本,抢占市场先机。AI芯片年出货量动辄百万级,测试成本直接影响产品竞争力。512站点并行测试能力...