湖北WLCSP封装方式

3D SIP。3D封装和2.5D封装的主要区别在于：2.5D封装是在Interposer上进行布线和打孔，而3D封装是直接在芯片上打孔和布线，电气连接上下层芯片。3D集成目前在很大程度上特指通过3D TSV的集成。物理结构：所有芯片及无源器件都位于XY平面之上且芯片相互叠合，XY平面之上设有贯穿芯片的TSV，XY平面之下设有基板布线及过孔。电气连接：芯片采用TSV与RDL直接电连接。3D集成多适用于同类型芯片堆叠，将若干同类型芯片竖直叠放，并由贯穿芯片叠放的TSV相互连接而成，见下图。类似的芯片集成多用于存储器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。SiP是使用成熟的组装和互连技术，把各种集成电路器件集成到一个封装体内，实现整机系统的功能。湖北WLCSP封装方式

封装（Package），是把晶圆上切下来的裸片装配为芯片较终产品的过程，简单地说，就是把制造厂生产出来的集成电路裸片放在一块起到承载作用的基板上，把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。作为动词，“封装”强调的是安放、固定、密封、引线的过程和动作；作为名词，“封装”主要关注封装的形式、类别、基底、外壳、引线材料，强调其保护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。SiP封装是将不同功能的裸芯片，包括CPU、GPU、存储器等集成在一个封装体内，从而实现一整个芯片系统。吉林芯片封装服务商SIP是从封装的立场出发，对不同芯片进行并排或叠加的封装方式，实现一定功能的单个标准封装件。

SIP工艺解析：表面打标，打标就是在封装模块的顶表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商的信息、国家、器件代码等，主要介绍激光印码。测试，它利用测试设备(Testing Equipment)以及自动分选器(Handler)，测定封装IC的电气特性，把良品、不良品区分开来;对某些产品，还要根据测试结果进行良品的分级。测试按功能可分为DC测试(直流特性)、AC测试(交流特性或timing特性)及FT测试(逻辑功能测试)三大类。同时还有一些辅助工序，如BT老化、插入、拔出、实装测试、电容充放电测试等。

突破「微小化」竞争格局，凭借异质整合微小化优势，系统级封装能集成不同制程技术节点 (technology node)，不同功能、不同供货商，甚至是不同半导体原材料的组件，整体可为产品节省约30-40%的空间，也能依据需求客制模块外型并一定程度简化系统主板设计，让主板、天线及机构的设计整合上更加有弹性。同时，相较于IC制程的开发限制，系统整合模块可以在系统等级功能就先进行验证与认证，加速终端产品开发，集中系统产品研发资源。 SiP技术是全球封测业者较看重的焦点，系统级封装(SiP)技术的突破正在影响产业供应链、改变竞争格局。云茂电子从Wi-Fi模块产品就开始进行布局、站稳脚步，积累多年在射频、穿戴式装置等产品的丰富制程经验，透过「一站式系统级封装服务」协助客户实现构想。 SIP模组板身是一个系统或子系统，用在更大的系统中，调试阶段能更快的完成预测及预审。

电镀镍金：电镀是指借助外界直流电的作用，在溶液中进行电解反应，是导电体（例如金属）的表面趁机金属或合金层。电镀分为电镀硬金和软金工艺，镀硬金与软金的工艺基本相同，槽液组成也基本相同，区别是硬金槽内添加了一些微量金属镍或钴或铁等元素，由于电镀工艺中镀层金属的厚度和成分容易控制，并且平整度优良，所以在采用键合工艺的封装基板进行表面处理时，一般采用电镀镍金工艺，铝线的键合一般采用硬金，金线的键合一般都用软金。Sip这种创新性的系统级封装不只大幅降低了PCB的使用面积，同时减少了对外围器件的依赖。芯片封装定制

先进封装对于精度的要求非常高，因为封装中的芯片和其他器件的尺寸越来越小，而封装密度却越来越大。湖北WLCSP封装方式

「共形」及「分段型」屏蔽，另一方面，系统级封装模块需要高密度整合上百颗电子组件，同时避免与PCB主板上其他组件相互干扰。此外，在模块外部也必须解决相同的干扰问题。因此，必须透过一项重要制程来形成组件之间的屏障，业界称之为共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding)。 在业界普遍常见的金属屏蔽罩，每一段均需要保留约1mm宽度的焊盘与排除区域 (Keep-Out Zone)，云茂电子的共形及分段型屏蔽只需10%的宽度。以一个多频4G模块为例，可为其他组件腾出超过17%的空间，并可屏蔽40-50 dB的电磁干扰。 湖北WLCSP封装方式